Принцип формирования структур микросхем. Электронная вакуумная гигиена
Основные принципы интегральной технологии. Принцип локальности. Принцип послойности. Запыленность воздушной среды. Температура и влажность воздушной среды. Чистота помещений и локальных объемов. Модульные чистые комнаты.
Вода, газы и газовые среды, применяемые в производстве ИМС
Необходимость использования чистой воды, газа и газовых смесей. Чистота оборудования, помещения и личная гигиена работающих.
Требования к технологическим процессам. Требования к условиям производства микроэлектронных устройств
Надежность. Экономичность. Безопасность. Технологичность. Необходимость разработки конструкторской и технологической документации.
Подготовка слитков и резка их на пластины
Ориентация слитков. Формирование базового среза. Резка слитков на пластины.
Механическая обработка пластин. Абразивные материалы и инструменты
Необходимость и суть механической обработки пластин. Абразивные материалы и инструменты, применяемые при шлифовке и полировке пластин.
Шлифовка и снятие фаски, полировка пластин
Шлифовка пластин. Полировка пластин. Снятие фаски. Методы и технология
9Контроль качества пластин и подложек после механической обработки
Измерение геометрических размеров пластин после механической обработки. Контроль качества поверхности пластин. Измерение высоты микронеровностей на пластине.
10Очистка пластин. Методы и средства
Классификация загрязнений и методов очистки. Обезжиривание погружением, струей и т.д. Методы контроля чистоты поверхности пластин.
11Химическая обработка и очистка поверхности пластин. Интенсификация процессов очистки
Обезжиривание в растворителях, обезжиривание в парах растворителя, обезжиривание в моющих порошках, в щелочах, в пероксидно-аммиачных растворах. Ультразвуковое обезжиривание, гидромеханическая отмывка, отмывка струей, кипячение и т.д.
Травление пластин
Кинетика травления кремния. Селективное и полирующее травление. Зависимость скорости травления от свойств используемых материалов.
13Сухая очистка. Газовые разряды при низком давлении
Коэффициент распыления. Отличительные особенности травления. Ионно-лучевое травление.
14Методы плазменного травления
Физика процесса ионного травления. Эффективность распыления поверхности. Травление в диодных и триодных камерах. Особенности их конструкций, достоинства и недостатки.
15Ионно-плазменное и ионно-лучевое травление.
Реактивные методы плазменного травления: ионно-лучевое и ионно-плазменное травление. Плазменное травление с применением газосодержащих смесей.
16Плазмохимическое травление, реактивное ионное травление
Плазменное травление. Радикальное плазмохимическое травление. Реактивное ионно-плазменное травление и ионно-лучевое травление Анизотропия и селективность травления.
17Факторы, определяющие скорость и селективность травления
Энергия и угол падения ионов. Состав рабочего газа. Давление, плотность мощности и частота. Скорость потока. Температура обрабатываемой поверхности.
18Контроль качества пластин и подложек
Контроль поверхности пластин. Контроль качества очистки поверхности (метод светящихся точек, метод капли, трибометрический метод, косвенный метод).
19Фотолитография. Фоторезисты. Операции фотолитографии
Активные резисты. Фотохимические процессы, происходящие в фоторезисте при облучении негативных и позитивных фоторезистов. Особенности операций получения рисунка на фоторезистивной пленке.
20Технология проведения фотолитографических операций
Методы и суть операции фотолитографии. Режимы обработки фоторезистивной пленки и необходимость точного их соблюдения.
21Бесконтактная фотолитография. Ограничения контактной фотолитографии. Проекционная фотолитография
Фотолитография на микрозазоре. Проекционная фотолитография с передачей изображения 1:1 и с уменьшением изображения. Физические и технические ограничения контактной фотолитографии.
22Термовакуумное напыление
Образование пара вещества. Распространение пара от источника к подложкам. Конденсация пара на поверхности подложки. Образование тонкой пленки. Техника термовакуумного напыления. Достоинства и недостатки метода.