Полупроводниковый лазер Р. Холла

1962 г.

Опубликовано: Электроника: прошлое, настоящее, будущее. Перевод с английского под ред. члена-корреспондента Академии наук СССР

В.И. Сифорова. М.: Мир, 1980 (Electronics. Special Commemorative Isse. 1980. Vol. 53, No. 9 (587) A McGraw-Hill

Publication, McGraw-Hill Inc. New York, USA). P. 154.

Документ № 108

Из воспоминаний академика РАН Ж.И. Алферова о разработке гетеролазера

2001 г.

"… Идеи использования гетероструктур возникли в начале 60-х годов у нас, в Физтехе, в моей группе. Мы показали, что для большинства сложных полупроводниковых приборов необходимо строить полупроводниковые кристаллы из сложных химических композиций, когда он остается единым монокристаллом, но основные его свойства меняются внутри кристалла на расстояниях, исчисляемых долями микрона, а часто и на нескольких постоянных кристаллической решетки. Подобные идеи поначалу казались некоторым ученым противоречащим физическим принципам или, во всяком случае, совершенно нереальными практически. Когда я об этом впервые рассказал в 1964 году на конференции в Париже, то один из крупнейших американских специалистов, … выходец их России Яков Панков сказал: "Это все бумажные патенты, Жорес, они никогда не будут реализованы". Однако в 1967 году мы все это реализовали, а в 1970 году был создан первый в мировой практике полупроводниковый лазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Именно такой сложный "сэндвич" из самых различных материалов, представляющий собой единый кристалл, стал сердцем волоконно-оптической связи, он передает световыми сигналами десятки миллионов телефонных разговоров".

Опубликовано: Алферов Ж.А. Физика ХХI века // В кн:."Физика и жизнь. М.-С. Петербург. 2001. С. 177.

Современная микроэлектроника и фотоника

(1980-2000 гг.)

Документ № 109

Современные транзисторные приборы - СБИС

компании Micron Technology (5000000 транзисторов на чипе размером 8 х 12 мм²)

2002 г.

Полупроводниковый лазер Р. Холла - student2.ru