Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе.

А) в эмиттере концентрация носителей заряда максимальная.

Б) в коллекторе – несколько меньше, чем в эмиттере.

В) в базе – во много раз меньше, чем в эмиттере и коллекторе

Г) в базе – во много раз больше, чем в эмиттере и коллекторе

1.71 Основные характеристики усилителей:

А) масса и размеры

Б) диапазон усиливаемых частот

В) выходная мощность

Г) коэффициент усиления

1.72 Основные характеристики усилителей:

А) коэффициент полезного действия

Б) динамический диапазон амплитуд

В) входная мощность

Г) масса и размеры

III Установите соответствие

1.73Условные графические изображения:

 
  Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

А) выпрямительные диоды 1)

 
  Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

Б) варикапы 2)

 
  Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

В) тоннельные диоды 3)

 
  Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

Г) светодиоды 4)

1.74 Условные графические изображения:

 
  Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

А) стабилитроны 1)

 
  Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

Б) фотодиоды 2)

 
  Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

В) выпрямительные диоды 3)

Г) Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru тоннельные диоды 4)

1.75 Маркировка биполярных транзисторов

А) (первая цифра) 1) материал полупроводника
Б) (вторая цифра) 2) модификация транзистора в 3-й группе
В) (три или четыре цифры) 3) тип транзистора по принципу действия
Г) (четвертая цифра) 4) группа транзисторов по электрическим параметрам

Карта правильных ответов

№ вопроса 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 1.10 1.11 1.12
Правильный ответ А Б А А В А В Г А В А А
№ вопроса 1.13 1.14 1.15 1.16 1.17 1.18 1.19 1.20 1.21 1.22 1.23 1.24
Правильный ответ Б Б А Б А Б Б Б А А Б Б
№ вопроса 1.25 1.26 1.27 1.28 1.29 1.30 1.31 1.32 1.33 1.34 1.35 1.36
Правильный ответ Г Д Г Г А А А А А Г А,Б,В А,Б,В
№ вопроса 1.37 1.38 1.39 1.40 1.41 1.42 1.43 1.44 1.45 1.46 1.47 1.48
Правильный ответ А,Б,В А,Б,В А,Б,Г А,Б,В А,Б,В А,Б,В А,Б А,Б В,Г А,Б В,Г Б,В
№ вопроса 1.49 1.50                    
Правильный ответ Б,В А,Б                    

Критерии оценки

Оценка Критерии: правильно выполненные задания
«отлично»» от 85% до 100%
«хорошо» от 75% до 85%
«удовлетворительно» от 61% до 75%
«неудовлетворительно» до 61%

4 Практические задания (ПЗ)

4.1 Текст задания

Вариант 1:

1) Определить структуру VT, схему включения и режим работы

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) По схеме определить тип транзистора, режим работы и работоспособность схемы

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

3) Назначение биполярного транзистора

Вариант 2

1) Какими элементами происходит коррекция АЧХ в области верхних частот диапазона

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Основные достоинства двухтактного трансформаторного каскада по сравнению с однотактным.

3) Какой график V-A соответствует характеристике туннельного диода.

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

Вариант 3

1) В схеме сдвига уровня выделить элементы генератора стабильного тока и провести анализ данной схемы

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Проанализировать как VT1 включен по схеме

3) Полярность Евн при прямом включении p-n перехода соответствует схеме

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

Вариант 4

1) Какие характеристики активных фильтров можно отнести к недостаткам или к достоинствам

2) Установите соответствие между устройством и приведенной схемой

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

3) Назначение фильтров и их классификация

Вариант 5

1) Классификация оптоэлектронных приборов, по каким параметрам определяют их работоспособность

2) Как в схеме достигается регулировка усиления и температурная стабилизация

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

3) Основные параметры фотоприемных устройств

Вариант 6

1) Какие достоинства и недостатки активных фильтров

2) Какая главная особенность активных фильтров по сравнению с пассивными

3) Как определить сопротивление диода постоянному току

Вариант 7

1) Собрать схему включения стабилитрона

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Определить основные параметры стабилитрона

3) Дать определение коэффициента выпрямления и коэффициента пульсации

Вариант 8

1) Определить по схеме, ее назначение

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Чем ограничивается частота генерации ждущего мультивибратора

3) Почему выпрямительный диод изготавливают с кремниевым p-n переходом

Вариант 9

1) Проанализировать схему для исследования полевого транзистора

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Определить его работоспособность

3) По каким параметрам определить работоспособность полевого транзистора

Вариант 10

1) Определить назначение данной схемы

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Проверить работоспособность данной схемы

3) Определить элементы в данной схеме

Вариант 11

1) Проанализировать схему триггера Шмита

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Определить основные параметры триггера Шмита

3) Определить работоспособность триггера Шмитта

Наименование объектов контроля и оценки Основные показатели оценки результата Критерии оценки
У.1. Определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной технике   З.1. Сущность физических процессов протекающих в электронных приборах и устройствах - Определение и анализ схем - Определение основных параметров устройств - Определение работоспособности устройств   - Определение физических процессов протекающие в электронных приборах и устройствах 5 «отлично»: - ответы на вопросы полные; - высокая степень ориентированности в материале; - представлены рациональные предложения по возможным вариантам решений задания; - проанализированы все задания; - дан логический вывод по каждому из вопросов; - обоснован каждый вариант ответа на вопрос.   4 «хорошо»: - ответ на один из вопросов не полный; - степень ориентированности средняя в материале; - анализ заданий неполный, ответы не точные, обобщающие; - нет четкого обоснования каждому варианту ответа на вопрос.   3 «удовлетворительно»: - ответ на вопросы дан неполный; - степень ориентации низкая в материале; - анализа заданий нет; - нет обоснования ответа на вопросы.   2 «неудовлетворительно»: - ответа на вопроса нет; - степень ориентации нет в материале; - нет анализа заданий;

4.2 Текстовое задание

Вариант 1

1) Подобрать металлический резистор по мощности 2 Вт.

2) От чего зависит рассеивание мощности в окружающее пространство.

3) Назначение резистора.

Вариант 2

1) Подобрать металлический резистор по мощности 0.5 Вт.

2) Как производится подбор аппаратуры по заданным параметрам.

3) Для чего необходимо производить подбор элементов.

Вариант 3

1) Подобрать элементы для проверки работоспособности однотактного трансформаторного каскада.

2) Назначение однотактного трансформаторного каскада.

3) По каким параметрам подбирают трансформаторный каскад.

Вариант 4

1) Для исследования выпрямительного диода подобрать резистор 1кОм, источник питания 100V.

2) Назначение выпрямительного диода.

3) Основные параметры выпрямительного диода.

Вариант 5

1) Рабочий участок, позволяющий использовать диод в схемах генераторов, усилителей и переключателей СВЧ-диапазона, соответствует отрезку.

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Как определить рабочий участок диода в данных графиках.

3) Диод – это…

Вариант 6

1) Условное изображение туннельного диода.

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Назначение туннельного диода.

3) Основные характеристики туннельного диода.

Вариант 7

1) Статическому режиму работы VT соответствуют характеристики.

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) В каких режимах может работать биполярный транзистор.

3) Основной характеристикой варикапа являются.

Вариант 8

1) Схема включения VP со встроенным каналом р-типа (режим обеднения) соответствует.

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Как называется прибор, у которого входная и выходная цепи связаны только с помощью оптических сигналов.

3) Достоинства и недостатки полевого транзистора.

Вариант 9

1) Приведено условное графическое изображения каких фотоэлектронных приборов.

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Принцип работы фотоэлектронных приборов.

3) Для чего предназначено входное устройство.

Вариант 10

1) Определить элементы схемы и их назначение.

Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. - student2.ru

2) Для чего применяются повторители.

3) Что представляет собой мультивибратор.

Вариант 11

1) Назначение триггера, его условное обозначение на схеме.

2) Подобрать резистор для проверки выпрямительного диода марки 1N446.

3) Влияние температуры на основные параметры диодов.

Наименование объектов контроля и оценки Основные показатели оценки результата Критерии оценки
Уметь: У.2 Производить подбор элементов электронной аппаратуры по заданным параметрам; Знать: З.2Принцип работ типовых электронных устройств; З.3 Принцип включения электронных приборов и построение электронных схем.   - Умение проводить подбор электронной аппаратуры по заданным параметрам; - Понимать принцип работы электронных устройств; - Понимать принцип включения электронных приборов; - Понимать принцип построения электронных схем. 5 «отлично»: - ответы на вопросы полные; - высокая степень ориентированности в материале; - представлены рациональные предложения по возможным вариантам решений задания; - проанализированы все задания; - дан логический вывод по каждому из вопросов; - обоснован каждый вариант ответа на вопрос.   4 «хорошо»: - ответ на один из вопросов не полный; - степень ориентированности средняя в материале; - анализ заданий неполный, ответы не точные, обобщающие; - нет четкого обоснования каждому варианту ответа на вопрос.   3 «удовлетворительно»: - ответ на вопросы дан неполный; - степень ориентации низкая в материале; - анализа заданий нет; - нет обоснования ответа на вопросы.   2 «неудовлетворительно»: - ответа на вопроса нет; - степень ориентации нет в материале; - нет анализа заданий;

4.3 Текстовое задание

Вариант 1

1) Прочитать маркировку выпрямительного диода1N446.

2) Прочитать маркировку выпрямительного диода КД213Г.

3) Маркировка стабилитрона.

Вариант 2

1) Прочитать маркировку стабилитрона BZV49-C6V8.

2) Прочитать маркировку выпрямительного диода ГД102А.

3) Маркировка варикапа.

Вариант 3

1) Прочитать маркировку биполярного транзистора КТ2115А2.

2) Определить маркировку варикапа КВ101А.

3) Прочитать маркировку туннельного диода АИ201А.

Вариант 4

1) Прочитать маркировку биполярного транзистора ГТ905Б.

2) Прочитать маркировку туннельного диода 1И307А.

3) Маркировка туннельных диодов.

Вариант 5

1) Прочитать маркировку полевого транзистора КП103А.

2) Маркировка биполярного транзистора.

3) Прочитать маркировку тиристора 2Н104Б.

Вариант 6

1) Прочитать маркировку биполярного транзистора BC107A.

2) Прочитать маркировку терморезистора КМТ1.

2) Маркировка полевого транзистора.

Вариант 7

1) Прочитать маркировку биполярного транзистора BC107BP.

2) Прочитать маркировку терморезистора СТ61А.

2) Маркировка тиристора.

Вариант 8

1) Прочитать маркировку интегральной микросхемы КМ155ЛЕЗ.

2) Прочитать маркировку варистора СН1111500.

2) Маркировка терморезистора.

Вариант 9

1) Прочитать маркировку фототранзистора ФУГЗ003.

2) Прочитать маркировку варистора СН121.

3) Маркировка варистора.

Вариант 10

1) Прочитать маркировку операционного усилителя LM143.

2) Прочитать маркировку светодиодов АЛ307А.

3) Маркировка светодиодов.

Вариант 11

1) Прочитать маркировку биполярного транзистора ГТ330Д.

2) Прочитать маркировку фоторезисторов ФРБ2002.

3) Маркировка фоторезистора.

Наименование объектов контроля и оценки Основные показатели оценки результата Критерии оценки
Уметь: У.3 «Читать» маркировки деталей и комплектов электронной аппаратуры. Знать: 3.4 Основы микроэлектроники, интегральные микросхемы и логические устройства   - Умение «читать» маркировки деталей и комплектов электронной аппаратуры; - Понимать основы микроэлектроники; - Понимать интегральные микросхемы; - Понимать логические устройства. 5 «отлично»: - ответы на вопросы полные; - высокая степень ориентированности в материале; - представлены рациональные предложения по возможным вариантам решений задания; - проанализированы все задания; - дан логический вывод по каждому из вопросов; - обоснован каждый вариант ответа на вопрос.   4 «хорошо»: - ответ на один из вопросов не полный; - степень ориентированности средняя в материале; - анализ заданий неполный, ответы не точные, обобщающие; - нет четкого обоснования каждому варианту ответа на вопрос.   3 «удовлетворительно»: - ответ на вопросы дан неполный; - степень ориентации низкая в материале; - анализа заданий нет; - нет обоснования ответа на вопросы.   2 «неудовлетворительно»: - ответа на вопроса нет; - степень ориентации нет в материале; - нет анализа заданий;

4.4 Практическое задание

Практическое задание включает в себя изготовление радиоприемника и создание технологической карты, куда входит описание работы, наименование деталей и компонентов, и схема. Оценкой данной работы является работоспособность устройства и оформление отчета.

Наши рекомендации