Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора

ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ

Контрольной работы

  1. Контрольная работа (КР) выполняется на отдельных листах формата А4.
  2. На титульном листе приводятся следующие данные:

Воронежский государственный технический университет;

кафедра электромеханических систем и электроснабжения;

наименование КР;

номер варианта;

фамилия и инициалы студента, шифр и номер группы, факультет;

фамилия и инициалы преподавателя;

город, год.

  1. Номер варианта – по последним цифрам номера зачетной книжки (смотри в конце описания ).
  2. КР должна содержать: задание, данные для расчета, исходную и преобразованную схемы, полный расчет по каждому пункту задания с необходимыми пояснениями, графиками, диаграммами и выводы.
  3. Электрические схемы, графики и диаграммы выполняются согласно Госстандарту карандашом с помощью чертежных инструментов. Приветствуется компьютерный вариант.

Контрольная работа №1

ОПРЕДЕЛЕНИЕ h–ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ПО ЕГО ВОЛЬТ-АМПЕРНЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ

Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора

Транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, структура которого содержит два электронно-дырочных перехода. Транзистор представляет собой монокристаллическую пластину полупроводника, в которой с помощью особых технологических приемов созданы три области, две из них имеют одинаковый тип электропроводности и разделены между собой областью с иной электропроводностью. Эта средняя область называется базой, а две другие, крайние – эмиттером и коллектором.

Эмиттер осуществляет инжекцию (т.е. введение) неосновных носителей зарядов в базу, а коллектор – экстракцию (сбор) носителей. Транзистор, у которого эмиттер и коллектор имеют электропроводность р-типа относятся к p-n-p–типу. Если же база р–типа, а коллектор и эмиттер n-типа, то это транзистор n-p-n-типа (рис.2.1). В активном режиме коллектор транзистора p-n-p-типа подключается к отрицательному полюсу источника, а коллектор транзистора n-p-n-типа - к положительному.

В условных графических изображениях эмиттер изображается в виде стрелки. Направление тока эмиттера Iэ всегда совпадает с графическим изображением стрелки эмиттера.

Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru

Рис.2.1. Токи и напряжения в биполярном транзисторе

p-n-p (а) и n-p-n (б) типа

Принцип работы транзисторов обоих типов одинаков, различие заключается лишь в том, что в транзисторе n-p-n–типа через базу к коллектору движутся электроны, инжектированные эмиттером, а в транзисторе p-n-p–типа–дырки.

Принцип работы биполярного транзистора рассмотрим на примере транзистора p-n-p -типа включенного по схеме с общей базой (ОБ) (рис.2.2).

Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru

Рис.2.2. Биполярный транзистор p-n-p типа, включенный по схеме с ОБ

Между р- и n-областями возникают p-n переходы. Переход между эмиттером и базой называется эмиттерным (ЭП), а переход между коллектором и базой - коллекторным (КП). Как показано на рис.2.2, коллекторная цепь транзистора подключается к источнику э.д.с. - Екб ,т.е. КПсмещен в обратном направлении. В коллекторном переходе напряженность поля под действием Екб возрастает. Это приводит к появлению незначительного обратного тока Iко в коллекторной цепи, обусловленного движением неосновных носителей зарядов. Этот ток существенно возрастает с увеличением температуры, поэтому его называют тепловым током коллектора – Iко.

Эмиттерный переход внешним источником напряжения смещен в прямом направлении (ЭП, рис.2.2). Напряженность поля эмиттерного перехода при этом уменьшается. Через эмиттерный переход происходит инжекция дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер. В цепи эмиттера появится ток, равный сумме токов, обусловленных электронной Iэ(n) и дырочной Iэ(p) составляющими:

Iэ = Iэ(n) + Iэ(p) ≈ Iэ(p) (1)

Особенность транзистора состоит, в том, что концентрация дырок в эмиттере намного больше концентрации электронов в базе. Поэтому дырочная составляющая тока эмиттера значительно больше электронной. В базе происходит накопление неосновных носителей зарядов – дырок. В результате диффузии дырки перемещаются к коллекторному переходу. Часть дырок при этом рекомбинирует в базе с электронами, что создают ток в цепи базы Iб. Но так как толщина базы очень мала (несколько микрометров), то доля рекомбинированных дырок незначительна.

Вблизи коллекторного перехода дырки оказываются под действием электрического поля обратносмещенного перехода, увлекаются электрическим полем через переход в коллекторную область и далее – к выводу коллектора, где рекомбинируют с электронами, поставляемыми через внешнюю цепь источником э.д.с. Ек0, что создает ток в коллекторной цепи ток коллектора Iк.

Таким образом, ток эмиттера Iэ равен сумме токов базы Iб и коллектора Iк:

Iэ = Iк + Iб (2)

Ток коллектора состоит из потока дырок инжектируемых эмиттером за вычетом тока базы и собственного теплового тока коллекторного перехода:

Iк = Iэ(p) – (Iб +Iко) , (3)

Т.к. Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru , то ток базы равен:

Iб = Iэ - Iк (4)

и он составляет не более 1% от тока эмиттера.

Все сказанное справедливо также для транзистора n-p-n–типа с учетом высказанных ранее замечаний о перемене полярности источников питания схемы транзистора.

В зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим между входным источником сигнала и выходной цепью транзистора существуют три основные схемы включения транзистора в электрическую цепь: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором

(ОК) (рис. 2.3 а, б, в).

Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru

Рис.2.3. Схемы включения транзистора

с ОБ (а), ОЭ (б) и ОК (в)

Основными вольтамперными характеристиками (ВАХ) транзистора являются входная и выходная характеристики.

Зависимость

Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru при Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru – называют входной статической ВАХрис.2.4,б, а зависимость

Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ruприПринцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru- выходной статической ВАХрис.2.4,в.

ВАХ снимают в режиме по постоянному току и они представляют собой зависимости постоянных токов и напряжений.

При анализе работы транзистора и расчетах усилительных схем используется система параметров малого сигнала. Наиболее употребительна система h–параметров, связывающая малые приращения (дифференциалы) напряжения на входе транзистора dU1и выходного тока dI2 c малым приращением входного тока dI1 и выходного напряжения dU2 транзистора:

dU1=h11dI1 + h12dU2, (5)

dI2=h21dI1 + h22dU2. (6)

Указанные h-параметры входящие коэффициентами в уравнения (5,6) имеют следующий физический смысл:

Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru приПринцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru(7)

- дифференциальное входное сопротивление транзистора (индекс ОЭ означает, чтоh–параметр определен в схеме включения транзистора с ОЭ).

Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru при Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru (8)

- коэффициент обратной связи по напряжению, в большинстве случаев, при расчетах этим коэффициентом из-за его малости пренебрегают;

Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru при Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru (9)

- коэффициент прямой передачи тока эмиттера, это основной усилительный параметр транзистора.

Принцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ruприПринцип работы, характеристики и параметры малого сигнала биполярного транзистора - student2.ru(10)

Наши рекомендации