Структура и режимы работы биполярного транзистора

Биполярный транзистор – один из важнейших полупроводниковых приборов – был изобретен группой исследователей фирмы Bell Laboratories в 1947-48 гг. За это важное открытие Дж. Бардину, У. Бардину и У. Шокли была присуждена Нобелевская премия по физике 1956 года.

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими электронно-дырочными переходами и тремя выводами, усилительные свойства которых обусловлены явлением инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Термин «биполярный» подчеркивает роль обоих типов носителей заряда (электронов и дырок) в работе этой группы транзисторов.

Биполярный транзистор состоит из трех областей. Среднюю часть называют базой. К базе с двух сторон примыкают области противоположного типа электропроводимости. Таким образом, в едином монокристалле образованы два электронно-дырочных перехода. Примыкающие к базе области обычно делают неодинаковыми. Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей в базу, называют эмиттером, соответствующий p-n-переход – эмиттерным. Область транзистора, основным назначением которой является экстракция носителей из базы, называют коллектором, соответствующий p-n переход – коллекторным.

Эмиттерная область – самая сильно легированная из трех областей транзистора. База транзистора должна быть тонкой, так как взаимодействие между переходами может осуществляться лишь в том случае, если толщина базы будет намного меньше диффузной длины неосновных носителей заряда.

Существуют два типа биполярных транзисторов: p-n-p и n-p-n, схематическое изображение которых приведено на рис 8.1.

а)	б)

Рис.8.1 Схематическое изображение биполярных транзисторов и их обозначения на электронных схемах: а) p-n-p транзистор; б) n-p-n транзистор; Э – эмиттер, Б– база, К – коллектор

Каждый из двух p-n-переходов биполярного транзистора может быть включен либо в прямом, либо в обратном направлении. Это соответствует трем режимам работы транзистора:

· режим отсечки – оба p-n-перехода включены (смещены) в обратном направлении (заперты), через них проходят сравнительно малые токи;

· режим насыщения – оба p-n-перехода смещены в прямом направлении (открыты) при этом через транзистор проходят относительно большие токи;

· активный режим – один из переходов (эмиттерный) смещен в прямом направлении, а другой (коллекторный) — в обратном.

В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. В активном режиме такое управление осуществляется наиболее эффективно. Причем транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы (усиление, генерирование, переключение и т.п.).

Основные характеристики транзистора определяются в первую очередь процессами, происходящим в базе. В зависимости от распределения примесей в базе может существовать или отсутствовать электрическое поле. Если при отсутствии тока в базе существует электрическое поле, которое способствует движению неосновных носителей заряда от эмиттера к коллектору, то транзистор называют дрейфовым, если же поле в базе отсутствует, то транзистор называют бездрейфовым.