Входные характеристики БТ в схеме с общей базой

4.1. Соберите схему исследования входных характеристик БТ в схеме с ОБ (Рис.7).

Рисунок 7 – Схема исследования входных характеристик БТ в схеме с ОБ.

4.2. Установить диапазон регулирования источника E1 0..-1 В, источника E2 0..+5 В. По вертикальной оси графопостроителя выбрать миллиамперметр mA1, диапазон: нижняя граница 0, верхняя +10 мА, по горизонтальной оси графопостроителя выбрать V1, диапазон: левая граница 0, правая граница -1 В.

4.3. Снять две входные характеристики I_э = f (U_эб) , для U_кб = 0 и U_кб = 5 В. Для этого с помощью источника E2 установить фиксированное напряжение V2. Далее плавно поворачивать ручку управления источника E1 против часовой стрелки до тех пор, пока ток эмиттера (mA1) не достигнет 10 мА.

4.4. Нарисуйте семейство ВАХ на миллиметровке.

Обработка результатов эксперимента

5.1. Рассчитайте графически h-параметры по формулам :

h₁₁=∆U_вх/∆I_вх при ∆U_вых=0

h₁₂=∆U_вх/∆U_вых при ΔI_вх = 0.

h₂₁=∆I_вых/∆I_вх при ∆U_вых=0.

h₂₂==∆I_вых/∆U_вых при ΔI_вх = 0.

Для расчета используйте методику, приведенную в Приложении.

5.2. Результаты расчетов занесите в таблицу:

h₁₁ = r_вх - дифференциальное входное сопротивление.

h₁₂ = КОС - коэффициент обратной связи по напряжению.

h₂₁- коэффициент передачи по току (β - в схеме ОЭ, α - в схеме ОБ).

r_i =1/ h₂₂ - дифференциальное внутреннее сопротивление.

Параметр	rвх, Ом	КОС	β (ОЭ) α (ОБ)	ri, кОм
ОЭ
ОБ

Приложение

Методика расчёта h - параметров транзистора по его статическим характеристикам.

Схема с общим эмиттером

Определение h_11Э:

Кривая U_кэ = 0,1 В соответствует условию ∆U_вых=0.

h_11Э=∆U_вх/∆I_вх=∆U_бэ/∆I_б=r_вх.

r_вх - дифференциальное входное сопротивление.

Определение h_12Э:

h_12Э=∆U_вх/∆U_вых=∆U_бэ/∆U_кэ=КОС;

∆U_кэ= U_{кэ раб.точке}- U_кэ(0).

КОС - коэффициент обратной связи по напряжению.

Определение h_21Э:

Выбираем ВАХ, соответствующую току базы, при котором определялись параметры h₁₁ и h₁₂. Выбираем на ней рабочую точку А. Двигаясь по прямой ∆U_вых = const, находим ∆I_вых и ∆I_вх.

h_21Э=∆I_вых/∆I_вх=∆I_к/∆I_б=β

∆I_б = I_б5-I_б4

β - коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером.

Определение h_22Э:

Рабочая точка А берется также, что и при определении h_21. На характеристике I_б= const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆I_вых и ∆U_вых.

h_22Э==∆I_вых/∆U_вых=∆I_к/∆U_кэ=1/r_i

r_i- дифференциальное внутреннее сопротивление.

Схема с общей базой

Определение h_11Б:

Выберем рабочую точку А на прямолинейной части входной характеристике. На характеристике U_кб= const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆I_вх и ∆U_вх.

h_11Б=∆U_вх/∆I_вх=∆U_эб/∆I_э=r_вх,

r_вх-дифференциальное входное сопротивление.

Определение h_12Б:

h_12Б=∆U_вх/∆U_вых=∆U_эб/∆U_кб=КОС

Из-за недостатка экспериментальной информации - получена всего одна кривая - найти h₁₂ нельзя.

Определение h_21Б:

Выбираем ВАХ, соответствующую току эмиттера, при котором определялся параметр h₁₁. Выбираем на ней рабочую точку А. Двигаясь по прямой U_вых = const, находим ∆I_вых и ∆I_вх.

h_21Б=ΔI_вых/ΔI_вх=ΔI_к/ΔI_э= α;

α-коэффициент передачи по току в схеме с общей базой.

Определение h_22Б:

Рабочая точка А берется таже, что и при определении h_21Б. На характеристике I_э= const, проходящей через точку А, берем некоторый отрезок и определяем ∆I_вых и ∆U_вых.

h_22Б= ΔI_вых/ΔU_вых=ΔI_к/ΔU_кб=1/r_i

r_i=1/h_22Б - дифференциальное внутреннее сопротивление.

ОТЧЕТ

по лабораторной работе студент:

группа:

дата:

тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. Схемы включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) и с общей базой (ОБ ).

2. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОЭ.

3. Входные ВАХ транзистора в схеме ОЭ.

4. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОБ.

5. Входные ВАХ транзистора в схеме ОБ.

6. Сравнительная таблица параметров транзистора в схемах ОЭ и ОБ.

Параметр	rвх, Ом	КОС	β (ОЭ) α (ОБ)	ri, кОм
ОЭ
ОБ