Публикации рубрики - Материаловедение. Страница: 13

Оптическими свойствами материалов называют свойства, характеризующие их способность количественно и качественно изменять световой поток. При воздействии светового потока на материал проявляются такие свойства, как цвет,

Полная деформация (абсолютная), (относительная) - деформация волокна в конце стадии нагружения и ее составляющие: упругаядеформация (абсолютная), (относительная) – быстрообратимая (мгновенно исчезающая) часть полной

ВведениеПри проектировании сооружений и машин инженеру приходится выбирать материал и поперечные размеры для каждого элемента конструкции так, чтобы он вполне надежно, без риска разрушиться или исказить свою форму,

Выведем формулу для определения касательных напряжений и найдем зависимость между углом закручивания и внутренним крутящим моментом. Данная задача применительно к валам круглого сечения может быть решена, если ввести

Сечения плоские до и после деформации, они только поворачиваются относительно некоторой линии, которая называется нейтральной осью балки (НО). При этом волокна балки, лежащие с одной стороны от нейтральной оси будут

Сдвиг – вид сопротивления, при котором стержень нагружен двумя равными силами (на малом расстоянии друг от друга), перпендикулярными к оси бруса и направленными в противоположные стороны. Примером такого действия сил на брус

По этой теории причиной разрушения материала считается наибольшее (из трех главных) нормальное напряжение при этом действие двух других напряжений не учитывается. . (3.12) Данная теория прочности в настоящее время практически не

P В конструкциях и сооружениях большое применение находят детали, являющиеся относительно длинными и тонкими стержнями, у которых один или два размера поперечного сечения малы по сравнению с длиной стержня.

На рис. 3.2 изображена диаграмма растяжения низкоуглеродистой стали (ст.3), записанная с помощью специального устройства на испытательной машине. В начальной стадии нагружения до некоторой точки А диаграмма растяжения

Прежде чем перейти к описанию конкретных методов измерения времени жизни, приведем некоторые соображения, служащие основой такого рода измерений. Пусть имеется полупроводник в виде бруска, длина которого велика по сравнению с

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По

· п/п резисторы · п/п диоды · п/п транзисторы · п/п тиристоры · интегральные микросхемы (ИМС) Полупроводниковые резисторы и диоды – двухэлектродные приборы. Транзисторы – трехэлектродные. Тиристоры – могут быть как двух, так и

ПРИМЕРЫ ЗАДАЧ ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙПО ДИСЦИПЛИНЕ ФИЗИКА 2Модуль 1. электромагнетизм. оптикаЯвление электромагнитной индукции1. Рамка, по которой проходит ток, равномерно вращается в однородном магнитном поле с индукцией 4

МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИДЛЯ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙТЕМА:«Препарирование кариозных полостей под светоотверждаемые композитные материалы. Подготовка кариозной полости к пломбированию» Объем учебных часов – 1 академический час

МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИДЛЯ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙТЕМА:«Композитные пломбировочные материалы. Систематика, состав, свойства, показания к применению» Объем учебных часов – 1 академический час Курс -2 Семестр -4 Алматы, 2012 г.

АПТЕЧКИПеред принятием внимательно прочесть инструкцию! ОБЯЗАТЕЛЬНО! Сложность похода: Дата: Местность: Продолжительность нахождения в горах: Высота: Группа: Удалённость от НП:. Проблема Комментарии Лекарство (действие) /

Прайс-лист на неодимовые магниты, розничные цены.В прайс-листе представлены базовые отпускные цены на неодимовые магниты. Система скидок для постоянных клиентов В нашем магазине предусмотрены следующие скидки:Для всех

i Vitreroer для пломби­рования (ТС-тройного отвер­девания) ЗМ вод­ная 40 сек (фото) А4, В2,ВЗ,С2, С4,paedo, голубой     + + + +     может применяться в геронтостоматологии. Имеет праймер. При соотношении

Для нахождения вольт-амперной характеристики p-n перехода необходимо найти сумму плотностей токов электронов и дырок в любом сечении p-n перехода i=in+ip (12.1) В том случае, когда ширина p-n перехода достаточно мала по сравнению с