Технологические характеристики процесса

Производительность УЗРО определяется количеством удаляемого с заготовки материала в единицу времени и зависит от физико-механических свойств обрабатываемого материала, амплитуды и частоты колебаний инструмента, давления его на обрабатываемую заготовку, характера абразива и его концентрации в суспензии, условий обмена абразива в зоне резания, площади и глубины обработки и других факторов. Материалы, имеющие критерий хрупкости t_х (под которым понимается отношение сопротивления сдвигу к сопротивлению на отрыв ) более 2 (стекло, германий, кремний и др.) наиболее эффективно обрабатываются УЗ методом. Производительность обработки таких материалов почти пропорциональна квадрату критерия хрупкости и достигает на станках средней мощности (50-84) мм³ /с. Значительно хуже (в 100 раз и более) обрабатываются данным методом твердые сплавы и другие материалы, имеющие хрупкости менее 2 (1<t_x < 2). Величина оптимальной удельной статической нагрузки, соответствующая максимальной производительности, зависит главным образом от площади инструмента, амплитуды колебаний, среднего размера абразивных зерен, свойств обрабатываемого материала и конфигурации инструмента. Для инструментов площадью 50-150 мм² , амплитуды колебаний 30-50 мкм и абразива карбида бора № 5 значение оптимальной статической нагрузки находится в пределах 0,15-0,2 МПа.

Из всех используемых видов абразива наибольшую производительность обеспечивает карбид бора (В₂С), за исключением алмаза, который применяется редко. В С используется при обработке твердых сплавов, драгоценных камней. Электрокорунд и карбид кремния пригодны для стекла, керамики и других менее прочных материалов. Максимальная производительность достигается при 30-40 % весовой концентрации абразива в суспензии.

С увеличением глубины обработки производительность снижается за счет ухудшения условий обмена в рабочей зоне абразивной суспензии и эвакуации продуктов резания. Улучшение условий обработки с увеличением глубины может быть достигнуто - периодическим подъемом инструмента в процессе обработки, применением полого инструмента с толщиной стенки 0,3-0,5 мм, нагнетанием суспензии через отверстие в инструменте (или детали) и вакуумного отсоса абразивной суспензии.

Так при нагнетании абразивной суспензии через отверстие в инструменте с давлением 0,2-0,3 МПа производительность обработки стекла достигает 166 мм /с.

Основное влияние на точность УЗРО оказывает стабильность рабочего зазора между стенками детали и инструмента. Величина бокового зазора зависит от: зернистости абразива, глубины обработки, износа инструмента, наличия поперечных колебаний инструмента и других факторов. Величина образующегося зазора при ФУЗРО примерно в 1,5 раза больше среднего размера зерен абразива основной фракции. Для повышения точности обработки осуществляют коррекцию размеров инструмента. На черновых операциях при работе абразивами зернистостью № 8-12 коррекция размеров инструмента по сравнению с номинальными размерами детали составляет 0,2-0,3 мм, а при чистовой обработке абразивами № 3-М40 около 0,08-0,10 мм. При УЗРО возникают также неточности геометрической формы обрабатываемых поверхностей: конусность, овальность, округления поверхности на входе инструмента в деталь и сколы на выходе его из детали. Округления исключают последующим шлифованием, а сколы - подклейкой перед обработкой дополнительной детали (например, стеклянной пластинки). Конусность сквозных отверстий уменьшают последующей калибровкой контура неизношенной частью инструмента и применением более мелкого абразива. При УЗРО достижима точность размеров 0,01-0,02 мм, а точность взаимного расположения поверхностей в пределах +- 0,005 мм.

Качество поверхности. Шероховатость обработанной поверхности зависит от величины абразивных зерен, свойств обрабатываемого материала, величины амплитуды, шероховатости поверхности инструмента и типа жидкости, несущей абразив. Шероховатость поверхности определяется величиной частиц материала, скалываемых с поверхности детали абразивными зернами. Следовательно, шероховатость уменьшается с уменьшением размеров зерна и с увеличением твердости материала. Кроме этого следует отметить, что шероховатость поверхности дна глухих отверстий на 1,5-6 мкм меньше, чем шероховатость на боковых стенках. Использование мелких абразивных зерен и небольшой амплитуды позволяют получить шероховатость для многих материалов в пределах R_z= 2,5-0,32 мкм.

УЭРО не сопровождается такими дефектами термического происхождения, как трещины и прижоги, которые возникают при шлифовании и электроэрозионном методе. Установлено, что при УЗРО твердого сплава и закаленной стали происходит упрочнение поверхностного слоя и возникают сжимающие остаточные напряжения. Поверхностный слой хрупких неметаллических материалов содержит трещиноватый слой, глубина которого при обработке стекла, кварца, ситалла, примерно в четыре раза больше высоты микронеровностей поверхности R _z .

Применение УЗРО

Метод используется в приборостроении для обработки таких материалов как: германий, кварц, керамика, кремний, рубин, сапфир, стекло, титанат бария, фарфор, ферриты, турмалин, ситалл и других материалов, из которых изготовляют детали полупроводниковых и оптических приборов, кварцевые резонаторы, фильтры, изоляторы, различные платы, корпуса, излучатели, детали счетно-решающих машин и запоминающих устройств. Кроме этого метод используется в инструментальном производстве для изготовления пресс-форм, вырубных, вытяжных штампов, фильер, волок и фасонных резцов в сочетании с электроэрозионной обработкой. С помощью УЗРО осуществляются следующие операции: резание заготовок на пластины, вырезание из пластин деталей различной формы и размеров, изготовление отверстий, щелей, полостей, шлифование, фрезерование, точение, нарезание резьбы, гравирование и клеймение.

Ультразвуковое разрезание производится ножевидным инструментом (рис. 4.2 д) или проволочным инструментом (рис. 4.2 з) с толщиной режущей части инструмента 0,08-0,5 мм. При разрезании заготовки на тонкие пластины целесообразно применять инструмент, представляющий набор лезвий, впаянных в оправу на концентраторе. Минимальная толщина получаемых пластин составляет 0,1-0,08 мм.

Изготовление сквозных и глухих отверстий - наиболее распространенная операция УЗРО (рис. 4.2 ж). Размеры сечений отверстий, обрабатываемых ультразвуковым методом, находятся в пределах 0,1-120 мм. Максимальная глубина отверстий достигает обычно 30-40 мм. Точность обработки отверстий составляет 7-10 квалитет (0,005-0,07 мм), а точность их взаимного расположения достигает +- 0,005 мм.

При ультразвуковом шлифовании деталь перемещается под инструментом также, как и при обычном шлифовании (рис. 4.2 в). Процесс осуществляется на универсальных шлифовальных станках с применением специальных акустических головок. В качестве инструмента применяются специальные шлифовальники из стали 45, с радиальными и кольцевыми канавками, способствующими хорошему обмену абразива в рабо-чей зоне. УЗ шлифование используется в основном для обработки стекла, керамики и других диэлектрических материалов и обеспечивает шероховатость поверхности R_а = 0,16-0,08 мкм.

УЗ обработка- единственный способ нарезания резьбы в твердых диэлектриках (рис. 4.2 е). Инструмент вместе с ультразвуковой головкой подается в деталь при помощи винта, имеющего шаг нарезаемой резьбы. Резьба получается тем точнее, чем меньше амплитуда колебаний и чем меньше абразивные зерна.

Рис. 4.2. Операции размерной ультразвуковой обработки :

а, б- фрезерование, в- шлифование, г- точение, д- разрезание, е- нарезание резьбы, ж- прошивание отверстий, з- разрезание проволочным инструментом:

1- инструмент-проволока, 2- подающая и приемная катушки, 3- электродвигатель, 4- подача абразивной суспензии, 5- заготовка, 6- акустическая головка.

Новым перспективным способом УЗО является обработка вращающимся или закрепленным абразивно-алмазным инструментом, колеблющимся с ультразвуковой частотой в безабразивной среде при осевой или поперечной подаче инструмента относительно изделия. Этот способ по сравнению с обработкой с суспензией абразива позволяет повысить скорость сверления круглых отверстий в хрупких материалах в 5-10 раз, а также точность обработки и стойкость инструмента. Обработка ведется при частоте вращения инструмента 16,6-3,33 с^-1 и рекомендуется для изготовления отверстий диаметром 0,3-26 мм.

ЛАЗЕРНАЯ ОБРАБОТКА

Основные сведения о процессе

В технологических целях для решения таких задач, как прошив-ка отверстий, резка металлов, сварка, поверхностное упрочнение деталей, динамическая балансировка тел вращения и т.д. начинает широко применяться обработка лучом лазера.

Лазерная обработка основана на применении мощного светового потока, вызывающего плавление или испарение обрабатываемого материала. При этом процесс взаимодействия лазерного излучения с обрабатываемым материалом разделяется на следующие основные стадии: поглощение света с последующей передачей энергии тепловым колебаниям решетки твердого тела; нагревание материала без разрушения, включая и плавление; разрушение материала путем испарения и выброса его расплавленной части; остывание после окончания воздействия. Нагревание и плавление используется при термообработке и сварке различных материалов, а на испарении и выбросе расплавленной части основаны операции размерной обработки (сверление, резка и др.).

Возможность получения высокой плотности светового потока обусловлена малой расходимостью лазерного излучения (являющейся следствием его высокой пространственной когерентности), благодаря чему лазерный луч легко можно направить в заданную область пространства с помощью системы зеркал, призм или световодов и сконцентрировать большую часть его энергии в малой области обрабатываемого материала посредством фокусирующей оптической системы.

Возможность острой фокусировки лазерного излучения в значительной степени определяется его высокой монохроматичностью (узким спектральным интервалом). Излучение немонохроматического источника (например, Солнца ) невозможно сфокусировать на площадку диаметром в 1 мкм из-за явления хроматической аберрации - свойства оптических систем фокусировать свет разной длины волны в разные точки. Отсюда плотность такого излучения не превышает 2,5*10³ Вт/см² , что достаточно только для плавления некоторых тугоплавких металлов. Лишь источник монохроматического света позволяет сфокусировать световое излучение на площадке, линейные размеры которой сравнимы с длиной волны фокусируемого излучения, обеспечивая плотность светового потока до 10¹⁴ Вт/см² , что позволяет плавить и испарять любые материалы независимо от их физико-механических характеристик.

В основе принципа действия лазера[1] лежит явление вынужденного (или индуцированного) излучения для генерации когерентных электромагнитных колебаний в оптическом диапазоне спектра.

Как известно, наряду со спонтанным излучением возбужденного атома (атомы излучают свет независимо друг от друга) существует вынужденное (или индуцированное) излучение: атомы излучают под действием внешнего быстропеременного электромагнитного поля, например, света, при этом атом излучает вторичную волну, у которой частота, поляризация, направление распространения и фаза полностью совпадают с характеристиками внешней волны, действующей на атом.

Именно эта особенность вынужденного излучения позволяет использовать его для усиления электромагнитных волн и для создания генераторов когерентного света. Чтобы осуществить это прак[ГА1] тически необходимо выполнить следующие условия;

1. Нужно рабочее вещество с инверсной населенностью. Состояние вещества, в котором число атомов на одном из уровней с более высокой энергией больше числа атомов на уровне с меньшей энергией называется активным или состоянием с инверсной населенностью.

2. Вторая проблема - проблема обратной связи. Для того чтобы свет управлял излучением атомов, необходимо, чтобы часть излучаемой световой энергии все время оставалась внутри рабочего вещества, вызывая вынужденное излучение света все новыми и новыми атомами. В простейшем случае рабочее вещество помещается между двумя зеркалами, одно из которых полупрозрачно. Испущенная в каком-либо месте в результате спонтанного перехода атома световая волна усиливается за счет вынужденного испускания при распространении её через рабочее вещество. Дойдя до полупрозрачного зеркала, свет, частично пройдет через него. Эта часть световой энергии излучается лазером во вне и может быть использована. Отразившаяся часть света от полупрозрачного зеркала даст начало новой лавине фотонов.

3. Усиление, даваемое рабочим веществом, а значит, числа возбужденных атомов или молекул в рабочем веществе должно быть больше порогового значения, зависящего от коэффициента отражения полупрозрачного зеркала. Т.е. усиление на двойном расстоянии между зеркалами должно быть таким, чтобы на полупрозрачное зеркало возвращалась каждый раз световая энергия, не меньшая, чем в предыдущий раз. В противном случае наступит процесс ослабления излучения, который приведет к затуханию светового потока. Ясно, что чем меньше коэффициент отражения полупрозрачного зеркала, тем большим пороговым усилением должно обладать рабочее вещество.

При выполнении этих трех условий мы получаем систему, способную генерировать когерентный свет, и называемую лазером или оптическим квантом генератором (ОКГ).

Характеристики ОКГ в значительной степени определяются агрегатным состоянием активного вещества. По этому признаку различают твердотельные, газовые и жидкостные ОКГ. В отдельную группу выделяют полупроводниковые ОКГ, хотя используемые в квантовой электронике полупроводники являются твердыми телами. Объясняется это тем, что характер генерации в полупроводниках существенно отличается от генерации в обычных твердотельных ОКГ. В свою очередь, каждая из групп может быть подразделена на более мелкие подгруппы. Например, в газовых ОКГ могут быть использованы энергетические уровни молекул, атомов или ионов. В связи с этим газовые лазеры подразделяются на молекулярные, атомарные и ионные.

Любой ОКГ включает з себя устройство (систему накачки), в котором используется какое-либо физическое явление, позволяющее осуществлять инверсию необходимой величины. Различают оптическую накачку - при облучении рабочего вещества светом определенной частоты - и электрическую - при прохождении тока через рабочее вещество. В последнее время большое внимание уделяется химической накачке, когда инверсия возникает при той или иной химической реакции. В некоторых типах лазеров, например, газовых, можно встретить ОКГ с оптической и электрической, так и с химической накачкой. Полупроводниковые ОКГ могут иметь электрическую или оптическую накачку. В твердотельных ОКГ электрическая накачка не осуществляется, так как используемые твердые тела для ОКГ являются диэлектриками.

Из всех представленных квантовых генераторов энергетические параметры жидкостных и полупроводниковых ОКГ в настоящее время не достигли уровня, обеспечивающего эффективное применение их в технологических целях.

Первыми для обработки материалов стали использовать твердотельные лазеры на рубине и стекле с неодимом. Принцип действия, параметры и возможность этих генераторов примерно одинаковые. В последнее время разработан перспективный лазер на иттрий - алюминиевом гранате (ИАГ) с примесью неодима, который в настоящее время дает рекордную для твердотельных ОКГ мощность излучения, равную 1,1 кВт при работе в непрерывном режиме.

Сравнительно недавно начали применять газовые лазеры (активные среды: He-Ne; N₂; Ar; He-Cd; CO₂-N₂-H₂ и др.), их КПД на порядок выше твердотельных и составляет 10-25 %.

Большинство ОКГ (твердотельных и газовых) могут работать как в непрерывном, так и импульсном режиме. Однако первый характерен для газовых ОКГ, второй- для твердотельных.

Принцип действия ОКГ рассмотрен на примере твердотельного лазера (см. рис.5.1 1,2).

Создание инверсии населенностей в твердотельных лазерах производится оптической накачкой с помощью ламп-вспышек (в) световой поток которых поглощается рабочим веществом (а), возбуждая его.

Питание лампы-вспышки осуществляется от источника (2). Для лучшей концентрации светового потока на элементе применяется рефлектор (г). Значительная часть энергии (до 50 %), поглощенной активным элементом, тратится на его нагрев, ухудшающий работу лазера. Чтобы исключить это применяют систему охлаждения (3). Луч света, испускаемый активным элементом, усиливается за счет многократного отражения от глухого зеркала (б) и выходного полупрозрачного зеркала (б) и выходит из оптического резонатора в виде узконаправленного светового луча (д) с малым углом расходимости, который с помощью оптической системы (4) можно сфокусировать в точку, линию, группу параллельных линий, окружность и т.д.

Рис. 5.1. Схема ОКГ на твердом теле (1) и структура импульса излучения (2):

1- лазерная головка ( а- активный элемент, б1, б2- глухое и полупрозрачное зеркала резонатора, в- лампа накачки, г- рефлектор, д- лазерный луч), 2- источник питания лампы накачки, 3- блок охлаждения, 4- оптическая система, 5- наблюдательная система, 6- рабочий стол, 7- заготовка, 8- блок управления.

Диапазон длин волн, генерируемых различными типами лазеров, весьма широк и составляет примерно от 0,1-70 мкм. Для технологических целей обычно используют ОКГ, у которых длина волн ( ) находится в пределах 0,4-10,6 мкм. Диаметр луча на выходе 0КГ (без системы 4) определяется размерами активного элемента и зависит в основном от энергии накачки W_H . Несмотря на то, что лазерный луч высоко когерентен, он имеет определенную угловую расходимость ( ), которая определяется как:

(5.1)

где d_л - диаметр луча в месте его выхода из резонатора. Практически из-за дифракционных явлений величина на 1-2 порядка больше расчетной и составляет единицы или несколько десятков угловых минут.

Длительность импульса определяется длительностью импульсного разряда ламп накачки, оптическими свойствами активного элемента свойствами резонатора и температурным режимом. У твердотельных ОКГ =0,1-5 мс., при этом на протяжении всего импульса генерация происходит отдельными пучками, последовательность которых, как правило, нерегулярная =1,0-5мкс, а длительность интервала между пучками составляет 0,1-0,5 мкс в течение основного времени генерации и может увеличиваться до десятков и сотен микросекунд в конце светового импульса (см. рис. 5.1 4 ). Средняя мощность импульсного излучения твердотельных ОКГ лежит в диапазоне от единиц до сотен киловатт. Мощность газовых лазеров на нейтральных атомах составляет милливатты, а у молекулярных от единиц ватт до сотен ватт. В последнее время разработаны СО₂ -лазеры с быстрой поперечной прокачкой газа, циркулирующего в замкнутом объеме. Как следует из зарубежной печати, при сравнительно небольших габаритах на них удается получить уровни мощности 6-10 кВт

в непрерывном режиме генерации.

Выходная энергия твердотельных лазеров находится в пределах от долей джоуля до тысяч джоулей, а ЩД их не более 1-2 %.

Средняя плотность потока энергии в поперечном сечении луча при использовании фокусирующих оптических систем, как уже отмечалось, может достигать 10 Вт/см, сварка и резка тонких пленок осуществляется при плотностях менее 10 Вт/см, а размерная обработка материалов значительной толщины при плотностях потока более 10⁷-10⁸ Вт/см и длительности импульса менее 1,5 мс.

технологические операции лазерной обработки

Обработка отверстий является одним из первых направлений лазерной технологии. С помощью луча лазера изготовляют отверстия диаметром от нескольких микрометров до нескольких миллиметров глубиной до 15 мм в таких трудно обрабатываемых материалах как твердые сплавы, магнитные материалы, жаропрочные и специальные сплавы, алмазы, ферриты, керамика и т.п. На лазерных установках «Квант», «Корунд», «Кристалл» и др. изготовляют отверстия в алмазных фильерах, рубиновых часовых камнях, в ферритовых пластинках памяти, в подложках микросхем, соплах, форсунках и других деталях.

В настоящее время отечественная приборостроительная промышленность полностью перешла на лазерную обработку отверстий в рубиновых часовых камнях. Сложность данной операции состоит в том, что в твердом хрупком материале - синтетическом рубине необходимо сверлить отверстие диаметром 50-60 мкм при допуске по диаметру в несколько микрометров и отсутствии на его поверхности трещин и сколов. При лазерной технологии на одной установке за смену изготовляется 22 тыс. камней, а при механической обработке на шести двадцати шпиндельных станках - не более 2500 заготовок, кроме этого улучшаются условия труда, высвобождаются производственные площади, большое число рабочих и обеспечивается экономический эффект 1 млн. рублей.

При изготовлении отверстий применяют две схем:

1. Одноимпульсную прошивку - отверстие формируется за один импульс. Точность отверстий по диаметральным размерам соответствует 9-11 квалитету, по продольным - II -13 квалитету, шероховатость поверхности R_a=2,5-0,32 мкм, а глубина получаемых отверстий не более 5 мм.

Диаметр d и глубину Н отверстия, получаемого в непрозрачном материале, определяют по формулам:

( 5.2)

(5.3)

где D₀ - начальный диаметр лунки; W - энергия излучения импульсного ОКГ; - половинный угол раствора светового конуса, создаваемого оптической системой; L₀ - удельная энергия испарения материала при Т =0 К (при абсолютном нуле.) .

Геометрия отверстия зависит от энергетических параметров луча, положения фокуса оптической системы относительно поверхности заготовки, фокусного расстояния этой системы и теплофизических свойств обрабатываемого материала. На рис. 5.2 представлена зависимость формы продольного сечения отверстия от положения фокуса лазерного луча относительно обрабатываемой поверхности. Как видно из рис. 5.2, отверстия имеют максимальную глубину и почти цилиндрическую форму при положении фокуса лазерного луча на поверхности обрабатываемого изделия, в остальных случаях наблюдается изменение формы продольного сечения от конической до параболической.

Рис. 5.2. Зависимость формы продольного сечения отверстия от положения фокуса лазерного луча относительно обрабатываемой поверхности.

Рис. 5.3 Схема газолазерной резки.

2. Многоимпульсная обработка - отверстие получается большим количеством коротких импульсов с малой энергией, величина которой определяет шероховатость поверхности, глубину поверхностного измененного слоя и точность обработки. По мере углубления отверстий заготовка смещается навстречу лучу. Процесс позволяет изготовлять отверстия глубиной до 15 мм при отношении H/d до 50 с Точность’0 диаметральных размеров по 9 квалитету, а при глубине отверстия меньше его диаметра - 7-8 квалитет. Многоимпульсный режим широко применяется для обработки неметаллических материалов и тонких металлов. При этом получаемые точные отверстия могут иметь поперечное сечение не только круглой, но и профильной формы, что достигается диафрагмированием лазерного потока. При лазерной обработке (по1и 2 схеме) на боковой поверхности отверстий наблюдается дефектный (с измененной структурой, трещинами и т.д.) слой глубиной 0,05-0,1 мм, а на поверхности со стороны входа луча образуется кольцевой валик из застывшей жидкой фазы. Глубину измененного слоя уменьшают удалением из отверстия жидкой фазы обрабатываемого материала поддувом воздуха или отсосом; повышением плотности паров материала за счет увеличения плотности мощности излучения, чем обеспечивается более эффективное выдувание жидкой фазы.

Лазерное резание и скрайбирование полупроводниковых материалов используется в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Разделение материалов может быть осуществлено либо при полном удалении материала по линии разреза, либо при частичном удалении - скрайбировании[2] с последующим разломом, а также с помощью способа термораскалывания, при котором удаления материала нет, а разделение производиться разломом по линии действия теплового источника. Наиболее перспективны для разделения полупроводников лазеры на границе, которые позволяют осуществлять прецизионную резку кремниевых пластин толщиной 0,25 мм со скоростью 2 мм/с. Лазерное скрайбирование ведется со скоростью до 250 мм/с при ширине реза до 25 мкм и глубине до 50 мкм. Данный процесс сокращает трудоемкость операций разделения пластин кремния в 10-15 раз по сравнению с алмазным и может быть применен в микроэлектронике для разделения пластин из керамики, ситалла и других материалов.

Разрезание металлов и неметаллических материалов значительной толщины производится, как правило, с поддувом активного или нейтрального газа (см. рис. 5.3). Сущность этого процесса, получившего название газолазерной резки (ГЛР), состоит в том, что соосно с лучом лазера в зону обработки подается, например, кислород, который поддерживает горение материала, очищает зону резания от продуктов процесса и интенсивно охлаждает стенки реза. ГДР позволяет получить значительную скорость и глубину резания, а также лучшее качество реза. Этим способом удается резать неметаллические материалы толщиной до 20-50 мм, а металлы до 10-13 мм. При этом стекло толщиной 8-10 мм режется со скоростью 25 мм/с, а коррозионно-стойкая сталь - б мм/с. Ширина реза находится в пределах 0,1-1 мм.

Подгонка толсто пленочных резисторов осуществляется автоматически на установках типа «Кристалл-6» с точностью подгонки до +- 5%. Толщина обрабатываемых пленок до 30 мкм, ширина реза 0,1-0,2 мм, машинное время подгонки одного резистора 0,2-1,5с.

Подгонка тонкопленочных резисторов микросхем может выполняться на установке «Кристалл-10/ со скоростью обработки 4 мм/с при толщине пленки до 1 мкм и ширине реза 5-30 мкм.

В последнее время разработан лазерный метод маркировки (печатание цифр) на тонких пластинках кремния и феррита. Сущность процесса заключается в том, что лазерный луч через маску и оптическую систему проектируется на поверхность образца, и производится испарение поверхностного слоя материала без разрушения последнего. Прогресс современной микроэлектроники во многом зависит от развития метода фотолитографии.

Метод лазерной литографии обладает достаточно высокой точностью (1-1,5 мкм) и производительностью. Применение лазеров с мощностью в импульсе 50-100 кВт при частоте их следования 100-150 Гц обеспечивает скорость рисования линии до 20 м/с, что требует на обработку фотошаблона не более 3,5-5 часов.