Применяемые на предприятии технологические процессы

Для изготовления кристаллов микросхем, оптопар и оптореле используется планарная технология. Последовательность выполнения операций по изготовлению кристаллов представлена в таблице 1.

Таблица 1- Технологический процесс изготовления кристаллов микросхем с приемкой «5»

Наименование процесса	Метод выполнения	Параметры микроклимата
Класс чистоты на рабочем месте	Темпера-тура, ⁰С	Относи-тельная влажно-сть, %
Химическая обработка пластин	Травление		22±2	50±10
Формирование диэлектрического слоя	Термическое окисление		22±2	50±10
1 фотолитография (нанесе-ние фоторезиста, совмеще-ние, проявление, снятие фоторезита, травление )	Контактная		22±1	45±5
Разделительная диффузия бора	Нанесение БСС, загонка бора, рас-кисление БСС, разгонка бора		22±2	50±10
Химическая отмывка пластин			22±2	50±10
2 фотолитография			22±1	45±5
Формирование глубокого коллектора	Диффузия фосфо-ра, снятие ФС, разгонка фосфора		22±2	50±10
3 фотолитография			22±1	45±5
Формирование базовых областей	Ионное легирова-ние фосфором		22±2	50±10

Продолжение таблицы 1

Наименование процесса	Метод выполнения	Параметры микроклимата
Класс чистоты на рабочем месте	Темпера-тура, ⁰С	Относи-тельная влажно-сть, %
Формирование эмиттерных областей	Диффузия фосфора		22±2	50±10
5 фотолитография под контакты			22±1	45±5
Металлизация контактов	Вакуумное напыление алюминия		22±2	50±10
6 фотолитография по алюминию			22±1	45±5
Вжигание алюминия	Термическая обработка		22±2	50±10
Создание защитного слоя ФСС	Осаждение пленки ФСС		22±2	50±10
7 фотолитография для вскрытия контактов			22±1	45±5
Прецизионная шлифовка пластин			22±2	50±10
Гидромеханическая отмывка			22±2	50±10
Контроль электрических параметров тестовых элементов пластин	Снятие ВАХ на Л2-52		22±2	50±10
Измерение электрических параметров кристаллов на пластине	Рассортировка на годные и брак на измерительном комплексе		22±2	50±10
Контроль внешнего вида кристаллов на пластине	Выборочно под микроскопом при 100^х		22±2	50±10

После того, как процесс изготовления кристаллов закончен, пластины переходят на следующий этап производства. Последовательность выпол-нения операций по изготовлению микросхем представлена в таблице 2.

Таблица 2- Технологический процесс изготовления микросхем с приемкой «5»

Наименование процесса	Метод выполнения	Параметры микроклимата
Класс чистоты на рабочем месте	Темпера-тура, ⁰С	Относи-тельная влажно-сть, %
Разделение пластин на кристаллы	Дисковая резка с последующей лом-кой и растяжкой		22±2	50±10
Контроль внешнего вида кристаллов	Под микроскопом при 100^х		22±2	50±10
Посадка кристаллов в корпус	Наклейка		22±2	50±10
Присоединение проволочных выводов (Al и Au)	Ультразвуковая или термокомпрес-сионная, или контактная сварка		22±2	50±10
Контроль прочности сварных соединений (выборочно)	Приложение фиксированной нагрузки (для Au) или до полного разрушения сое-динения (для Al)		22±2	50±10
Заливка (защита) компаундами	Дозированное нанесение с после-дующей сушкой		22±2	50±10
Герметизация	Контактная шовная сварка в контроли-руемой азотной среде		22±2	50±10

Продолжение Таблицы 2

Наименование процесса	Метод выполнения	Параметры микроклимата
Класс чистоты на рабочем месте	Темпера-тура, ⁰С	Относи-тельная влажно-сть, %
Термовыдержка Термоциклированние	Выдержка в камере при повышенной температуре (или пониженной) без электрической нагрузки		22±2	50±10
Испытание на воздействие линейного ускорения	Приложение к микросхемам центростремительного ускорения на центрифуге		22±2	50±10
Измерение электрических параметров изделий	Сортировка на годные и брак на измерительном комплексе		22±2	50±10
Проверка герметичности	Электронно-захват-ное течеискание на микросхемах, оп-рессованных элега-зом		22±2	50±10
Маркирование	Офсетная печать		22±2	50±10
Контроль внешнего вида готовых изделий	Визуальный осмотр		22±2	50±10
Упаковка	Антистатическая индивидуальная укладка и группо-вая упаковка в картонную коробку		22±2	50±10

6 Индивидуальное задание по производственной практике

студента группы 31-В Сорока Владимира Владимировича

1 Тема задания : Изучение техпроцесса контроля герметичности микросхем и разработка технологической документации.

2 Срок сдачи студентом отчёта «25» августа 2012г.

3 Исходные данные : Методика контроля герметичности ИЭТ с помощью электронно-захватного течеискателя 13ТЭ-9-001.

4 Содержание отчёта :

А) Назначение

Методика предназначена для контроля герметичностим ИЭТ методом электронно-захватного течеискания.

Б) Общие положения

Метод 401-8 – проверка герметичности микросхем путем обнаружения утечки введенного в них элегаза или содержащегося в них воздуха, регистрируемой электронно-захватным течеискателем в едином цикле испытаний (малые, средние и большие течи).

Принцип работы электронно-захватного течеискателя заключается в непрерывном засасывании воздуха щупом, который перемещается оператором над поверхностью корпуса ИЭТ, пропускании этого воздуха через детектор и регистрации детектором наличия в воздухе примесей пробного газа (элегаза). Определение местоположения течи и оценки ее величины осуществляется по изменению амплитуды сигнала детектора.

В) Аппаратура, материалы

Течеискатель электронно-захватный 13ТЭ-9-001, включающий в себя преобразователь электронно-захватный ПЭ-1 и блок измерительный БИТЭ-1.

Камера опресовки.

Камера измерительная.

Азот технический (сорт не ниже первого) или особой чистоты, ГОСТ 9293-74.

Аргон (любого сорта), ГОСТ 10157-79.

Элегаз (гексафторид серы SF6) или другой электроотрицательный газ, в т.ч. атмосферный воздух.

Г) Подготовка и проведение контроля

Промыть изделие в деионизованной воде и просушить на воздухе или в сушильном шкафу.

Поместить изделие в камеру опрессовки, откачать камеру до давления не более 100 Па, заполнить ее элегазом и опрессовать изделие.

Руководитель практики от предприятия:

_____________ « » __________ 2012 г.