Совмещенные ИМС

Классификация ИМС

По технологии изготовления

Полупроводниковая микросхема - все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия).

Функции дискретных элементов (активных и пассивных) в таких схемах выполняют различные локальные (местные) области, между которыми существуют необходимые электрические соединения и изолирующие прослойки.

Плёночная микросхема - все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок:

- толстоплёночная интегральная схема;

- тонкоплёночная интегральная схема.

Гибридная микросхема

Пассивные элементы изготавливаются путем последова­тельного напыления на диэлектрическую подложку пленок из различных материалов, а актив­ные элементы выполняют в виде отдельных (дискретных) навесных бескорпус­ных деталей с гибкими выводами и прикрепляют на подложку.

Совмещенные ИМС

Активные элементы изготовляют в объеме полупро­водникового кристалла, а пассивные элементы - методами тонкопленочной тех­нологии на его поверхности.

Полупроводниковые ИМС имеют наиболее высокую степень интеграции компонентов и позволяют получить максимальную надежность, т.к. количество соединений в них сведено к минимуму.

Полупроводниковые ИМС в основном изготавливают из кремния, т.к. по сравнению с германием он имеет меньшие обратные токи и более высокую рабочую температуру.

Кроме того, путем окисления поверхности кремния легко получить пленку двуокиси кремния, об­ладающую хорошими защитными свойствами.

В СВЧ технике – арсенид-галлиевые м/сх.

а) б)

Рис.9.3 Современные интегральные (цифровые) микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа (а) и навесного (б), http://ru.wikipedia.org/wiki/RFIC