Кинетика высокотемпературного

Окисления кремния

Окисление поверхности кремния принято осуществлять с помощью следующих химических реакций:

Кинетика высокотемпературного - student2.ru ,

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

при температуре в интервале 900...1200 °C. Окисление может производиться в сухом кислороде по первой реакции, в парах воды – по второй реакции, либо во влажном кислороде – с использованием обеих реакций. Наиболее качественные пленки получаются при окислении в сухом кислороде, тогда как окисление в парах воды обеспечивает наибольшую скорость формирования пленки. Часто применяется комбинированное окисление: сначала в сухом кислороде формируется совершенная граница раздела с минимальной плотностью поверхностных состояний, затем в увлажненном кислороде толщина пленки доводится до требуемого значения. Возможно уплотнение полученной таким образом пленки при окислении на заключительной стадии в сухом кислороде.

Схематически процесс окисления изображен на рис. 2. Собственно окисление происходит на внутренней границе Кинетика высокотемпературного - student2.ru . В процессе можно выделить три основные стадии, протекающие последовательно.

1. Диффузионный перенос частиц окислителя из объема газовой фазы на внешнюю поверхность Кинетика высокотемпературного - student2.ru и растворение окислителя в приповерхностном слое диоксида кремния.

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Рис. 2. Распределение молекул окислителя

в газовой фазе и в растущем слое SiO2

в процессе окисления кремния

2. Диффузионный перенос частиц окислителя через пленку Кинетика высокотемпературного - student2.ru
к границе раздела диоксид–кремний.

3. Химическая реакция на границе раздела с кремнием, приводящая к образованию Кинетика высокотемпературного - student2.ru .

Введем обозначения: Кинетика высокотемпературного - student2.ru – поток окислителя, определяемый как количество молекул окислителя, пересекающих единичную площадь одной из границ раздела фаз в единицу времени; Кинетика высокотемпературного - student2.ru – концентрация молекул окислителя на одной из границ раздела системы Кинетика высокотемпературного - student2.ru , Кинетика высокотемпературного - student2.ru – толщина слоя диоксида. Трем стадиям процесса окисления соответствуют потоки Кинетика высокотемпературного - student2.ru , которые в стационарных условиях должны быть равными

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

В промышленных условиях для процесса термического окисления кремния используется принудительный поток окислителя, проходящий через рабочую камеру с определенной скоростью. Внутри газовой фазы концентрация молекул окислителя соответствует парциальному давлению Кинетика высокотемпературного - student2.ru В процессе роста Кинетика высокотемпературного - student2.ru происходит непрерывное растворение молекул окислителя в окисле, сопровождающееся обеднением приповерхностной области газа этими молекулами. По этой причине концентрация молекул окислителя на границе раздела фаз при Кинетика высокотемпературного - student2.ru всегда меньше, чем в объеме газовой фазы. В приповерхностном диффузионном слое толщиной Кинетика высокотемпературного - student2.ru возникает градиент концентрации молекул окислителя, который создает диффузионный поток окислителя по направлению к границе, определяемый выражением Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Кинетика высокотемпературного - student2.ru ,

где Кинетика высокотемпературного - student2.ru – константа скорости газообразного массопереноса окислителя; Кинетика высокотемпературного - student2.ru – коэффициент диффузии окислителя в газовой фазе; Кинетика высокотемпературного - student2.ru и Кинетика высокотемпературного - student2.ru – равновесная концентрация окислителя в объеме газовой фазы и концентрация окислителя в газовой фазе у поверхности оксида соответственно. В случае ламинарного потока окислителя можно принять, что Кинетика высокотемпературного - student2.ru где Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Окислитель, адсорбированный поверхностью оксида, растворяется в Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Соотношение между концентрациями окислителя в газовой Кинетика высокотемпературного - student2.ru и твердой Кинетика высокотемпературного - student2.ru фазах устанавливается коэффициентом распределения. Движущей силой процесса растворения является градиент концентраций, поэтому может быть введен соответствующий ему поток растворителя

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

равный Кинетика высокотемпературного - student2.ru , однако, поскольку процесс растворения не был выделен в отдельную стадию, а включен в первую, необходимо поток Кинетика высокотемпературного - student2.ru выразить через Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Процесс растворения подчиняется закону Генри. Поэтому

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

где Кинетика высокотемпературного - student2.ru – коэффициент растворимости молекул окислителя в диоксиде кремния; Кинетика высокотемпературного - student2.ru – парциальное давление окислителя при Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Очевидно, что должно быть верным и уравнение

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Введенная формально величина Кинетика высокотемпературного - student2.ru определяет концентрацию растворенных в Кинетика высокотемпературного - student2.ru молекул окислителя, если в законе Генри вместо давления Кинетика высокотемпературного - student2.ru подставить Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Тогда

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

где Кинетика высокотемпературного - student2.ru – коэффициент массопереноса молекул окис-лителя в газовой фазе, приведенный к твердой фазе.

В стационарном режиме производная по времени в диффузионном уравнении равна нулю. Следовательно, и Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Тогда концентрация окислителя линейно зависит от Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Диффузионный поток окислителя от поверхности диоксида к границе раздела диоксид–кремний

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

где Кинетика высокотемпературного - student2.ru – концентрация молекул окислителя на границе раздела диоксид–кремний; Кинетика высокотемпературного - student2.ru – коэффициент диффузии окислителя в Кинетика высокотемпературного - student2.ru .

Химический поток Кинетика высокотемпературного - student2.ru следует понимать как убыль молекул окислителя вследствие их превращения в молекулы Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Скорость реакции окисления пропорциональна концентрации окислителя, поэтому

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

где Кинетика высокотемпературного - student2.ru – константа скорости реакции окисления.

В стационарном режиме окисления концентрации не зависят от времени и все потоки равны Кинетика высокотемпературного - student2.ru :

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Решение этой системы относительно неизвестных Кинетика высокотемпературного - student2.ru и Кинетика высокотемпературного - student2.ru дает

Кинетика высокотемпературного - student2.ru ,

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Скорость роста слоя Кинетика высокотемпературного - student2.ru определяется величиной химического потока Кинетика высокотемпературного - student2.ru . За время Кинетика высокотемпературного - student2.ru на единицу площади поверхности кремния посту-пает количество молекул окислителя, равное Кинетика высокотемпературного - student2.ru В результате этого толщина слоя Кинетика высокотемпературного - student2.ru увеличивается на величину, поэтому

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

где Кинетика высокотемпературного - student2.ru – число молекул окислителя, необходимое для формирования единицы объема Кинетика высокотемпературного - student2.ru . В единице объема диоксида кремния содержится Кинетика высокотемпературного - student2.ru молекул Кинетика высокотемпературного - student2.ru , где Кинетика высокотемпературного - student2.ru г/см Кинетика высокотемпературного - student2.ru – массовая плотность Кинетика высокотемпературного - student2.ru , Кинетика высокотемпературного - student2.ru г/моль – молярная масса Кинетика высокотемпературного - student2.ru , Кинетика высокотемпературного - student2.ru моль Кинетика высокотемпературного - student2.ru – число Авогадро. Приведенные значения дают Кинетика высокотемпературного - student2.ru см Кинетика высокотемпературного - student2.ru , тогда Кинетика высокотемпературного - student2.ru см Кинетика высокотемпературного - student2.ru для окисления в сухом кислороде и Кинетика высокотемпературного - student2.ru см Кинетика высокотемпературного - student2.ru для окисления в парах воды.

Дифференциальное уравнение для нахождения Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

После разделения переменных и интегрирования с граничным условием Кинетика высокотемпературного - student2.ru получаем

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

где Кинетика высокотемпературного - student2.ru и Кинетика высокотемпературного - student2.ru .

Это уравнение имеет единственный неотрицательный корень

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Проведем анализ данного решения для двух частных случаев.

1. Начальная стадия роста, когда Кинетика высокотемпературного - student2.ru а Кинетика высокотемпературного - student2.ru Воспользуемся соотношением Кинетика высокотемпературного - student2.ru при Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Тогда

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Этой стадии соответствует линейный по времени закон роста.

Кинетика высокотемпературного - student2.ru .

Обычно Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Это означает, что лимитирующей стадией, ограничивающей скорость роста диоксида, является химическая реакция, и процесс окисления протекает в кинетической области. В этом случае константа линейного роста Кинетика высокотемпературного - student2.ru пропорциональна парциальному давлению Кинетика высокотемпературного - student2.ru окислителя в газовой фазе, коэффициенту растворимости Кинетика высокотемпературного - student2.ru молекул окислителя в диоксиде кремния и не зависит от коэффициента диффузии Кинетика высокотемпературного - student2.ru :

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Таким образом,

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Отметим, что скорость роста линейно возрастает с увеличением давления окислителя. С увеличением температуры молекулярная растворимость газов, как правило, падает по экспоненциальному закону, однако этот спад компенсируется увеличением константы скорости реакции Кинетика высокотемпературного - student2.ru и константа скорости линейного роста Кинетика высокотемпературного - student2.ru с ростом температуры всегда увеличивается.

На поверхности кремния всегда присутствует естественный окисел толщиной Кинетика высокотемпературного - student2.ru 3...5 нм. Для учета этого окисла необходимо изменить граничное условие Кинетика высокотемпературного - student2.ru . В этом случае решение дифференциального уравнения для начальной стадии роста имеет вид Кинетика высокотемпературного - student2.ru , где Кинетика высокотемпературного - student2.ru Влияние этого параметра заметно только в начальный момент окисления.

2. Конечная стадия роста, когда Кинетика высокотемпературного - student2.ru а Кинетика высокотемпературного - student2.ru В этом случае

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

где Кинетика высокотемпературного - student2.ru – коэффициент проницаемости диоксида кремния молекулами окислителя; Кинетика высокотемпературного - student2.ru – коэффициент растворимости молекул окислителя в диоксиде кремния; Кинетика высокотемпературного - student2.ru – коэффициент диффузии окислителя в Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Поскольку

Кинетика высокотемпературного - student2.ru ,

рост на данной стадии называется параболическим.

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Кинетика высокотемпературного - student2.ru

Рис. 3. Зависимость толщины пленки диоксидаот времени
Температурная зависимость Кинетика высокотемпературного - student2.ru определяет влияние температуры на процесс параболического роста Кинетика высокотемпературного - student2.ru . Как и Кинетика высокотемпературного - student2.ru , с ростом температуры Кинетика высокотемпературного - student2.ru всегда увеличивается. Константа параболического роста не включает константу скорости химической реакции, поэтому процесс роста на конечной стадии протекает в диффузионной области. Лимитирующей стадией является процесс массопереноса через слой Кинетика высокотемпературного - student2.ru . С увеличением парциального давления Кинетика высокотемпературного - student2.ru константа Кинетика высокотемпературного - student2.ru возрастает как Кинетика высокотемпературного - student2.ru .

Зависимость толщины пленки диоксида от времени представлена графически на рис. 3. Область I соответствует кинетическому режиму окисления, область II – диффузионному, область III – диффузионно-кинетическому. В последнем случае скорости диффузионного массопереноса и химической реакции сравнимы.

Наши рекомендации