Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ

Статические характеристики транзистора в схеме с общей базой (ОБ)

Входные:

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru

.

При UЭБ'=Const входная характеристика – прямая ветвь ВАХ эмиттерного перехода (при увеличении UЭБ снижается высота потенциального барьера на ЭП, что приводит к увеличению тока диффузии, тока IЭ).

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru

Рис. 5. Входные характеристики транзистора в схеме с ОБ

При изменении UКБ входная характеристика смещается относительно предыдущей. Докажем, что при | UКБ'' | > | UКБ' | входная характеристика расположена выше, чем при UКБ'. Для этого возьмем на входных характеристиках точки 1 и 2, соответствующие одному и тому же UЭБ'', но различным UКБ. Надо доказать, что в точке 2 (UКБ'') ток эмиттера больше, чем в точке 1 (UКБ'), т.е. IЭ''> IЭ'. Обе точки соответствуют активному режиму.

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru
Рассмотрим распределение концентрации впрыснутых из эмиттера носителей заряда в базе по ее толщине на примере транзистора p-n-p структуры, принимая x=0 на границе эмиттерного перехода.

При |UКБ''| > |UКБ'| ΔКП''>ΔКП' (толщина коллекторного перехода), WБ''<WБ' (толщина базы).

Рис. 6. Распределение концентрации

дырок в Б транзистора по ее толщине

Эффект модуляции толщины базы коллекторным напряжением UК получил название эффекта Эрли.

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru Если UЭБ''= Const, то p2=Const (точки 1 и 2). Вследствие изменения толщины базы линия 2, показывающая распределение концентрации впрыснутых из эмиттера дырок по толщине базы в точке 2 входной характеристики, имеет больший наклон по отношению к линии 1, соответствующей точке 1, т.е. градиент концентрации впрыснутых дырок на границе ЭП в базе увеличился:

 
  Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru

.

Мы помним, что в активном режиме IЭ по природе своей является током диффузии,

                   
    Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru
  Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru
      Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru
   
~
       
,
 
 
 

' .
Э
>
I
I
Э
поэтому

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru Чтобы при изменении UКБ ( |UКБ''| > |UКБ'| ) ток эмиттера IЭ' остался неизменным, т.е.

необходимо при уменьшении толщины базы p1 < p2, т.е. UЭ'' < UЭ'

(точки 1 и 3).

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru Выходные:

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru

Рис. 7. Выходные характеристики транзистора в схеме с ОБ при IЭ = Const

Если IЭ = 0 (цепь эмиттера разорвана), то |UКБ | возрастает в первой четверти рисунка, что соответствует обратносмещенному КП, IК = IК0 – тепловой коллекторный ток, обусловленный дрейфующими через КП неосновными носителями заряда: дырками 8 потока и электронами 7 потока. Нарисованная пунктиром на рис.7 при IЭ =0 характеристика – обратная ветвь ВАХ одиночного КП. Неуправляемый ток IК0 значительно меньше управляемого IК в активном режиме, поэтому при IЭ =0 характеристика в 1-й четверти нарисована в более увеличенном масштабе по оси IК по сравнению с другими характеристиками. Если же полярность подводимого UКБ поменять (3-я четверть), то через прямосмещенный коллекторный переход через пониженный по высоте барьер пойдут еще и основные носители заряда: электроны 6 и дырки 5, создавая ток диффузии, значительно больший по сравнению с IК0, поэтому ток IК экспоненциально зависит от UКБ и изменяет свое направление (IК втекает через вывод коллектора). Нарисованная в 3-ей четверти характеристика при IЭ = 0 – прямая ветвь ВАХ коллекторного перехода (увеличен масштаб по оси UКБ по сравнению с 1-ой четвертью).

Если IЭ >0, к примеру IЭ''', то через обратносмещенный КП в активном режиме (точки 1 и 2) дрейфуют не только неосновные равновесные носители заряда 7 и 8, создающие ток IК0, но и неосновные неравновесные дырки – та часть из числа впрыснутых их эмиттера (поток дырок 1), которая не рекомбинируя дошла до КП, создавая управляемый входом ток IКp = αIЭ.

Таким образом, IК = IКp + IК0 = αIЭ + IК0,

[1] 7,8

где [1] – часть дырок потока 1, которая дошла до КП не рекомбинируя.

При изменении UКБ в активном режиме (|UКБ''| > |UКБ'|) ток IК почти не изменяется (точки 1 и 2 на рис.7). Принципиально при IЭ'''= Const и неуправляемом токе IК0 ток коллектора IК может измениться только за счет α (коэффициент передачи тока IЭ), а именно: при увеличении коллекторного напряжения |UКБ| толщина коллекторного перехода ΔКП увеличивается, толщина базы WБ уменьшается, вероятность рекомбинации дырок в базе уменьшается, коэффициент переноса æ возрастает, α = γæ тоже возрастает, но это изменение α незначительно, α @ Const.

В точке 3 UКБ =0, но собственное поле КП является ускоряющим для неосновных носителей заряда, как и в точках 1 и 2, т.е. IК = IКp + IК0.

При изменении IЭ изменяется уровень инжекции на ЭП, изменяется управляемая часть коллекторного тока IКp, поэтому выходная характеристика смещается относительно предыдущей. Если α @ Const, то ΔIК @ ΔIЭ (характеристики расположены равномерно друг относительно друга).

В режиме насыщения (2-я и 3-я четверти) через пониженный потенциальный барьер прямосмещенного КП перемещаются еще и основные носители заряда 5 и 6, создавая ток I5,6, встречный направлению току дрейфа IКp. Таким образом, в точках 4, 5, 6 в режиме насыщения IК = IКp + IК0 – I5,6.

Отрицательная составляющая тока (за положительные берутся направления токов в активном режиме) I5,6 экспоненциально зависит от величины прямого UКБ, поэтому суммарный ток IК в режиме насыщения очень резко зависит от величины UКБ в отличие от активного режима.

В точке 4 | IКp + IК0| > |I5,6|, поэтому IК >0 (вытекает через вывод коллектора), в точке 5 | IКp + IК0| = |I5,6|, поэтому IК =0,

в точке 6 | IКp + IК0| < |I5,6|, поэтому IК <0 (втекает через вывод коллектора).

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru Выходные:

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru

Рис. 8. Выходные характеристики транзистора в схеме с ОБ при UЭБ = Const

Это семейство выходных характеристик напоминает семейство выходных характеристик при IЭ =Const: в активном режиме характеристики имеют небольшой наклон по отношению к оси UКБ, в режиме насыщения малейшее изменение UКБ вызывает резкое изменение IК (и по величине и по направлению).

Отличия:

бо'льший наклон к оси UКБ в активном режиме;

неравномерность расположения характеристик друг относительно друга.

Остановимся на различиях.

В активном режиме при увеличении коллекторного напряжения |UКБ|

(из точки 1' в 2') толщина коллекторного перехода ΔКП увеличивается, толщина базы WБ уменьшается, градиент концентрации дырок в базе на

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru  
 
границе эмиттерного перехода возрастает (рис. 9), поэтому при

UЭБ''= Const возрастает ток эмиттера IЭ.

Т.к. в активном режиме IК = αIЭ + IК0, то увеличение IЭ сопровождается почти таким же увеличением IК (при переходе из точки 1 в 2 на предыдущем семействе IЭ'''=Const),

т.е. выходные характеристики, снятые при UЭБ = Const, имеют бо'льший наклон к оси UКБ, чем характеристики, снятые при IЭ=Const.

Рис. 9. Распределение концентрации

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru
дырок в Б транзистора по ее толщине

В режиме насыщения IК = IКp + IК0 – I5,6.

При увеличении коллекторного напряжения |UКБ| (от точки 4' к 5', 6') значительно возрастает по модулю ток | I5,6| (отрицательная составляющая тока IК), поэтому ток коллектора IК резко уменьшается.

Распределение концентрации впрыснутых дырок по толщине базы в точках 1', 2', 3', 4', 5', 6' представлены линиями 1', 2', 3', 4', 5', 6' на рис.10.

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru

Рис. 10. Распределение концентрации дырок в Б транзистора по ее толщине при UЭБ = Const

Неравномерность расположения выходных характеристик при UЭБ = Const объясняется нелинейностью входной характеристики: одинаковым приращениям DUЭБ соответствуют разные приращения DIЭ и DIК, т.к. в активном режиме IК @ IЭ (точки 7', 1', 8' на выходных и входных характеристиках рис.8, 11).

Входные и выходные характеристики транзистора схеме с ОБ - student2.ru

Рис. 11. Входная характеристика транзистора в схеме с ОБ

Характеристики прямой передачи и обратной связи можно получить путем перестроения по основным (входным и выходным) семействам характеристик, что хорошо видно на совмещенных (все 4 семейства совмещены) характеристиках транзистора.

27)Входные и выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ

Наши рекомендации