КоммерциялыҚ емес акционерлік ҚоҒам

«АЛМАТЫ ЭНЕРГЕТИКА ЖӘНЕ БАЙЛАНЫС УНИВЕРСИТЕТІ»

«Радиотехника және байланыс» факультеті

«Электроника» кафедрасы

КЕЛІСІЛДІ

РТжБФ деканы

________ У.И.Медеуов

«___» __________ 2016

ЕМТИХАН ТЕСТ СҰРАҚТАРЫ

«ЭЛЕКТРОНДЫҚ ЖӘНЕ ӨЛШЕУ ТЕХНИКАСЫНЫҢ НЕГІЗДЕРІ»

пәнінен тестік тапсырмалар

Кафедра меңгерушісі: Копесбаева А.А.

Құрастырушы: Абдрешова С.Б.

Алматы 2016

<question> Егер элементтің кедергісі токтан немесе келтірілген кернеуге байланысты болса, онда мұндай элементтің аталуы:

<variant> сызықты

<variant> сызықты емес

<variant> пассивті

<variant> активті

<variant> түрлендіргіш

<question> электрондардың дрейфті тогының тығыздығы:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> n-p ауысуының КЗО-ғы (кеңістіктік заряд облысы) көлемді зарядтың өрісінің қалыптасуы:

<variant> донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен

<variant> жартылай өткізгіштің кристалдық тор атомдарының жылулық тербелісі бар фазаға қарама-қарсыда тербелетін фонондармен

<variant> зарядтың бос тасымалдаушыларымен

<variant> позитрондармен

<variant> атомдармен іске асады

<question> температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузиясы процесінің өту жылдамдығы:

<variant> өседі

<variant> азаяды

<variant> өзгермейді

<variant> динамикалық түрде өзгереді

<variant> секірісті түрде өзгереді

<question> кремнилік аспаптың құрылымындағы сапфирлі кремний қышқылының (SiO2) қолданысы:

<variant> диэлектрик ретінде

<variant> p-n құрамында

<variant> түйісу алаңының материалы ретінде

<variant> қажетті сұлбалық элементтерді өзара қосу үшін

<variant> өткізетін жол ретінде

<question> диодтың вольт-амперлік сипаттамасы (Шокли теңдеуі):

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> өрнектелмеген р-жартылай өткізгіштің Ферми деңгейі мына жерде орналасады:

<variant> тыйым салынған аймақта, валенттік аймақтың жоғары бөлігіне жақын

<variant> тыйым салынған аймақтың ортасында

<variant> тыйым салынған аймақта, өткізгіштік аймақтың төменгі бөлігінде

<variant> өткізгіштің аймағының ішінде

<variant> валенттік аймақтың ішінде

<question> Сыйымдылық ретінде қолданылатын диод:

<variant> варикап

<variant> түзеткіштік

<variant> Шоттки

<variant> стабилитрон

<variant> туннельдік

<question> p-n ауысуының ВАС суреттеуі, бұл:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant> үздіксіздік теңдеуі

<variant> диффузия коэффициентінің формуласы

<question> жартылай өткізгіштердің тыйым салынған аймағының ені:

<variant> 3 эВ-тен аз, тыйым салынған аймақтың ені ~ 0.3 эВ-те аз жартылай өткізгіштер тар аймақты жартылай өткізгіштер деп аталады

<variant> 3-тен 20 эВ-қа дейін

<variant> жартылай өткізгіште ол болмайды, өйткені валенттік аймақ өткізгіштік аймаққа тұтасады

<variant> қоршаған ортаның температурасына, электрлік пен магниттік өрістердің болуына және сыртқы сәулеленуге байланысты болады

<variant> тыйым салынған аймақты өлшеу мүмкін емес

<question> Жартылай өткізгіштердегі заряд тасымалдаушылардың бағытталған қозғалысының негізгі мүмкін болатын түрлері:

<variant> диффузиялық және дрейфтік

<variant> электрлік және магниттік

<variant> бос және мәжбүрлі

<variant> электрондық және кемтіктік

<variant> жәй және тез

<question> Диффузиялық ұзындық:

<variant> диффузиялық қозғалыс кезіндегі бос жүрістің ұзындығы

<variant> заряд тасымалдаушылардың концентрациясы диффузиялық қозғалыс кезінде 10 есеге азаятын ара қашықтық

<variant> p-n ауысуы мен диод түйісуінің ара қашықтығы

<variant> p-n ауысудың ені

<variant> белгісіз қашықтық

<question> p-n ауысудың кері кернеуінің өсуі (модуль бойынша) кезінде тосқауылдық сыйымдылықтың өзгерісі:

<variant> сызықты заң бойынша азаяды

<variant> экспоненциалды заң бойынша өседі

<variant> квадраттық заң бойынша өседі

<variant> өзгермейді

<variant> сыйымдылықтың басқа түрлеріне түрленеді

<question> аз айнымалы сигнал кезінде p-n ауысудың эквиваленттік сұлбасы:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> туннельдік диодтың вольтамперлік сипаттамасы:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> биполярлық транзистордың активті жұмыс істеу режимінде p-n ауысудың дифференциалдық кедергілері келесі түрде сипатталады:

<variant> эмиттерлік ауысудың кедергісі аз, ал коллекторлық ауысудікі көп

<variant> эмиттерлік ауысудың кедергісі көп, ал коллекторлық ауысудікі аз

<variant> екі ауысудың да кедергілері көп

<variant> екі ауысудың да кедергілері аз

<variant> олардың шамаларынан тәуелсіз эмиттерлік ауысудың кедергісі, коллекторлық ауысудың кедергісінен әрқашан көп

<question> Жартылай өткізгіш аспаптың 1 шықпасының атауы:

<variant> эмиттер

<variant> коллектор

<variant> база

<variant> құйма

<variant> бастау

<variant> тиек

<question> токты беру коэффициенті болып табылатын, h-параметр:

<variant> h₂₁

<variant> h₁₂

<variant> h₁₁

<variant> h₂₂

<variant> h₀₁

<question> ОБ немесе ОЭ қосылу сұлбаларында, токты тура беру коэффициенті жиілікке қатты тәуелді:

<variant> ОЭ қосылу сұлбасында

<variant> ОБ қосылу сұлбасында

<variant> екі сұлбада да бірдей

<variant> бұл температураға байланысты

<variant> бұл жасалу материалына байланысты

<question> h₁₁ көрсеткішінің анықтамасы:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> ОБ сұлбасымен қосылған транзистордың h₂₁ токты беру коэффициентінің анықтамасы:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> өте жақсы жоғары жиілікті қасиеттері бар, дрейфті немесе дрейфсіз транзисторлар:

<variant> дрейфті

<variant> дрейфсіз

<variant> екеуі бірдей

<variant> бұл базаның қалыңдығына байланысты

<variant> бұл жасалу материалына байланысты

<variant> базада электрлік ішкі өрісі болмайтын транзистор

<question> коллекторлық кернеумен базаның қалыңдығын модуляциялау дегеніміз, бұл -

<variant> коллекторлық ауысудың енінің өзгеру салдарынан коллекторлық кернеу өзгерген кезде базаның қалыңдығының өзгерісі

<variant> база шықпасының аймағында коллекторлық кернеудің базаның қалыңдығына әсер етуі

<variant> коллекторлық кернеудің эмиттерлік ауысудың еніне әсер етуіне байланысты базаның қалыңдығының өзгерісі

<variant> коллекторлық кернеудің базадағы жылжымалы заряд тасушылардың шоғырына әсер етуіне байланысты базаның қалыңдығының өзгерісі

<variant> температураның әсер етуіне байланысты базаның қалыңдығының өзгерісі

<question> Биполярлық транзистордың қосылу сұлбалары:

<variant> ОЭ, ОБ, ОК

<variant> ортақ бастаумен

<variant> ортақ тиекпен

<variant> ортақ құймамен

<variant> эмиттерлік қайталағыш

<question> ОЭ сұлбасы бойынша қосылған транзистордың h₂₁ ток беру коэффициентінің анықтамасы:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> ОЭ сұлбасымен қосылған n-p-n текті транзистордың активті режимдегі ауысуларының ығысуы:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> коллекторлық кернеу мен базаның қалыңдығын модуляциялау деп:

<variant> коллекторлық ауысудың енінің өзгеру салдарынан коллекторлық кернеудің өзгеруі кезінде базаның қалыңдығының өзгерісі

<variant> база шықпасының аймағында коллекторлық кернеудің эмиттер қалыңдығына әсері

<variant> эмиттерлік ауысудың еніне коллекторлық кернеудің әсерінен базаның қалыңдығының өзгерісі

<variant> базадағы қозғалмалы заряд тасымалдаушылардың шоғырына коллекторлық кернеудің әсерінен базаның қалыңдығының өзгерісі

<variant> Эберса-Молл эффекті

<question> эмиттер дегеніміз -

<variant> базаға негізгі заряд тасымалдаушылардың инжекциясы болатын транзистор аймағы

<variant> ашық p-n ауысу жағындағы транзистордың аймағы

<variant> базадан негізгі емес заряд тасымалдаушылардың экстракциясы болатын транзистор аймағы

<variant> базаға негізгі емес заряд тасымалдаушылардың инжекциясы болатын транзистор аймағы

<variant> базаға негізгі заряд тасымалдаушылардың экстракциясы болатын транзистор аймағы

<variant> сигналдың күшейуі болатын аймақ

<question> биполярлық транзистордың коллектор тогы пайда болатын заряд тасымалдаушылар:

<variant> база аймағында және коллектор аймағындағы бар негізгі емес заряд тасымалдаушылар

<variant> база аймағындағы негізгі заряд тасымалдаушылар

<variant> коллектор аймағындағы негізгі заряд тасымалдаушылар

<variant> эмиттер аймағындағы негізгі емес заряд тасымалдаушылар

оң иондар

<variant> транзисторда негізгі емес заряд тасымалдаушылар, электрондар, кемтіктер, иондар, позитрондар

<question> кіріс кедергі болып табылатын h – параметр:

<variant> h₁₁

<variant> h₁₂

<variant> h₂₁

<variant> h₂₂

<variant> h₀₂

<question> салынған аспаптың құрылымы бұл:

<variant> биполярлық транзистор

<variant> өрістік транзистор

<variant> бұл екі туннельдік диод

<variant> шығыс аймағында үлкен қуат шашырайтын екі жоғары жиілікті диод

<variant> диффузия және рекомбинация жүретін бұл екі тиристор

<question> өрістік транзистордың кернеуді күшейтуге арналған және қасиеттерін сипаттайтын көрсеткіштері:

<variant> құйма тиектік сипаттаманың тіктігі S (өрістік транзистордың сипаттамасының тіктігі):

<variant> инжекция коэффициенті

<variant> көбейту коэффициенті M = IК/IКp

<variant> токты беру коэффициенті β = K_iэ = α/(1 - α)

<variant> тарату коэффициенті

<variant> диффузия және рекомбинация коэффициенті

<question> Үш электродты жартылай өткізгіш, құрылымы екі электронды-кемтіктік ауысудан тұратын аспап бұл -

<variant> биполярлық транзистор

<variant> өрістік транзистор

<variant> басқарылатын тиристор

<variant> диод

<variant> стабилитрон

<variant> варикап

<question> транзисторды заряд тасымалдаушылармен қамтамасыз ететін электрод, ол:

<variant> эмиттер

<variant> коллектор

<variant> құйма

<variant> бастау

<variant> катод

<variant> тиек

<question> ортақ эмиттермен қосылған биполярлық транзистордың қосылу сұлбасында, сипаттаманы түсіру көрсетілген.

<variant> шығыс сипаттаманы

<variant> кіріс сипаттаманы

<variant> құймалық сипаттаманы

<variant> бастау сипаттамасын

<variant> беріліс сипаттамасын

<question> ортақ эмиттермен қосылған биполярлық транзистордың қосылу сұлбасында сипаттаманы түсіру көрсетілген:

<variant> кіріс сипаттаманы

<variant> шығыс сипаттаманы

<variant> құймалық сипаттаманы

<variant> бастау сипаттамасын

<variant> беріліс сипаттамасын

<question> коллекторлық ауысудың енін эмиттерлік ауысудың еніне қарағанда үлкен етіп жасайды, себебі:

<variant> эмиттерден келген барлық тасымалдаушыларды жинау үшін

<variant> көп иондарды алу үшін

<variant> үлкен сипаттамалар алу үшін

<variant> беріліс сипаттамасының жақсы аралығын көрсету үшін

<variant> АЖС алу үшін

<question> биполярлық транзистордың статикалық сипаттамалары:

<variant> кіріс

<variant> құймалық

<variant> құйма тиектік

<variant> беріліс

<variant> АЖС

<question> биполярлық транзистордың ортақ эмиттермен қосылған сұлбасы үшін h₂₁ көрсеткіші келесі түрде анықталады:

<variant> h₂₁= dI_К/dI_Б, U_КЭ = const болғанда

<variant> h₂₁= dI₁/dU₁, I₂= const болғанда

<variant> h₂₁= dU₁/dI₁, I₁= const болғанда

<variant> h₂₁= dI₂/dU₁, I₂= const болғанда

<variant> кіріс кедергісі

<question> Биполярлық транзистордың базасының енін тар етіп жасайды, себебі:

<variant> минимал база тогын алу үшін

<variant> көп иондарды алу үшін

<variant> үлкен сипаттамалар алу үшін

<variant> беріліс сипаттамасының жақсы аралығын көрсету үшін

<variant> АЖС алу үшін

<question> Құйма мен бастаудың n+ облысын қалыптастыру үшін қолданылатын қоспалар:

<variant> V топтың элементтері

<variant> фосфор, бор

<variant> бор, индий

<variant> сүрме, мышьяк

<variant> алтын, платина

<question> Арнаның ұзындығы:

<variant> n-текті немесе p-текті бастау және құйма облыстарының ара қашықтығы

<variant> эмиттер ұзындығы

<variant> құйма облысының ұзындығы

<variant> қорек шинасының ара қашықтығы

<variant> тиектің ұзындығы

<question> Табалдырықтық кернеу:

<variant> Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан 2 есеге көп кезіндегі кернеу

<variant> Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясына тең кезіндегі кернеу

<variant> Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан аз кезіндегі кернеу

<variant> айрықшаланған тиек тогы көрінетін тиек кернеуі

<variant> бұл қондырылған арналы оқшауланған тиекті транзистор үшін тиек-бастау кернеуі, онда құйма тогы берілген мәнге жетеді

<question> Кедейленген қабат қалыңдығының үлкеюі ... болады:

<variant> тиек пен төсем, құйма мен бастау арасында туындайтын екі электрлік өрістердің бір-біріне әсерінен

<variant> тиектегі кернеудің азаюынан

<variant> тиек пен бастау арасында пайда болатын электрлік өрістің өзара әсерінен

<variant> тиектегі кернеудің өсуінен

<variant> const болып қалатын тиектегі кернеуінен

<question> Бастаудан құймаға дейін арнасы болатын аспаптың жұмыс параметрінің облысы:

<variant> ішкі тиектік облыс

<variant> сызықтық облыс

<variant> қанығу облысы

<variant> басқару облысы

<variant> токсыз облыс

<question> Шартты белгіленулер: индукцияланған n-арналы және бір ауысулы транзистор

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> Өрістік транзистордың тіктігінің анықтамасы:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> Суретте көрсетілген транзистор ... деп аталады

<variant> p-n-ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор

<variant> индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор

<variant> қондырылған n-арналы МДЖ-транзистор

<variant> p-n-ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор

<variant> индукцияланған р -арналы МДЖ-транзистор

<question> суретте көрсетілген транзистордың дұрыс жауабы:

<variant> индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор

<variant> p-n-ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор

<variant> қондырылған n-арналы МДЖ-транзистор

<variant> p-n-ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор

<variant> индукцияланған р -арналы МДЖ-транзистор

<question> суретте көрсетілген транзистор ... деп аталады

<variant> қондырылған p-арналы МДЖ-транзистор

<variant> p-n-ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор

<variant> индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор

<variant> p-n-ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор

<variant> индукцияланған р -арналы МДЖ-транзистор

<question> тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару іске асады -

<variant> базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу арқылы

<variant> эмиттерлердегі кернеуді сақтай отырып, коллектордағы кернеуді өзгерту арқылы

<variant>төрт қабатты құрылымның шеткі аймақтарына токты енгізу арқылы

<variant>эмиттерде токты өзгерту арқылы

<variant>қосылу кернеуінің мәніне дейін жүктемедегі кернеуді жоғарлату арқылы

<question> тиристордың ауысып қосылуын басқаруды қамтамасыз ететін, сұлба:

<variant> бұл р – текті басқару электродына кернеу түсіре отырып, ауыстырып қосу кернеуін реттеуге болатын сұлба

<variant>бұл теріс кернеу полюсі түсірілетін сұлба

<variant>

<variant>

<variant>

<question> тиристорды жабық күйге басқару тогы арқылы жеткізуге болады ма:

<variant>болады, егер басқару электродына теріс импульс берсе

<variant>болады, егер басқару тогын нөлдік мәнге дейін төмендетсе

<variant>жоқ, болмайды

<variant>болады, егер басқару электродына оң импульс берсе

<variant>болады, егер базаны жерге қосса

<question> Тиристор мен симмистордың вольт-амперлік сипаттамасы:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question>Динистордың құрылымының ортаңғы ауысуы жабық, ал шеткі ауысулары ашық болатын кезде, сипаттамадағы аралық:

<variant>ОА

<variant>АВ

<variant>ВС

<variant>ОД

<variant>АС

<question> Динистордың сипаттамасынан теріс дифференциалдық кедергісі бар аралық:

<variant>АВ

<variant>ОА

<variant>ВС

<variant>ОД

<variant>АС

<question> Үш немесе оданда көп р-n-ауысуы бар, вольт-амперлік сипаттамасында теріс дифференциалдық кедергісі бар жартылай өткізгіш аспап бұл -

<variant>тиристор

<variant>өрістік транзистор

<variant>бір ауысулы транзистор

<variant>биполярлық транзистор

<variant>стабилитрон

<question> Бұл аспап екі тұрақты күйде бола алады – жабық немесе ашық, жабық күйінде оның кедергісі үлкен болып, ол аз ғана ток өткізеді, ал ашық күйінде оның кедергісі аз, ал одан ағатын ток үлкен болады, бұл –

<variant>тиристор

<variant>өрістік транзистор

<variant>бір ауысулы транзистор

<variant>биполярлық транзистор

<variant>стабилитрон

<question> Аспапта ауыстырып қосу нүктесінен кейін кернеуді төмендеткен кезде токтың өсуі, dI/dU тең теріс көбейтіндісінің пайда болу себебі:

<variant>теріс дифференциалдық кедергі

<variant>балама индуктивтілік

<variant>паразиттік сыйымдылық

<variant>балама кедергі

<variant>паразиттік индуктивтілік

<question> Атауы грек тілінен (thyra – есік және резистор) алынған, монокристалдағы төрт қабатты құрылымды, екі тұрақты күйі бар, үш немесе одан да көп түзеткіш электронды-кемтіктік ауысуы бар, бір күйден екіншісіне басқару импульсі арқылы ауысып қосыла алатын жартылай өткізгіш аспапты:

<variant>тиристор

<variant>стабилитрон

<variant>транзистор

<variant>варактор

<variant>диод

<question> Аспапта вольтамперлік сипаттамасының кері тармағы бар және ол тура тармағына шағылысқан симметриялы, айландыру жиілігін реттеу үшін қолданылады...

<variant>симмистор

<variant>триодты симметриялы жабылмайтын тиристор

<variant>транзистор

<variant>диод

<variant>варикап

<question> Сигналдық тізбектердің немесе коммутацияның аз тогы бар тізбектердің гальваникалық ағытылуы үшін қолданылатын аспаптар:

<variant>оптрондар

<variant>диодтар

<variant>резисторлар

<variant>конденсаторлар

<variant>транзисторлар

<question> Суретте көрсетілген оптожұп:

<variant>диодтық оптрон

<variant>сәуле шығарғыштағы диод электрлік сигналдың энергиясын жарық энергиясына түрлендіреді

<variant>резистор

<variant>конденсатор

<variant>құрамында сәуле шығарғыш мен фотоқабылдағыш бар аспап

<question> Фотоөткізгіштік әсері, яғни жарық кезінде жартылай өткізгіштің кедергісінің өзгеруінде қолданылатын оптожұп:

<variant>резисторлық оптрон

<variant>диодтық оптрон

<variant>тиристорлық оптрон

<variant>Дарлингтон оптрон

<variant>транзисторлық оптрон

<question> бақылау оптроны бар кернеу тұрақтандырғышы сұлбасында ... орындалады.

<variant>светодиодпен өндірілетін сәулелену қуаты

<variant>түзету сапасы

<variant>көлбеу бұрышының өлшенуі

<variant>сәуле шығарғыштың түрленуі

<variant>фотоқабылдағышты қайта қою

<question> талшықтық жарық өткізгіш, бұл –

<variant>оптикалық мөлдір шыныдан жасалған жіңішке жіп.

<variant>мыс сымдардан жасалған жіптер.

<variant>арнайы шыныдан жасалған жіңішке жіп.

<variant>металдан жасалған жіңішке жіптердің жиынтығы.

<variant>өткізгіш материалдардан жасалған жіңішке жіптердің жиынтығы.

<question> Сәуле шығарғыш диодтың әрекеті ... негізделген.

<variant>ижекциялық электролюминисенция құбылысына

<variant>телефон желілеріне микроэлектрондық құрылғыларды қосуға

<variant>катодолюминисенция құбылысына

<variant>анодолюминисенция құбылысына

<variant>фотобейнелеу құбылысына

<question> Светодиод қоректену көзіне шектеуіш кедергі арқылы ... үшін қосылады.

<variant>жұмыс токты шектеу үшін

<variant>кернеуді шектеу үшін

<variant>жұмыс сипаттамасын тегістеу үшін

<variant>тізбек элементтерін қайта қоюды жасау үшін

<variant>гальваникалық ағытылуды болдырмау үшін

<question> Светодиодтың жарықтық сипаттамасы:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> Кері ығысудың жарықтық ағыны болмаған кезінде фотодиод арқылы токтың жүруі:

<variant>жарық ағыны болмаған кезде фотодиод арқылы ток жүрмейді

<variant>фотодиод арқылы аз кері ток жүреді

<variant>үлкен ток жүреді, өйткені фотодиод кері бағытта қосылған

<variant>оптикалық арна бойынша өлшеуіш аспаптардағы жерлендіру және қоректендіру тізбектері бойынша әсер ететін бөгеуілдердің әсерін азайтады

<variant>тізбек элементтерінің орнын ауыстырады

<question> Диодтық оптронның шартты белгіленуі:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> Резисторлық оптронның шартты белгіленуі:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> Тиристорлық оптожұптарды ... қолданған дұрысырақ.

<variant>үлкен қуатты жоғары вольтты тізбектерден басқарудың логикалық тізбектерінің гальваникалық ағытылуын сақтау үшін

<variant>қысқа тұйықталудан қорғау үшін

<variant>кедергіні азайту үшін

<variant>екінші ретті қоректену көздерін қорғау үшін

<variant>кедергілерді басқару үшін

<question> Оптожұптың қабылдағышы ретінде ... қолданған дұрыс.

<variant>фоторезисторды

<variant>жерлендіру және қоректендіру тізбектерін

<variant>қуатты тиристорды

<variant>азайтушы кедергілерді

<variant>басқарушы кедергіні

<question> Ішкі фотоэффект кезінде болатын жағдайлар:

<variant> зат электрондарының қозуы

<variant> кедергі коэффициентінің өзгерісі

<variant> индуктивтіліктің өзгерісі

<variant> фотокернеудің өзгерісі

<variant> меншікті кедергінің өзгерісі

<question> Суретте бейнеленген, электрлік сигналдарды күшейтуге арналған құрылғы:

<variant> екі p-n ауысуы бар, токты, кернеуді, қуатты күшейтуге арналған аспап

<variant>өрістік транзистор

<variant>диод

<variant>стабилитрон

<variant>тиристор

<question> Күшейткіштердің жіктелуі:

<variant> күшейтілген сигналдардың тегі бойынша

<variant>сигналдың бағыты бойынша

<variant>тұрақтандыру бойынша және қысқа тұйықталу бойынша

<variant>генератордың кернеуін реттеу бойынша

<variant>қолмен және қашықтан реттеу бойынша

<question> Суретте бейнеленген сипаттама:

<variant> АЖС

<variant>ФЖС

<variant>вольт-амперлік сипаттама

<variant>беріліс сипаттамасы

<variant>вольт-фарадтық сипаттама

<question> Кері байланыс (КБ) тізбегі орындайтын функция:

<variant> шығыс кернеудің бір бөлігі күшейткіштің кірісіне қайта оралады

<variant>қоректендіру көзіне әсерін тигізеді

<variant>көптеген басқа аспаптарды қосуға мүмкіншілік береді

<variant>шулар мен бөгеттерді үлкейтеді

<variant>шулар мен бөгеттерді азайтады

<question> Сұлбада салынған ток күшейткіші:

<variant> ортақ эмиттермен қосылған қарапайым күшейткіш каскад

<variant>эмитерлік қайталағыш

<variant>катодтық қайталағыш

<variant>тұрақты ток күшейткіші

<variant>дифференциалдық күшейткіш

<question> ТЖК жоғарғы жиіліктердегі амплитудалы-жиіліктік сипаттамасындағы құлаудың түсіндірмесі:

<variant> сұлбаның төмен кіріс кедергісімен

<variant>транзистордың тосқауылдық сыйымдылығының әсерінен

<variant>транзистордың сипаттамасының сызықсыздығынан

<variant>температураның әсерінен

<variant>күшейткіштің меншікті шуларымен

<question> Бейнеленген күшейткіш:

<variant> ортақ бастаумен қосылған күшейткіш каскад

<variant>операциялық күшейткіш негізіндегі күшейткіш каскад

<variant>биполярлық транзистор негізіндегі күшейткіш каскад

<variant>бір ауысулы транзистор негізіндегі күшейткіш каскад

<variant>тиристор негізіндегі күшейткіш каскад

<question> Егер ТЖК алшақтатқыш сыйымдылықты үлкейтетін болса, амплитудалы жиіліктік сипаттаманың өзгерісі:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> Құрылғыны сипаттайтын көрсеткіштер:

<variant> Кернеу бойынша күшейту коэффициенті

<variant>Токты қуатқа түрлендіретін коэффициент

<variant>Қуат бойынша күшейту коэффициенті

<variant>Дифференциалдық кіріс кедергісі

<variant>Кернеуді токқа түрлендіретін коэффициент

<question> Күшейткіштерден тұратын, автоматты басқару жүйесін талдау және синтездеу үшін қолданылатын формулалардың атаулары:

<variant> ток бойынша күшейту коэффициентінің логарифмдік түрде жазылуы

<variant>күшейту коэффициенттерінің модуль бойынша жазылуы

<variant>күшейту коэффициенттерінің логарифмдік емес түрде жазылуы

<variant>күшейту коэффициенттерінің тригонометриялық түрде жазылуы

<variant>күшейту коэффициенттерінің аралық түрде жазылуы

<question> Сұлбада бейнеленген күшейткіштің атауы:

<variant> бастау тізбегінде ығысу көзі бар күшейткіш каскад

<variant>құйма тізбегінде ығысу көзі бар күшейткіш каскад

<variant>база тізбегінде ығысу көзі бар күшейткіш каскад

<variant>тиек тізбегінде ығысу көзі бар күшейткіш каскад

<variant>эмиттер тізбегінде ығысу көзі бар күшейткіш каскад

<question> ТКБ бар күшейткіштің кіріс кернеуі мен кері байланыс кернеуінің арасындағы фазалық ығысу:

<variant> 180°

<variant>100°

<variant>0°

<variant>270°

<variant>360°

<question> Суретте бейнеленген сұлба:

<variant> эмиттерлік қайталағыш

<variant>ортақ эмиттермен қосылған күшейткіш

<variant>ортақ базамен қосылған сұлба

<variant>ЭСҚ сұлбасы

<variant>коллекторлық термотұрақтандырғышы бар күшейткіш

<question> Егер ЖЖК алшақтатқыш сыйымдылықты үлкейтетін болса, амплитудалы жиіліктік сипаттаманың өзгерісі:

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<variant>

<question> Суретте бейнеленген сұлба:

<variant> екі тактілі қуат күшейткіші

<variant>фазоинверстік каскад

<variant>дифференциалдық күшейткіші

<variant>кернеу деңгейін ығыстыру сұлбасы

<variant>екі каскадты кернеу күшейткіші

<question> Сұлбада диодтардың қолданылуы:

<variant> транзисторлардың жұмыс нүктесін ығыстыруды тудыру үшін

<variant>бөлгіштер ретінде

<variant>ауысып қосылуды тездету үшін

<variant>қиып тастағыштар ретінде

<variant>блоктағыштар ретінде

<question> Қуат күшейткішінің сұлбасындағы С₀ сыйымдылығының атауы:

<variant> алшақтатқыш

<variant>авто ығысуды блоктағыш

<variant>үдеткіш

<variant>интегралдауыш

<variant>дифференциалдауыш

<question> R_к резисторын тұйықтап қойғанда, күшейткіштің күшейту коэффициентінің өзгеруі:

<variant> күшейткіштің күшейту коэффициенті нөлге тең болады

<variant>күшейткіштің күшейту коэффициенті ұлғаяды

<variant>ешқандай көрсеткіштері өзгермейді

<variant>жиілік аумағы үлкейеді

<variant>жиілік аумағы азаяды

<question> Суретте бейнеленген сұлба:

<variant> екі каскадты реостатты кернеу күшейткіші

<variant>екі тактілі кернеу күшейткіші

<variant>дифференциалдық күшейткіш

<variant>RC - генератор

<variant>фазоинверстік каскад

<question> С_а1 және С_а2 сыйымдылықтарын азайтсақ, күшейткіштің күшейту коэффициентінің өзгеруі:

<variant> төменгі жиілік аймақтарында азаяды

<variant>жоғары жиілік аймақтарында үлкейеді

<variant>барлық жиілік аймақтарында өзгермейді

<variant>төменгі жиілік аймақтарында үлкейеді

<variant>жиіліктің барлық өзгеріс аумағында үлкейеді

<question> С_э конденсаторын және R_э резисторын тұйықтаған кезде, күшейткіштің күшейту коэффициентінің өзгерісін суреттеңіз:

<variant> күшейткіштің күшейту коэффициенті үлкейеді

<variant>күшейткіштің күшейту коэффициенті азаяды

<variant>көрсеткіштер өзгермейді

<variant>жиіліктік аумағы үлкейеді

<variant>жиіліктік аумағы азаяды

<question> R₁ шамасын үлкейткенде, сұлбадағы өзгеріс:

<variant> транзистордың жұмыс нүктесінің ығысуы азаяды

<variant>күшейткіштің күшейту коэффициенті үлкейеді

<variant>көрсеткіштер өзгермейді

<variant>транзистордың жұмыс нүктесінің ығысуы үлкейеді

<variant>күшейткіштің күшейту коэффициенті азаяды

<question> R_к шамасын үлкейткенде, күшейткіштің күшейту коэффициентінің өзгерісі:

<variant> үлкейеді

<variant>шексіздікке тең болады

<variant>өзгермейді

<variant>нөлге тең болады

<variant>азаяды

<question> Күшейткіштің негізгі көрсеткіштері:

<variant> күшейту коэффициенті

<variant>шығыс жарықтық

<variant>шығыс сыйымдылық

<variant>шығыс индуктивтілік

<variant>кіріс жарықтық

<question> Дифференциалдық күшейткіштегі синфазалық кернеу

<variant> күшеймейді

<variant>күшеймейді, өйткені транзисторлардың біреуі токсыз, екіншісі қанығу режимінде

<variant>күшейеді, өйткені екі транзистор да қанығу режимінде

<variant>күшейеді

<variant>аз күшейеді

<question> Дифференциалдық күшейткіштің жоғары кіріс кедергісі бар элементтік базасы:

<variant> қондырылған арналы МДЖ – транзисторлары

<variant>p-n ауысуымен басқарылатын өрістік транзистор

<variant>n-p-n текті биполярлық транзистор

<variant>p-n-p-текті биполярлық транзистор

<variant>туннельдік диодтар

<question> Қорек кернеуі Eқ мәндерінің синфазалық кернеудің максималды жіберілетін мәндеріне әсері:

<variant> әсер етпейді

<variant>үлкен Eқ кезінде үлкен синфазалық кернеулер жіберіледі

<variant>аз Eқ кезінде аз синфазалық кернеулер жіберіледі

<variant>үлкен Eқ кезінде аз синфазалық кернеулер жіберіледі

<variant>аз Eқ кезінде үлкен синфазалық кернеулер жіберіледі

<question> Суретте көрсетілген сұлба, бұл -

<variant> дифференциалды күшейткіш

<variant>төменгі жиіліктегі реостатты күшейткіш

<variant>операциялық күшейткіш

<variant>RC - генератор

<variant>фазотерістеуіш каскад

<question> ОК-гі ығысудың шығыс кернеуі:

<variant> U_кір=0 кезінде ОК шығысындағы кернеу

<variant>коллектор және базалық кернеу фазаларының айырымы

<variant>ОК кірісіндегі кернеулер фазасының айырымы

<variant>кіріске қарама-қарсы фазадағы шығыс кернеуі

<variant>шығыс және кіріс кернеулер фазаларының айырымы

<question> ОК теңгерімсіздігінің себептері:

<variant> ОК каскадтарындағы транзистор параметрлерінің бірдей еместігі

<variant>қуатты транзисторларды қолдану

<variant>ығысу каскадының симметриялық еместігі

<variant>кіріс транзисторларының температуралық тұрақсыздығы

<variant>диодтардың қызып кетуі

<question> Теріс кері кернеу ... мүмкіндік береді.

<variant> тура сызықты кесінділі апроксимацияланған қисықты жасауға

<variant>берілген функциялармен сұлбаны жасауға

<variant>сұлба элементтерінің вольтамперлік сипаттамаларын алуға

<variant>светодиод жануы сипаттамасының максимумына жетуге

<variant>бульдік функция минимизациясының диаграммасын алуға

<question> ОК кірісіндегі диодтарды қондыру ... керек.

<variant> ОК-ті кірістегі тесілуден сақтау үшін

<variant>кірістегі кернеуді тіркеу үшін

<variant>ОК жұмысын басқару үшін

<variant>кіріс сигналын дифференциалдау үшін

<variant>жиілік сипаттаманы түзету үшін

<question> ОК аналогтық сұлбалардағы теріс кері байланысты (ТКБ) пайдаланудың себептері:

<variant> күшейтудің динамикалық диапазонын арттыру

<variant>күшейту коэффициентін арттыру

<variant>шығыс сигналының қуатын арттыру

<variant>сұлбаның қорек кернеуін азайту

<variant>синусоидалды тербеліс генераторын құру

<question> ОК синфазалық сигналының әлсіреу коэффициентінің тәуелділігі болады.

<variant> эмиттерлік токтың тұрақтылығынан

<variant>ОК күшейту коэффициентінен