Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой

Основными величинами, характеризующими параметры биполярного транзистора, являются коэффициент передачи тока эмиттера α, сопротивление эмиттерного (rэ), и коллекторного (rк), переходов, а также коэффициент обратной связи эмиттер – коллектор μэк.

Дифференциальным коэффициентом передачи тока эмиттера называется отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению тока эмиттера при постоянном напряжении на коллекторе:

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru .

Сопротивление эмиттерного перехода rэ, определяется:

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru .

Сопротивление коллекторного перехода rк, определяется:

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru .

Коэффициентом обратной связи μэк называется отношение приращения напряжения на эмиттере к приращению напряжения на коллекторе при постоянном токе через эмиттер:

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru .

Для коэффициента передачи α можно записать:

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru ,

где Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru – коэффициент инжекции, или эффективность эмиттера, Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru – коэффициент переноса.

Таким образом, γ – доля полезного дырочного тока в полном токе эмиттера Jэ, а коэффициент κ показывает долю эмиттерного дырочного тока, без рекомбинации дошедшего до коллекторного перехода.

4.3 h – параметры транзистора

При анализе электрических цепей очень часто бывает удобным выделить фрагмент цепи, имеющий две пары зажимов. Поскольку электрические (электронные) цепи очень часто связаны с передачей энергии или обработкой и преобразованием информации, одну пару зажимов обычно называют «входными», а вторую — «выходными». На входные зажимы подаётся исходный сигнал, с выходных снимается преобразованный

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru Рис.4.5 Схема четырехполюсника

Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 4.5).

Поэтому для системы h-параметров в качестве входных параметров задаются ток I1 и напряжение U2, а в качестве выходных параметров рассчитываются ток I2 и напряжение U1, при этом система, описывающая связь входных I1, U2 и выходных I2, U1 параметров, выглядит следующим образом:

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru (4.7)

Значения коэффициентов в уравнении для h-параметров имеют следующий вид:

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе;

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru - выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи;

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru - коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи;

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru - коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе.

Эквивалентная схема четырехполюсника с h-параметрами приведена на рисунке 4.6а, б. Из этой схемы легко увидеть, что режим короткого замыкания на выходе или холостого хода на входе позволяет измерить тот или иной h-параметр.

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой - student2.ru

Рис. 4. 6. Эквивалентная схема четырехполюсника:

Наши рекомендации