3.1. Снять и построить характеристики биполярного транзистора КТ603А проводимости n–p–n, включенного по схеме с ОЭ. Для этого собрать на стенде с помощью перемычек схему для исследования транзистора (рис.1.11) и включить источники питания цепи базы U1 и коллекторной цепи U2 положительной полярности.
3.1.1. Входные характеристики Iб = f (Uбэ) снять при двух значениях коллекторного напряжения Uкэ = const (табл. 1.1).
Таблица 1.1
Установка тока базы Iб производится регулятором напряжения R1, а измерение этого тока осуществляется методом измерения падения напряжения. Для этого на резисторе R3 = 10 кОм, включенном в цепь базы, измеряется внешним вольтметром падение напряжения DU, а затем значение тока Iб определяется по формуле
Iб = = 0,1DU (мкА),
где DU – показания вольтметра (мВ).
Рис. 1.11. Схема для исследования БТ
После установки Iб один провод вольтметра из гнезда источника питания U1 переключается на общий провод (эмиттер) и измеряется напряжение Uбэ. Коллекторное напряжение Uк устанавливается регулятором R2 и измеряется внешним вольтметром.
По экспериментальным данным определить входное сопротивление транзистора по постоянному току rвх= и по переменному току rвх~ = h11 при Iб = 60 мкА, Uкэ = 4 В.
3.1.2. Выходные характеристики Iк = f (Uкэ) снять при трех значениях тока базы Iб (табл. 1.2).
Измерение напряжения Uкэ и тока Iб производится с помощью внешнего вольтметра, а коллекторного тока Iк – встроенным миллиамперметром (шкала 0 – 10 мА).
По подученным данным определить выходную проводимость транзистора gвых= и gвых~ = h22 при Uкэ = 4 В, Iб = 75 мкА.
Таблица 1.2
| Uкэ, В | | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | | | | Iб, мкА |
| Iк, мА | | | | | | | | | |
| | | | | | | | | |
| | | | | | | | | |
3.1.3. Статическая токовая характеристика Iк = f (Iб) снимается при Uкэ=4В (табл. 1.3).
Таблица 1.3
Ток базы Iб изменять таким образом, чтобы фиксировать коллекторный ток Iк через 1мА по встроенному миллиамперметру.
По полученным данным определить коэффициент передачи тока b = h21 = DIк/DIб, занести результаты в табл. 1.3 и построить график b = f (Iк).
3.2. Снять и построить характеристики полевого транзистора КП103М с каналом p–типа. Для этого собрать с помощью перемычек схему измерений и включить источники положительного напряжения затвора U1 и отрицательного напряжения стока U2. Включить отрицательную полярность напряжения U2 питания и миллиамперметра (рис. 1.12).
3.2.1. Выходные характеристики Iс = f(Uси) снять при трех значениях напряжения на затворе Uзи = const (табл. 1.4).
Напряжение стока Uси и затвора Uзи измерять внешним вольтметром, а ток стока Iс – внешним миллиамперметром.
3.2.2. Статическая сток-затворная характеристика Iс = f (Uз) снимается при двух значениях напряжения стока Uси = const (табл. 1.5).
По полученным данным определить параметры полевого транзистора: крутизну характеристики, при Uзи = 0, начальный ток стока Iс.нач. при Uзи = 0 и напряжение отсечки Uз.отс.
Рис. 1.12. Схема для исследования ПТ
Таблица 1.4
| Uси, В | | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | | | | | | Uзи, В |
| Ic, мА | | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | | | | |
Таблица 1.5
| Uзи, В | | 0,5 | | 1,5 | | 2,5 | | 3,5 | | 4,5 | Uси, В |
| Ic, мА | | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | | | | |
3.3. Исследовать режим работы тринистора КУ101Е при открывании по управляющему электроду. Для этого собрать схему измерений и включить источники управляющего напряжения U1 и анодного напряжения U2 положительной полярности (рис. 1.13).
3.3.1. Определить отпирающий ток управляющего электрода Iу. от тринистора. Для этого установить регулятором напряжения R2 на аноде тринистора Uа = 8 В при отсутствии управляющего сигнала (U1 = 0).
Рис. 1.13. Схема для измерения параметров тринистора
Постепенно увеличивать напряжение на управляющем электроде Uy
регулятором R1 до отпирания тринистора в момент резкого увеличения анодного тока Iа, который регистрируется по миллиамперметру. Зафиксировать при этом отпирающий ток Iу.от, для чего измерить внешним вольтметром падение напряжения DU на резисторе R3 = 10 кОм и затем использовать формулу
Iу.от = = 0,1DU (мкА), где DU – мВ.
Измерить также внешним вольтметром отпирающее напряжение на управляющем электроде Uу.от и напряжение на аноде открытого тринистора Uотк = Uпр относительно катода.
3.3.2. Убедиться, что тринистор остается открытым после снятия управляющего сигнала, для чего выключить источник напряжения U1. Закрыть тринистор по аноду, выключив и включив источник напряжения U2. Состояние тринистора регистрировать по миллиамперметру.
Содержание отчета
1. Экспериментальные таблицы – 5 шт.
2. Графики входных и выходных характеристик биполярного транзистора.
3. График зависимости коэффициента передачи биполярного транзистора по току от тока коллектора.
4. Определение параметров БТ: rвх=, rвх~, gвых=, gвых~.
5. Сток-затворная и входная характеристики полевого транзистора.
6. Определение параметров ПТ: S, Iс. нач, Uотс.
7. Значения параметров включения тиристора: Uу. от, Iу. от, Uотк.
8. Исследуемые схемы – 3 шт.
5. Контрольные вопросы
1. Какой вид имеют входные характеристики германиевого и кремниевого биполярного транзисторов?
2. Как определяется и от чего зависит входное сопротивление транзистора, что оно означает на графике входной характеристики?
3. Какой вид имеют выходные характеристики транзистора?
4. Как определяется выходная проводимость транзистора?
5. Как определяется коэффициент передачи тока и от чего он зависит?
6. Перечислить предельные параметры биполярного транзистора.
7. Какой вид имеют сток-затворные характеристики полевого транзистора с каналом p-типа и n-типа?
8. Перечислить основные параметры полевого транзистора.
9. Как отличаются входные сопротивления полевого и биполярного транзисторов?
10. Перечислить основные параметры тиристора, в том числе предельные.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2
