Обработка результатов измерений. 5.1. По построенным характеристикам транзистора, снятых при комнатной температуре, определить Hб-параметры

5.1. По построенным характеристикам транзистора, снятых при комнатной температуре, определить H_б-параметры. При определении H_б-параметров режимы работы на входных и выходных характеристиках выбирать приблизительно одинаковыми. Расчет H-параметров проводить с использованием соотношений (17) - (20).

5.2. По вычисленным H_б-параметрам подсчитать параметры
Т-образной эквивалентной схемы по формулам (27) – (32).

5.3. Справочные и расчетные значения параметров свести в табл.2.

5.4. Используя входную характеристику по данным эксперимента при и комнатной температуре, рассчитать и построить график зависимости .

Таблица 2

	Параметры
									S
Размер-ность
Паспортные значения
Расчетные значения

Содержание отчета

Отчет должен содержать:

1. Формулировку цели исследования.

2. Схему лабораторной установки для исследования транзистора.

3. Таблицы результатов измерений.

4. Графики семейства входных характеристик при комнатной
и повышенной температурах.

5. Графики семейства выходных характеристик при комнатной
и повышенной температурах. На выходных характеристиках построить кривую допустимой мощности рассеяния исследованного транзистора.

6. Графики входных и выходных характеристик транзистора, полученные при комнатной температуре. На графиках показать области определения H_б-параметров.

7. График зависимости при .

8. Таблицу со справочными и расчетными параметрами.

9. Анализ полученных результатов.

Вопросы для самопроверки

1. Расскажите об устройстве биполярного транзистора. Каковы его конструктивные особенности?

2. Из каких компонентов состоит ток через эмиттерный переход?

3. Напишите выражение тока коллектора в режиме усиления и поясните его составляющие.

4. Напишите выражение тока базы в режиме усиления и поясните его составляющие.

5. Что такое эффективность эмиттера и как она зависит от конструктивных параметров транзистора?

6. Что показывает коэффициент переноса ? Как он зависит от конструктивных параметров транзистора?

7. Напишите выражение для коэффициента передачи эмиттерного тока в коллектор через конструктивные параметры транзистора.

8. Что такое эффект модуляции ширины базы и к каким следствиям приводит это явление?

9. Нарисуйте зависимость от коллекторного напряжения и объясните ее ход.

10. Нарисуйте и объясните зависимость от тока эмиттера.

11. Нарисуйте семейство входных характеристик в схеме включения с ОБ. Поясните влияние и температуры на ход характеристик.

12. Нарисуйте семейство выходных характеристик в схеме включения с ОБ и поясните их ход.

13. Что такое ток , каковы причины его возникновения и как он изменяется с изменением температуры?

14. На семействе выходных характеристик транзистора укажите режимы работы и дайте их определение.

15. В каких случаях транзистор можно заменить линейным четырехполюсником?

16. Напишите выражение для H_б-параметров, поясните их физический смысл.

17. Какие H_б-параметры можно определить по входным и какие по выходным характеристикам транзистора?

Библиографический список

1. Электронные приборы: учебник/В.Н. Дулин и др.; под. ред. Г.Г.Шишкина. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1989. 496 с.

2. Булычев А.Л. Электронные приборы: учебник./ А.Л. Булычев, П.М. Лямин, Е.С. Тулинов. М.: Лайт Лтд., 2000. 416 с.

3. Батушев В.А. Электронные приборы: учебник. / В.А. Батушев; 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1980. 383 с.

4. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов./ В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин; 5-е изд., испр. СПб.: Лань, 2001. 480 с.

5. Елфимов В.И. Основы теории p-n перехода: учебное пособие./ В.И. Елфимов, Н.С. Устыленко. Екатеринбург: ООО «Издательство УМЦ УПИ», 2000. 55 с.

6. Антипов Б.Л. Материалы электронной техники. Задачи и вопросы: учебное пособие для вузов / Б.Л. Антипов, В.С. Сорокин, В.А. Терехов; под ред. В.А. Терехова; 2-е изд. СПб.: Лань, 2001. 208 с.

7. Денискин Ю.Д. Электронные приборы: программированное учебное пособие/ Ю.Д. Денискин, А.А. Жигарев, Л.П. Смирнов. М.: Энергия, 1980. 280 с.

8. Полупроводниковые приборы. Транзисторы: справочник/В.А. Аронов и др.; под общ. ред. Н.Н. Горюнова. М.: Энергсатомиздат, 1982. 904 с.

9. Шукстов В.Н. Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схеме с общей базой: методические указания к лабораторной работе/ В.Н. Шукстов, Т.И. Филатова. Свердловск: УПИ, 1990. 23 с.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Образец оформления титульного листа

Федеральное агентство по образованию Российской Федерации

ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет – УПИ»

Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»

Оценка работы____________

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В СХЕМЕ ВКЛЮЧЕНИЯ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ

Отчет по лабораторной работе № 4

по дисциплине «Электроника»

Подпись Дата Фамилия

Преподаватель___________________________ ФИО преподавателя

Студент_________________________________ ФИО студента

Группа

Екатеринбург 2005

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Германиевые сплавно-диффузионные
p-n-p ТРАНЗИСТОРЫ

Параметры	ГТ321А	ГТ321Б	ГТ321Г	ГТ321Д
Коэф. передачи тока ( )	20¸60	40¸120	20¸60	40¸120
Макс. напряжение коллектора, В
Мощность, рассеиваемая транзистором при температуре до 45°С, Вт	0,16	0,16	0,16	0,16
Сопротивление базы, Ом

ПРИЛОЖЕНИЕ 3