П17. микросхемы (технология и устройство)
Задача 17.1.Микропроцессорная система в качестве обязательного элемента содержит: А: операционный усилитель; Б: триггер;В: микроЭВМ; Г: арифметико-логическое устройство.
Задача 17.2.На рисунке П17.1 представлен элемент памяти с плавающим затвором и его характеристика. Какой процесс предваряет запись лог. 1?А: пробой стокового перехода и внедрение дырок в затвор; Б: пробой стокового перехода и внедрение электронов в затвор; В: ультрафиолетовое облучение; Г: подача отрицательного импульса на контакт затвора.
Рис. П17.1 Рис. П17.2
Задача 17.3.На рисунке П17.2 представлен элемент памяти с плавающим затвором и его характеристика. Какой процесс предваряет запись лог. 0? .А: пробой стокового перехода и внедрение электронов в подложку; Б: пробой стокового перехода и внедрение электронов в затвор; В: ультрафиолетовое облучение; Г: подача отрицательного импульса на контакт затвора.
Задача 17.4.На рисунке П17.3 представлено ПЗУ на пять пятиразрядных слов в виде матрицы 5х5, состоящей из 5 строк и 5 столбцов, в точках пересечения которых включаются элементы памяти, выполненные в виде прямосмещенных диодов. На шину адреса подается код 0100. Какой код появляется на выходе шины данных? А: 10101; Б: 11001; В:11111; Г: 01001.
Задача 17.5.На шину (см. условие задачи 17.4) адреса подается код 0011. Какой код появляется на выходе шины данных (рис. П17.3)? А: 10101; Б: 11001; В:11111; Г: 01011.
Задача 17.6. Какой код (см. условие задачи 17.4) подан на шину адреса (рис. П17.3), если на выходе число 01001? А: 1000; Б: 0010; В: 0011; Г: 0000.
Задача 17.7.Какой код (см. условие задачи 17.4) подан на шину адреса (рис. П17.3), если на выходе число 01001? А: 1000; Б: 0010; В: 0011; Г: 0000.
Рис. П17.3 Рис. П17.4
Задача 17.8. На шину (см. задачу 17.4) адреса (рис. П17.3) подается код 0100. Код какого числа появляется на выходе шины данных? А: 41; Б: 11001; В: 31; Г: 25.
Задача 17.9. В схеме (рис. П17.4) в ячейку памяти записывается слово с разрядностью:А: 2; Б: 4; В: 32; Г: 8.
Задача 17.10. При подаче на адресные входы (рис. П17.4) кода 01011 активизируется транзистор: А: VT11; Б: VT26; В: VT10; Г: VT9.
Задача 17.11.В транзисторе VT0 (рис. П17.4) пережгли перемычки ПП с номерами 2, 6, 7. Подан код адреса 00000. Считывается слово: А: 00000; Б: 01000110; В: 01100010; Г: 10011101.
Задача 17.12. В транзисторе VT5 (рис. П17.4) пережгли перемычки ПП с номерами 2, 6, 7. В транзисторе VT30 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 5, 7. В транзисторе VT10 пережгли перемычки ПП с номерами 3, 7, 8. В транзисторе VT15 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 4, 8. Какой код адреса следует подать, чтобы на выходе получить слово 11000100? А: 00110; Б: 01011; В: 11110; Г: 111110.
Задача 17.13. В транзисторе VT10 (рис. П17.4) пережгли перемычки ПП с номерами 3, 7, 8. В транзисторе VT5 пережгли перемычки ПП с номерами 2, 6, 7. В транзисторе VT30 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 5, 7. В транзисторе VT15 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 4, 8. Какой код адреса следует подать, чтобы на выходе получить слово 01010001? А: 00110; Б: 01011; В: 11110; Г: 111110.
Рис. П17.5 Рис. П17.6
Задача 17.14.В транзисторе VT15 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 4, 8. В транзисторе VT5 пережгли перемычки ПП с номерами 2, 6, 7. В транзисторе VT30 пережгли перемычки ПП с номерами 1, 5, 7. В транзисторе VT10 пережгли перемычки ПП с номерами 3, 7, 8. Какой код адреса следует подать, чтобы на выходе получить слово 10001001? А: 00110; Б: 01011;
В: 11110; Г: 111110.
Задача 17.15.Какие диоды (рис. П17.5) следует пробить (разрушить), чтобы при адресе 0101 на выходе был код 01011?А: 53, 55; Б: 51, 52, 54;
В: 25, 23; Г: 21, 22, 24; Д: 31, 51; Е: 15, 25, 45.
Задача 17.16.Какие диоды (рис. П17.5) следует пробить (разрушить), чтобы при адресе 0011 на выходе был код 11001? А: 55, 53; Б: 51, 52, 54;
В: 32, 33; Г: 21, 22, 24; Д: 31, 51; Е: 15, 25, 45.
Задача 17.17.Какая информационная емкость микросхемы, указанной на рисунке П17.6? А: 20 кбит; Б: 2 кБ; В: 1 байт; Г: 25 бит.
Рис. П17.7 Рис. П17.8
Задача 17.18.Микросхема (рис. П17.7) имеет одноразрядную организацию ОЗУ. Дешифратор имеет 11 входов; N = 8. Информационная емкость равна: А: 4 кБайт; Б: 3 кБайт; В: 2 кБайт; Г: 1 кБайт.
Задача 17.19.Микросхема (рис. П17.7) имеет одноразрядную организацию ОЗУ. Дешифратор имеет 12 входов; N = 8. Информационная емкость равна: А: 4 кБайт; Б: 3 кБайт; В: 2 кБайт; Г: 1 кБайт.
Задача 17.20.Микросхема (рис. П17.7) имеет одноразрядную организацию ОЗУ. Дешифратор строк - 6 входов; дешифратор 7 входов; N = 8. Информационная емкость равна: А: 4 кБайт; Б: 8 кБайт; В: 2 кБайт; Г: 1 кБайт.
Задача 17.21.Какой буквой (рис. П17.8) отмечено УГО схемы ИМС с открытым коллектором?
Задача 17.22.Какой буквой (рис. П17.8) отмечено УГО схемы ИМС с открытым эмиттером?
Задача 17.23. Какой буквой (рис. П17.8) отмечено УГО ИМС с третьим состоянием?
Задача 17.24.Сколько генераторов и усилителей полупроводниковых колебаний может быть размещено в объеме одного полупроводникового кристалла интегральной микросхемы? А: один; Б: до десяти; В: до 100; Г: любое из указанных чисел.
Задача 17.25. Какие из микросхем изготавливаются с помощью метода фотолитографии? А: только гибридные; Б: только твердотельные; В: гибридные и твердотельные; Г: аналоговые.
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
Основная литература
1. Власов А.Б. Электроника. Часть I ²Элементы электронных схем². - Мурманск : МГТУ, 2007. - 157 с.
2. Власов А.Б. Электроника. Часть II ²Основные аналоговые элементы и узлы электронной аппаратуры². -Мурманск : МГТУ, 2008.- 202 с.
3. Власов А.Б. Электроника. Часть III ²Основные цифровые элементы и узлы электронной аппаратуры². -Мурманск : МГТУ, 2008.- 207 с.
4. Власов А.Б., Физические основы электронной техники: Учеб. пособие. Ч.1. Физика полупроводников. Мурманск : МГАРФ, 1994, 143 с.: ил. ; Ч. 2. Физика полупроводниковых приборов. Мурманск : МГАРФ, 1994, 134 с.: ил.
5. Власов А.Б., Черкесова З.Н. Задачи и методы их решения по курсу ²Электротехника и электроника. Мурманск : МГТУ, 2009. 129 с.
6. Власов, А.Б. Виртуальный лабораторный практикум ″Электроника″, – Мурманск : Изд-во МГТУ, 2010. 137с.
7. Власов, А.Б., Черкесова З.Н. Лабораторный практикум ″Электроника″, – Мурманск : Изд-во МГТУ, 2010. – 117 с.
Дополнительная
8. В.И. Карлащук. Электронная лаборатория на IBM PC. -М. : Солон - Пресс, 2006.
9. Г.А. Кардашев. Виртуальная электроника. М. : Горячая Линия, 2002. - 206 с.
10. Бабич Н.П. Основы цифровой схемотехники. М. : Додэка-ХХI, Киев: МК-Пресс, 2007. -480 с.
11. Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы: Справочник. -М. : Радио и связь, 1987. - 352 с.
12. Кучумов А.И. Электроника и схемотехника: Учебное пособие. 2-е изд., перераб. и доп. -М. : Гелиос, АВР, 2004. -336 с.
13. Алексенко А.Г. и др. Применение прецизионных аналоговых микросхем / А.Г. Алексенко, Е. А. Коломбет, Г.И. Стародуб. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Радио и связь, 1985. - 256 с.
14. Электроника: справ. кн. / под ред. Ю.А. Быстрова. - СПб. : Энергоатомиздат. СПб. отд-ние : 1996. - 554 с.
15. Штумпф, Э.П. Судовая электроника и силовая преобразовательная техника. -СПб. : Судостроение. 1993. - 362 с.
16. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник/ Г.С. Найвельт, К.Б. Мазель и др.; под ред. Г.С. Найвельта. - М. : Радио и связь, 1985. - 576 с.
17. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учеб. пособие для вузов. - М. : Высш. шк., 1982. - 446 с.
18. Бобровников Л.З. Электроника: Учебник для вузов. – СПб. : Питер, 2004. – 560 с.
19. Гусев В.В., Гусев Ю.М. Электроника. М. : Высш. шк., 1991, 623 с.: ил.
20. Пасынков В.В. Материалы электронной техники. М. : Высш. шк., 1980.
ОГЛАВЛЕНИЕ
| Введение…………………………………………………………. | |
| тема 1. ПРИБОРЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ полупроводниковых приборов | |
| 1.1. Автоматические мосты переменного тока……………. | |
| 1.2. Осциллографы…………………………………………………….. | |
| 1.3. Генераторы…………………………………………………………. | |
| Тема 2. Проводимость полупроводников и металлов | |
| Лабораторная работа № 2.1 ″Исследование параметров терморезисторов″………..…………… | |
| 2.1. Терморезисторы: термисторы и позисторы……………………… | |
| Подготовка к работе………………………. | |
| Измерения и обработка результатов……… | |
| Лабораторная работа № 2.2 ″Исследование параметров варисторов″ | |
| 2.2. Общие сведения о варисторах……………………………………. | |
| Подготовка к работе………………………. | |
| Измерения и обработка результатов……… | |
| Лабораторная работа № 2.3 ²Исследование метода термозонда и эффекта Холла²……………………… | |
| 2.3. Определение типа носителей в полупроводниках……………… | |
| 2.3.1. Метод термозонда………………………………………….. | |
| 2.3.2. Метод Холла……………………………………………… | |
| 2.3.3. Определение концентрации и подвижности носителей… | |
| Подготовка к работе………………………. | |
| Измерения и обработка результатов……… | |
| ТЕМА 3. полупродниковые диоды ……….….. | |
| Лабораторная работа № 3.1 ″Исследование полупроводниковых диодов″……………………………………… | |
| 3.1. Характеристики полупроводниковых диодов…………………… | |
| Подготовка к работе………………………. | |
| Измерения и обработка результатов……… | |
| Лабораторная работа № 3.2″Исследование полупроводниковых стабилитронов″…………………………... | |
| 3.2. Полупроводниковые стабилитроны и стабисторы……………… | |
| 3.3. Описание стенда…………………………………………………… | |
| Подготовка к работе………………………. | |
| Измерения и обработка результатов……… | |
| Лабораторная работа №3.3″Исследование светодиодов″………………. | |
| 3.4. Характеристики светодиодов........................................................... | |
| 3.4.1. Управляемые источника света. Светодиоды…………… | |
| 3.4.2. Строение светодиодов…………………………………….. | |
| 3.4.3. Общие сведения об обозначении светодиодов…………… | |
| 3.4.4. Особенности лабораторной установки…………………… | |
| Подготовка к работе………………………. | |
| Измерения и обработка результатов……… | |
| Лабораторная работа №3.4″Исследование фоторезисторов и фотодиодов″………………………….. | |
| 3.5. Общие сведения о фотоприемниках……………………………… | |
| 3.5.1. Фоторезисторы…………………………………………… | |
| 3.5.2. Параметры и характеристики фоторезистора……………. | |
| 3.5.3. Особенности работы фотодиодов…………………………. | |
| 3.5.4. Описание установки……………………………………….. | |
| Подготовка к работе………………………. | |
| Измерения и обработка результатов……… | |
| тема 4. биполярные транзисторы | |
| Лабораторная работа №4.1 ″Статические характеристики биполярного транзистора″……………………………….. | |
| 4.1. Характеристики биполярных транзисторов……………………... | |
| 4.1.1. Схемы включения биполярных транзисторов ………….. | |
| 4.1.2. Схема с общей базой………………………………………. | |
| 4.1.3. Схема с общим эмиттером………………………………… | |
| 4.1.4. Описание установки……………………………………….. | |
| Подготовка к работе………………………. | |
| Измерения и обработка результатов……… | |
| тема 5. Полевые транзисторы | |
| Лабораторная работа № 5.1″Статические характеристики полевого транзистора″ | |
| 5.1. Характеристики полевого транзистора………………………….. | |
| 5.1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом……. | |
| 5.1.2. Полевой транзистор с изолированным затвором………… | |
| 5.1.3. Особенности схемы измерения…………………………… | |
| Подготовка к работе………………………. | |
| Измерения и обработка результатов……… | |
| Тема 6. Элементы технологии производства ИМС | |
| Лабораторная работа № 6.1″Исследование элементов технологии изготовления микросхем″……………. | |
| 6.1. Элементы технологии изготовления ИМС……………………… | |
| 6.1.1. Классификация ИМС………………………………………. | |
| 6.1.2. Понятие о технологическом цикле производства ИМС…. | |
| 6.1.3. Производство планарного биполярного транзистора……. | |
| 6.1.4. Производство планарного полевого транзистора……….. | |
| 6.1.5. Структура транзисторов статических микросхем памяти.. | |
| 6.1.6. Общие сведения о топологии микросхем памяти………... | |
| 6.1.7. Описание установки и процедуры испытаний…………… | |
| Подготовка к работе………………………. | |
| Измерения и обработка результатов……… | |
| Приложение | |
| Задачи по темам ²Аналоговая и цифровая электроника² | |
| П1. Элементы электронных схем……………………….. | |
| П2. Диоды и тиристоры…………………………………. | |
| П3. Источники вторичного напряжения……………….. | |
| П4. транзисторы………………………………………….. | |
| П5. Аналоговые устройства……………………………… | |
| П6. Операционные усилители и схемы на их основе….. | |
| П7. Преобразовательные устройства и генераторы…….. | |
| П8. Стабилизаторы………………………………………. | |
| П9. Логические микросхемы…………………………….. | |
| П10. Логические схемы………………………………….. | |
| П11. Схемы на ЛЭ……………………………………….. | |
| П12. Триггеры……………………………………………... | |
| П13. Регистры и счетчики……………………………….. | |
| П14. Преобразователи кодов……………………………. | |
| П15. Мультиплексоры, демультиплексоры, сумматоры.. | |
| П16. Цифро-аналоговые преобразователи………………. | |
| П17. микросхемы (технология и устройство)………... | |
| РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА………………… | |
| ОГЛАВЛЕНИЕ………………………………… |