Порядок выполнения работы. Установка для нахождения зависимости R(T) металла и полупроводника представлена на рис
Установка для нахождения зависимости R(T) металла и полупроводника представлена на рис. 5 (а, б). На рис. 5а в муфельную печь помещена медная проволока, а на рис. 5б – полупроводник.
1. Ознакомиться с устройством прибора универсального вольтметра В7-16А.
2. Измерить исследуемые сопротивления металла и полупроводника при комнатной температуре (tкомн = t1).
3. Включить электронагреватель и измерить сопротивления при температуре t2 = t1 + 100C.
4. Продолжить измерения при температурах t3, t4, t5 и т.д. (вплоть до температуры 60 – 650С).
5. Результаты эксперимента представить в виде таблицы для металла и полупроводника.
6. Построить график зависимости Ri = f(ti0C) для металла, определить температурный коэффициент α.
7. Построить график зависимости Ri = f(Ti) в координатах (1/T, lnRi) для полупроводника и по графику определить ширину запрещенной зоны ΔЕ0 .
Контрольные вопросы
1. Что такое удельное сопротивление (или удельная электропроводность) вещества?
2. Чем определяется величина удельного сопротивления материала?
3. Чем объясняется наличие остаточного сопротивления у металла?
4. Что такое сверхпроводимость?
5. Почему при действии на сверхпроводник магнитного поля сверхпроводящее состояние нарушается?
6. Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?
7. Как создается проводимость в прямом и обратном направлении в полупроводнике?
Литература
1. И.В.Савельев. Курс общей физики: В 5 кн.: Кн. 2: Электричество и магнетизм: Учебное пособие для вузов. Изд. АСТ, Астрель, , 2008. - 336 с.
2. Д.В.Сивухин. Общий курс физики. Т.III: Учеб. пособие.- М: Физматлит, 2004.- 656 с.
2. А.Н. Матвеев.- Электричество и магнетизм: учеб. Пособие для студентов вузов.- М: ОНИКС 21 век: Мир и образование, 2005. – 464 с.