Экспериментальная часть. Протестировать p-n переходы p-n-p и n-p-n транзисторов мультиметром в режиме тестирования

Задание

Протестировать p-n переходы p-n-p и n-p-n транзисторов мультиметром в режиме тестирования диодов. Исследовать влияние тока базы на вольтамперную характеристику I_К(U_КЭ) p-n-pтранзистора с помощью осциллографа.

Порядок выполнения эксперимента

· Переключите мультиметр в режим тестирования диодов и измерьте падение напряжения на p-n переходах транзисторов по приведённым в табл. 2.5.1 схемам.
Примечание: в режиме тестирования диодов мультиметр измеряет падение напряжения на открытом p-n переходе при определённом токе (примерно 1 мА), создаваемом самим прибором. В обратном направлении он показывает обрыв цепи (1 в старшем разряде).

Таблица 2.5.1

Схемы изме- рений
DU, мВ

• Соберите цепь согласно схеме (рис. 2.5.2). В этой цепи между эмиттером и коллектором действуют полуволны синусоидального напряжения, а между базой и эмиттером - регулируемое постоянное напряжение. Диод VD1 включён для защиты эмиттерного перехода транзистора от пробоя при «неправильной» полярности источника постоянного напряжения, а диод VD2 – для исключения обратного напряжения между эмиттером и коллектором.

Рис. 2.5.2

• Включите осциллограф, настройте усиление и установите режим XY. Включите инвертирование канала Y для правильного отображения полярности сигнала.
• Регулируя тока базы от 0 до максимального значения и наоборот, пронаблюдайте за изменением кривой I_К(U_KЭ) на осциллографе. При нескольких значениях тока базы (включая нулевое и максимальное) перерисуйте кривую I_К(U_KЭ) с осциллографа на рис. 2.5.3. Не забудьте указать масштабы по осям и токи базы для каждой кривой.
• На семействе кривых I_К(U_KЭ) выберите какое-либо постоянное напряжение U_KЭ (например, 5 В) и на рис. 2.5.4 постройте зависимость I_К(I_Б) для этого значения напряжения U_KЭ. Рассчитайте и на этом же рисунке постройте график
  b(I_Б) =DI_К¤DI_Б. Нанесите шкалы по осям.

Рис. 2.5.3

Рис. 5.2.3.

Контрольные вопросы

1. В каких направлениях проводит ток p-n-p транзистор и в каких n-p-nтранзистор?

2. Почему с увеличением U_КЭ ток I_К вначале быстро растёт, а затем увеличивается медленно?

3. Как зависит коэффициент усиления b от тока базы?

Снятие статических характеристик транзистора на постоянном токе

Общие сведения

Свойства транзисторов описываются следующими четырьмя семействами характеристик.

Входная характеристикапоказывает зависимость тока базы I_Б от напряжения в цепи база/эмиттер U_БЭ (при U_КЭ = const).

Выходная характеристикапоказывает зависимость тока коллектора I_К от напряжения цепи коллектор/эмиттер U_КЭ при различных фиксированных значениях тока базы.

Характеристика управленияпредставляет собой зависимость тока коллектора I_К от тока базыI_Б (при U_КЭ = const).

Характеристика обратной связиесть зависимость напряжения цепи база ¤ эмиттер U_БЭ, от напряжения цепи коллектор/эмиттер U_КЭ при различных фиксированных значениях тока базы.