Расчет маломощного умножителя частоты с общим эмиттером

Исходные данные.

1. Выходная мощность .

2. Коэффициент умножения .

3. Угол отсечки коллекторного тока .

4. Частота сигнала на входе умножителя .

5. Параметры транзистора (см. банк данных в программе расчета).

ПОРЯДОК РАСЧЕТА УМНОЖИТЕЛЯ

1. Угол отсечки тока коллектора при умножении на 2 выбирается равным , а при умножении на 3 принимается .

2. Коэффициенты гармоник: ₀, ₁, _n , ₀, ₁, _n и коэффициенты формы тока g_n= _n / ₀ = _n/ ₀вычисляются по формуле (4.1) разд. 4 или таблицам [1].

3. Режим работы выбираем критическим. Коэффициент использования транзистора по напряжению источника питания

,

где - граничная частота транзисторов в схеме с ОЭ; - активная емкость коллекторного перехода; - крутизна линии критического режима; - напряжение источника питания.

4. Напряжение n-й гармоники на коллекторе .

5. Амплитуда n-й гармоники тока коллектора .

6. Максимальное сопротивление нагрузки .

7. Сопротивление нагрузки умножителя

Если условие не выполняется, то необходимо принять

8. Амплитуда импульса тока коллектора

9. Постоянная составляющая коллекторного тока

.

10. Амплитуда первой гармоники тока коллектора

11. Параметры транзистора.

Крутизна по переходу

,

где -температура перехода, .

Сопротивление рекомбинации неосновных носителей в базе , статическая крутизна транзистора , диффузная емкость эмиттерного перехода C_Д и постоянная времени открытого эмиттерного перехода рассчитываются по формулам (2.2) – (2.5) разд. 2.

Частота, на которой крутизна транзистора уменьшается до 0,7 от S:

Нормированная частота , где f_вх - частота сигнала на входе умножителя; необходимо также проверить выполнение условия

Косинус фазового аргумента крутизны на частоте

12. Амплитуда напряжения возбуждения

13. Фаза первой гармоники тока коллектора в градусах

14. Входная проводимость (параллельный эквивалент)

15. Входное сопротивление (последовательный эквивалент)

16. Мощность возбуждения

17. Коэффициент усиления мощности

18. Потребляемая мощность

19. Коэффициент полезного действия

20. Мощность, рассеиваемая в транзисторе в виде тепла:

21. Допустимая мощность, рассеиваемая в транзисторе.

,

где , - допустимая температура перехода и температура корпуса транзистора соответственно; - сопротивление перехода – корпус. Температура корпуса транзистора определяется температурой окружающей среды :

22. Напряжение смещения

23. Обратное пиковое напряжение на эмиттерном переходе

, ,

где - напряжение отсечки тока транзистора; - предельно допустимое обратное напряжение на эмиттерном переходе.

МАЛОМОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ