Институт управления и информационных технологий

Кафедра «Электронные Вычислительные Машины»

Отчет по лабораторной работе №2

Исследование ФЛС первого типа.

Выполнил:

Проверил:

Оценка при допуске:

Оценка при защите:

МОСКВА 2003

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru


№ Вар Тип Транз. b Ik доп mA Ik0 mA Uкэн B Uбэн B Uб пор B Fa М Гц U0 B U1 B Iнагр, мА
  n-p-n 0.1 0.2 0.6 0.2 0.5 3.5

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Нагрузочная способность

Параметр Расчетные значения Экспериментальные значения
I1н макс, мА 2.4
I1вх, мА 1.45 1.15
n

Помехоустойчивость

Параметр Расчетные значения Экспериментальные значения
U0гр, В 1.04 1.5
U1гр, В 2.7 2.4
DU0П, В 0.54
DU1П, В 0.8 0.9

Быстродействие

  Параметр Расчетные значения Экспериментальные значения
t01, мкс 2.1 2.5
t10, мкс
tр, мкс 2.3
t01зр, мкс - 5.25
t01зр, мкс -

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Расчет величины RK и выбор Еп;

Так как U1мин = 3.5В, то выберем ЕП = 5В > U1мин.

Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Расчет требуемого тока базы при S = 1.5.

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Расчет величины R1, R2 и выбор Е6.

Величина Еб выбирается как минимальное из удовлетворяющих неравенству Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Строим область допустимых значений R1 и R2 исходя из условия запирания и условия насыщения

Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru

R1
R2   12.5 20.8 29.7 32.5

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru

R1
R2   2.3 5.8 11.5 22.8

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Выбираем R1= 2К иR2 = 10К.

Расчет нагрузочной способности

Институт управления и информационных технологий - student2.ru Þ Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru = Институт управления и информационных технологий - student2.ru = Институт управления и информационных технологий - student2.ru

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Помехоустойчивость

Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

DU0П = U0гр - U0макс = 1.04 – 0.5 = 0.54В

DU1П = U1мин - U1гр. = 3.5 – 2.7 = 0.8В

Величины сигналов на выходе

U0вых = Uкэн = 0.2В; U1вых = ЕП -IкоRK » 5В

Быстродействие схемы оценивается как следующая совокупность параметров сигнала: (t01, t10, tp, t01зр, t10з.р).

Вычислим значения параметров t01, t10, tp в предположении, что к схеме емкостная нагрузка не подключена.

Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Величина, характеризующая быстродействие транзистора,

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Выключающий ток определяется по формуле:

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Знак «-» или « + » в выражении зависит от направления тока Iвх, которое, в свою очередь, определяется тем, какой потенциал U° или Uбэн более положителен.

Uбэн > U°Þ выбираем знак « - »

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru Институт управления и информационных технологий - student2.ru

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

1. Схема получения ХВВ, Uвых = f(Uвх)

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

2. Схема получения характеристики Iвх = f(Uвх)

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

4. Схема получения выходной(нагрузочной) характеристики

Uвых = f(Iнагр)

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

4. Схема измерений динамическмх параметров.

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

 
  Институт управления и информационных технологий - student2.ru

5. Зависимость динамических параметров от величины

емкостной нагрузки.

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

Институт управления и информационных технологий - student2.ru

СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Алексеенко А. Г., Щагурин И. И. Микросхемотехника. — М.: Радио и связь, 1982, с. 43—63.

2. Гольденберг Л. М. Импульсные устройства. — М.: Радио и связь, 1981, с. 22—39.

3. Гольденберг Л. М. Теория и расчет импульсных устройств на полупроводниковых приборах. — М.: Связь, 1969, с. 126—141.

4. Желенков Б. В., Грамолин В.В. Учебное пособие «Схемотехника ЭВМ» часть 1. – М. МИИТ, 2002.

5. Ланцов АЛ. Зворыкин Л.Н. Цифровые устройства на комплементарных МДП интегральных микросхемах — М: Радио и связь, 1983, с 8—14, 18—22

6. Преснухин Л. Н., Воробьев Н. В., Шишкевич А, А. Расчет элементов цифровых устройств. — М.: Высш. школа, 1982.

7. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. — М.:Мир, 1982, с. 108—109.

4. Цифровые интегральные микросхемы. Справочник. - Минск. Беларусь. Полымя. 1996г.

СОДЕРЖАНИЕ

1. ОПИСАНИЕ ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ………………………………………  
1.1. Технические данные и правила работы с осциллографом С1-67……………………………………...  
1.1.1. Органы управления и их назначение…………………….
1.1.2. Включение и настройка осциллографа……………………
1.1.3. Измерение временных интервалов сигнала………………
1.2.1. Описание лицевой панели……………………………………
1.2.2. Порядок работы со стендом…………………………………
1.3. ПРИСТАВКИ, ПОДКЛЮЧАЕМЫЕ К СТЕНДУ ИСЭЛ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СХЕМ……………………………….  
1.3.1. Приставка ФЛС…………………………………………….
1.3.2. Приставка ТТЛ……………………………………………..
1.3.3. Приставка КМОП………………………………………….
2. ПОРЯДОК ПОДГОТОВКИ И ОФОРМЛЕНИЯ ОТЧЕТОВ ПО ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ……………………………  
3. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1. ИЗУЧЕНИЕ ИЗМЕРИ-ТЕЛЬНОЙ, РЕГИСТРИРУЮЩЕЙ И ИССЛЕДОВАТЕЛЬС-КОЙ АППАРАТУРЫ…………………………………………….    
3.1. ПОДГОТОВКА К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ…………...
3.2. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ…………………….
3.3. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА…………………………………..
3.4. ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ…………………………………....
4. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМИРОВАТЕЛЯ ЛОГИЧЕСКОГО СИГНАЛА ПЕРВОГО ТИПА……………………………………………………………..    
4.1. ПОДГОТОВКА К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ…………..
4.2. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ…………………….
4.3. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА…………………………………..
4.4. ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ……………………………………
4.4.1. Лабораторные работы…………………………………….
   
4.4.2. УИРС………………………………………………………
4.5. ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПОДГОТОВКИ………………….
5. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОР-МИРОВАТЕЛЯ ЛОГИЧЕСКОГО СИГНАЛА ВТОРОГО ТИПА……………………………………………………………..    
5.1. ПОДГОТОВКА К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ…………..
5.2. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ…………………….
5.3. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА………………………….……….
5.4. ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ…………..……………………….
5.4.1. Лабораторные работы………………………….…………
5.4.2. УИРС……………………………………………………….
5.5. ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПОДГОТОВКИ…………………..
6. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4. ИССЛЕДОВАНИЕ СХЕМ ТТЛ……………………………………………………….  
6.1. ПОДГОТОВКА К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ…………..
6.2. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ…………………….
6.3. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА…………………………………..
6.4. ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ……………………………………
6.4.1. Лабораторные работы…………………………………….
6.4.2. УИРС……………………………………………………….
6.5. ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПОДГОТОВКИ…………………..
7. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №5. ИССЛЕДОВАНИЕ СХЕМ КМОП…………………………………………………….  
7.1. ПОДГОТОВКА К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ…………...
7.2. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ…………………….
7.3. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА…………………………………..
7.4. ВАРИАНТЫ УИРС…………………………………………
7.5. ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПОДГОТОВКИ…………………..
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. ПРИМЕР ОФОРМЛЕНИЯ ОТЧЕТА…….
СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ………………
   

Наши рекомендации