Инвертор с токостабилизирующей нагрузкой
+UП Т1 Т2 Uвых Uвх |
Нагрузкой служит транзистор Т1 со встроенным каналом того же типа проводимости, что и у активного транзистора Т2 с индуцированным каналом. Затвор Т1 может быть подключен как к собственному истоку (Uзи =0), так и к дополнительному источнику напряжения. Транзистор Т1 всегда открыт и ведет себя как генератор тока, т.е. Rн = ¥. Если при и Т2 открывается, то оба транзистора работают в режиме генераторов тока, что вызывает неопределенное состояние выхода, которое проявляется в крутом переходном участке передаточной характеристики. Этот инвертор обладает наилучшей, по сравнению с другими схемами, характеристикой
Инвертор на комплементарных МДП–транзисторах
+UП Т1 Т2 Uвых Uвх |
Uвых Iс Uвых Ic 0 Uпор Uвх |
Схема содержит МДП–транзисторы с индуцированными каналами n– и p–типа (схема КМДП). Подложки обоих транзисторов соединены с собственными истоками, что предотвращает отпирание изолирующих переходов канал–подложка. Входной сигнал подается на оба затвора и, таким образом, управляет обоими транзисторами.
Обычно . При низком входном напряжении Uвх < Uзи.пор.2 Т2 закрыт, а Т1 открыт, и выходное напряжение практически равно напряжению питания: . При достаточно высоком входном напряжении, когда Uвх > Uзи.пор.2 и в тоже время UП–Uвх <ïUзи.пор.1ï, транзистор Т1 закрыт, а Т2 открыт. При этом выходное напряжение имеет уровень, близкий к нулю. Если же Uвх находится в пределах:
Uзи.пор.2 < Uвх < UП –êUзи.пор.1 ê,
то оба транзистора открыты, и на передаточной характеристике формируется крутой переходный участок.
Характерно, что в инверторах на КМДП–транзисторах логические уровни выходного напряжения не зависят от сопротивлений каналов. В обоих статических состояниях отсутствует сквозной ток. При переключениях же инвертора возникают импульсы тока, которые ускоряют перезаряд емкости нагрузки. Схемы КМДП–типа получили широкое распространение ввиду:
· малой мощности потребления: нВт в статическом режиме и мВт при переключениях;
· высокой помехоустойчивости: допустимая амплитуда помехи до 45% от напряжения питания;
· способности работать в широком диапазоне напряжений питания – от 3 до 15В;
· сравнительно высокого быстродействия – до 10 МГц.
С применением вместо кремния сапфировой подложки с меньшей диэлектрической проницаемостью достигается еще большее быстродействие и более высокая плотность компоновки.