ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ. Аппаратура: осциллограф, стенд ИСЭЛ, приставка ФЛС.

Аппаратура: осциллограф, стенд ИСЭЛ, приставка ФЛС.

Рассчитанную схему собирают на приставке, описание которой приведено в разделе 1.3.1, подключают к стенду ИСЭЛ, включают питание и проводят исследование схемы.

Совместно всей бригадой выполняются следующие пункты лабораторной работы:

1. Получить ХВВ (для ненагруженной схемы).

2. Получить входную характеристику Iвх = f(Uвх).

3. Получить выходную (нагрузочную) характеристику U1вых = f(Iнагр).

4. Снять осциллограмму импульсного сигнала на входе и выходе исследуемой схемы. Замерить динамические параметры сигнала t01, t10, tp, tзр01, tзр10 на выходе ненагруженной схемы.

5. Получить зависимости динамических параметров сигнала на выходе схемы в зависимости от величины емкостной нагрузки.

После выполнения бригадного задания каждый студент индивидуально выполняет УИРС.

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА.

Бригадное задание:

1. По экспериментальной ХВВ определить величины U0гр, U1гp, вычислить DU0n и DUiп и результаты записать в табл. 4.2. Сравнить с вычисленными значениями помехоустойчивости.

2. По экспериментально снятой входной характеристике определить I1ВХ.

3. По экспериментальной выходной характеристике определить Iн. макс. Вычислить п, полученное на основании экспериментальных данных. Вписать в табл. 4.1. Сравнить с вычисленными значениями.

4. Указать на экспериментально снятой осциллограмме величины замеренных динамических параметров схемы. Вписать в табл. 4.3. Сравнить с вычисленными значениями.

5. Построить зависимости сигнала t01, t10, tp, tзр01, tзр10 от емкостной нагрузки и оценить ее влияние на максимальную частоту работы схемы.

Задание по УИРС

Оформить результаты УИРС в соответствии с порядком выполнения УИРС, составленным при предварительной подготовке к работе. Сделать выводы по полученным результатам.

ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ.

Лабораторные работы.

    № вар   Тип транзистора b Iк. доп , мА Iко, мА Uкэн, В Uпор, В Uбэн, В fa, МГц U0, В U1, В Iнагр, мА
КТ312А (n-p-n) 0,01 0,3 0,3 0,6 0,4 0,6
КТ312А (n-p-n) 0,02 0,2 0,4 0,8 0,5 1,2
МП42 (p-n-p) 0,2 0,2 0,4 0,3 0,8
МП42 (p-n-p) 0,1 0,1 0,4 0,3 1,4
ГТ404 (n-p-n) 0,3 0,05 0,5 0,4 0,3 1,2
ГТ404 (n-p-n) 0,4 0,1 0,6 0,4 0,2 4,2 0,8
ГТ402 (p-n-p) 0,2 0,05 0,3 0,4 3,8 0,8
ГТ402 (p-n-p) 0,4 0,05 0,5 0,4 2,6 1,6
КТ315 (n-p-n) 0,6 0,3 0,3 0,6 0,4 3,2
КТ315 (n-p-n) 0,8 0,3 0,3 0,8 0,4 3,8 1,5

УИРС.

1. Определить зависимость помехоустойчивости схемы от величины нагрузки: DU0П, DU1П = f(Iнагр).

2. DU0П, DU1П = f(R1).

3. nмакс = f(R1).

4. nмакс = f(Rк).

5. nмакс = f(R2).

6. tзр= f(R1) при R1/R2=const.

7. U1мин= f(R1) при R1/R2=const.

8. t01= f(Iнагр).

9. tр= f(R1)

10. t01= f(Rк).

11. t01= f(R2).

12. DU0П, DU1П = f(R2).

ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПОДГОТОВКИ.

1. На вход схемы подается сигнал

ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ. Аппаратура: осциллограф, стенд ИСЭЛ, приставка ФЛС. - student2.ru

Нарисовать сигнал на выходе схемы, если в момент времени t0, l, 2, 3, 4 происходит:

а) уменьшение R1;

б) увеличение R1;

в) увеличение нагрузки Iнaгp;

г) увеличение нагрузки Снагр;

д) в момент t2 меняется транзистор на другой с большим b.

2. Как по входной и выходной характеристикам вычислить n? Как изменится n, если заданные U° и U1 изменить (увеличить или уменьшить ширину запрещенной зоны)?

3. Как меняется ХВВ в зависимости от подключения нагрузки?

4. Как меняются выходные параметры схем с уменьшением R2 с увеличением E6?

5. Как вычислить U1 на выходе, если к выходу подключена 1, 2 или nмакс аналогичных схем?

6. Как изменится S транзистора, если все резисторы схемы увеличить в 3 раза?

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3.

Наши рекомендации