| Погрешность базирования Деб |
По двум плоским поверхностям
| Thtgoi при ос^90° О при а-90° ТН |
Обработка уступа
ТЕ
| По наружной цилиндрической поверхности В призме при обработке плоской поверхности или паза |
| 0,5 77) I sin а при р = а -г- 90е |
| oWi-8"^ \ sin а при р = 0ч-а |
sin L
0,5 ТО
sin а
где TD — допуск на наружный диаметр заготовки
| По наружной цилиндрической поверхности В призме при обработке плоской поверхности или паза при Р = 90 |
| 0 ,5 TD[ —1------ 1 sin а |
| 0,5 77) ( ------ + 1 sin а |
0,5 га—
То же, при Р = 0°
В призме при обработке плоской поверхности или паза
Н\
TD
Продолжение табл. 18
Погрешностьбазирования Аеб
То же, при 2ct= 180° и зажиме призмой
| То же, но призма выполнена со сферическими опорами |
А - 0,577)
А + 0,577)
A = \/(r + 0,5Dmin + 0,5TD¥- -0,5L2-j/(r + 0,57)min)2-
— 0,25L2 , где L — расстояние между центрами опор
| 0,577>( 4sina при h >0,57) 0,577)----- при А = 0,57) sin a |
В призме при сверлении отверстий по кондуктору
0,577)( —1— + 1 \sina
при h <0,57)
То же, при 2а = 180° и зажиме призмой
е — эксцентриситет оси отверстий относительно наружной поверхности
| То же, но при использовании самоцентрирующихся призм |
е = 0
По отверстию На палец установочный цилиндрический (оправку) с зазором при обработке плоской поверхности или паза
Продолжение табл. 18
Погрешность базирования Двб
То же, но с односторонним прижатием заготовки
На палец (оправку) с натягом или на разжимную оправку
На палец (оправку) с зазором. Торец заготовки неперпендикулярен оси базового отверстия
0,5ГО + 2г + 5,+52 + + 2Д — 2/tga
| 0,577) + 2<? + 0,552+/tga |
То же, но с односторонним прижатием заготовки
На палец (оправку) без зазора. Торец заготовки неперпендикулярен оси базового отверстия
up
По центровым гнездам
На жесткий передний центр
Продолжение табл. 18  Примечания:1. На схемах 10—16 и 19: #3 — размер от обрабатываемой поверхности до оси наружной поверхности; Н4 —то же, до оси отверстия; е— эксцентриситет наружной поверхности относительно отверстия; 5] — допуск на диаметр отверстия; 8-. — допуск на диаметр пальца; А — минимальный радиальный зазорпосадки заготовки на палец; 6/—допуск на длину заготовки. 2.Погрешность базирования в схемах 11 — 16 включает погрешность приспособления Аепр. 3. На схеме 17: 8,/ — допуск на диаметр центрового гнезда; а — половина угла центрового гнезда; Ац — погрешность глубины центрового гнезда (просадкацентра). При угле центра 2а= 60° просадку центров Ац можно принимать: |
Наибольший диаметр центрового гнезда, мм 1; 2; 2,5 4; 5; 6 7; 5; 10 12,5; 15 20; 30
Ац, мм............................................. 0,11 0,14 0,18 0,21 0,25
Основные принципы базирования заготовок. 1. При высоких требованиях к точности обработки необходимо выбирать такую схему базирования, которая обеспечивает наименьшую погрешность установки.
2. Для повышения точности деталей и собранных узлов необходимо применять принцип совмещения баз — совмещать технологическую, измерительную и сборочную базы.
3. Целесообразно соблюдать принцип постоянства базы. При перемене баз в ходе технологического процесса точность обработки снижается из-за погрешности взаимного расположения новых и применявшихся ранее технологических баз.
Для установки заготовок на первой операции технологического процесса используют черные (необработанные) поверхности, применяемые в качестве технологических баз. Эти поверхности используют однократно, при первой установке, так как повторная установка на необработанную поверхность может привести к значительным погрешностям во взаим- нрм расположении обработанных при этих установках поверхностей. Для заготовок, полученных точным литьем и штамповкой, это правило не является обязательным.
Выбранная черная база должна обеспечивать равномерное распределение припуска при дальнейшей обработке и наиболее точное взаимное расположение обработанных и необработанных поверхностей деталей.
На первых операциях технологического процесса обрабатывают базы (обычно это основные плоские поверхности, отверстия детали). В тех случаях, когда поверхности детали не удовлетворяют требованиям, предъявляемым к базам, и по своим размерам, формам или расположению не могут обеспечить устойчивой установки, на детали создают искусственные базы (центровые отверстия, пла- тики, выточки или отверстия). Условные обозначения опор приведены в табл. 19 и 20, а примеры их применения — в табл. 21.
При неоднократном базировании заготовок происходит изнашивание и смятие поверхностей заготовок, используемых в качестве баз. Смещения заготовки, связанные с этим явлением, учитывают при расчете погрешности установки Аеу.
