По постоянному и переменному току

Типовые значения параметров

высокочастотных транзисторов при t=(20±5) ºC

Тип транзистора	β0	rб, Ом	Ск, пф	τβ, мкс не более	Iк0, мкА не более
ГТ313Б				0,049

I_к=1 мА

U_кэ=4 В

1. Сопротивление резистора R_э:

Ом, где U_э – падение напряжения на резист.

U_э≈0,2Е_К=0,2*15=3 В

2. Сопротивление резистора:

Ом

3. Перепад температуры окружающей среды:

4. Изменение обратного тока коллектора : мА

где и - значение I_KO соответственно при t=+20⁰С и t⁰=t⁰_MAX,

a=10 для германиевых транзисторов.

5. Изменение напряжения на эмиттерном переходе:

В

где γ_t – коэффициент теплового смещения напряжения на эмиттерном переходе (принимаем γ_t=-1,8 мВ/град).

6. Допустимое приращение коллектора в рабочей точке: мА

7. Сопротивления резисторов:

кОм

кОм

Дифференциальное сопротивление

эмиттерного перехода: I_э=1 мА

Расчёт усилительного каскада

1. Коэффициент внутренней обратной связи на средних частотах а_э за счёт сопротивления r_э:

где R_б=R_г||R_1,2=(R_г*R_1,2)/(R_г+R_1,2)=(1400*26571,4)/(1400+26571,4)=1329,93 Ом – сопротивление эквивалентного генератора.

R_1,2= R₁||R₂ =(R₁*R₂)/(R₁+R₂)=(132857,1*33214,3) /(132857,1+33214,3)=

=26571,4 Ом – сопротивление делителя смещения в цепи базы.

2. Коэффициент общей (внутренней и внешний) обратной связи в усилительном каскаде на средних частотах а_оэ, за счёт сопротивления r_э и R₀ :

Ом

3. Коэффициент усиления по напряжению на средних частотах по формуле:

R_Н=R_К||R′_Н=(R_К*R′_Н)/(R_К+R′_Н)=(8000*10000)/(8000+10000)=4,44 кОм – сопротивление эквивалентной нагрузки.

4. Находим эквивалентную постоянную передачи базы тока по формуле:

5. Постоянная времени корректирующего звена из выражения для параметра коррекции n, полагая n=n_опт:

с

6. Величина корректирующего конденсатора в цепи эмиттера:

Ф

7. Максимальное значение верхней граничной частоты усилителя из выражения для нормированной частоты, полагая x=x_{0,7 max}:

МГц

Спецификация к принципиальной схеме

Элемент	Тип	Номинал
RЭ	МЛТ 0,125	3±5% кОм
RК	МЛТ 0,125	8,2±5% кОм
R1	МЛТ 0,125	130±5% кОм
R2	МЛТ 0,125	33±5% кОм
R0	МЛТ 0,125	51±5% Ом
VT	ГТ313Б	-
C0	Ёмкость	5,6 нФ

Рекомендуемая литература к курсовому проектированию

Основная:

1. Семёнов К.А. Методические указания к учебным исследовательским работам на тему: «Анализ усилительных схем методом круговых диаграмм». –Л., 1981.-108с.

2. Семёнов К.А. Анализ линейных электрических цепей методом круговых диаграмм.

3. Пустынский И.Н. Транзисторные видеоусилители. – М.: Сов. радио, 1973-176с.

4. Цыкин И.Н. Усилительные устройства.

5. Шаров В.П. Методические указания к курсовой работе на тему: «Широкополосные усилительные схемы с обратной связью и прстой коррекцией». ГМА им. адм. С.О. Макарова – 2003г. - 40с.