Порядок выполнения экспериментов

  • Соберите цепь согласно схеме (рис. 2.6.1, 2.6.2). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Регулирование напряжения UКЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения. Для предотвращения подачи обратного напряжения на транзистор в цепь коллектора включён диод. Переход эмиттер база также защищён шунтирующим диодом. Измерение тока базы IБ и напряжения UБЭ производятся мультиметрами на пределах 200 μА и 2 В соответственно, Пределы измерения тока коллектора IК и напряжения UКЭ изменяются в ходе работы по мере необходимости. При сборке схемы предусмотрите перемычки для переключения амперметра из одной ветви в другую.
  • Установите первое значение тока базы 20 μА, переключите миллиамперметр в цепь коллектора и, изменяя напряжение UКЭ согласно значениям, указанным в табл. 2.6.1, снимите зависимости IК(UКЭ) и UБЭ(UКЭ). Повторите эти измерения при каждом значении IБ, указанном в таблице.

Примечание: характеристики транзистора изменяются в ходе работы из-за его нагрева. Поэтому для большей определенности рекомендуется установить нужные значения IБЭ и UКЭ, выключить на 30 с блок генераторов напряжений, затем включить его и быстро записать показания приборов V1 и A2.

Порядок выполнения экспериментов - student2.ru

Рис. 2.6.1

Порядок выполнения экспериментов - student2.ru

Рис. 2.6.2

Таблица 2.6.1

UКЭ, В IБ = 20 μА IБ = 40 μА IБ = 60 μА IБ = 80 μА
IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В
               
0,5                
               
               
               
               
               
  • На рис. 2.6.3 постройте графики семейства выходных характеристик IК(UКЭ) и семейство характеристик обратной связи UБЭ(UКЭ), не забыв указать какому току базы соответствует каждая кривая.
  • Установите UКЭ = 0 и изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в табл. 5.3.2, снимите зависимость UБЭ(IБ), Увеличьте напряжение UКЭ до 5 В и снова снимите зависимость UБЭ(IБ), а также и IК(IБ). Повторите этот опыт также при UКЭ = 15 В. (При проведении этих измерений также учитывайте примечание к предыдущему опыту).
  • На рис. 5.3.3 постройте графики входных IБ(UБЭ) и регулировочных IК(IБ) характеристик, указав для каждой кривой соответствующие значения UКЭ.


Таблица 2.6.2

IБ, μА UКЭ = 0 В UКЭ = 5 В UКЭ = 15 В
UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА
           
           
           
           
           
           

Порядок выполнения экспериментов - student2.ru

Рис. 5.3.3

Контрольные вопросы

  1. Что такое область отсечки, область активного усиления и область насыщения на семействе выходных характеристик транзистора?
  2. Какое явление в транзисторе отражает характеристика обратной связи?
  3. Как можно построить характеристику управления по семейству выходных характеристик?

Выбор рабочей точки биполярного транзистора и ознакомление с режимами усиления переменного напряжения классов A, B, AB и D

Общие сведения

На рис. 2.7.1 изображены простейшая схема транзисторного усилителя с общим эмиттером и поясняющая диаграмма. Резистор RК является сопротивлением нагрузки, на резисторах R1 и R2 выполнен делитель напряжения, создающий постоянный ток в цепи база – эмиттер. Он поддерживает транзистор в открытом состоянии при отсутствии входного сигнала, благодаря чему через сопротивление RК протекает постоянный ток. При этом напряжение на транзисторе UКЭ(IК) = UПИТ – RКIК. Точки пересечения этой прямой с вольтамперными характеристиками IК(UКЭ) позволяют определить напряжение и ток в транзисторе при любом токе базы. В зависимости от начального положения точки покоя (при отсутствии входного сигнала) различают несколько классов усиления.

В класса А точка покоя выбирается в примерно в середине активной зоны от IК МАКС до IК ММИН, в которой характеристики транзистора близки к линейным (точка А на поясняюще диаграмме). В этом случае при подаче на базу переменного сигнала (например, синусоидального) в токе базы появляется переменная составляющая, что вызывает соответствующие изменения тока IК и напряжения UКЭ. Рабочая точка при этом перемещается по прямой линии UПИТ – RКIК между зонами насыщения (IК МАКС) и отсечки (IК МИН). Если входной сигнал не превышает допустимую величину, то происходит пропорциональное усиление всего сигнала. При превышении допустимого уровня наступает ограничение выходного сигнала на уровнях IК МАКС и IК МИН по току и на уровнях UКЭ МИН и UКЭ МАКС по напряжению.

Порядок выполнения экспериментов - student2.ru

Рис. 2.7.1

В классе АВ точка покоя смещена в сторону зоны отсечки, поэтому часть синусоидального сигнала (меньше полупериода) при усилении «обрезается».

В классе В усиливается точно половина синусоидального сигнала. Для этого точка покоя должна выбираться на границе зоны отсечки (точка В,D). В действительности её выбирают несколько выше, чтобы избежать искажений, вызванных существенной нелинейностью начального участка входной характеристики транзистора.

В классе D транзистор работает в ключевом режиме. Для этого точка покоя выбирается также как и в классе В на границе зоны отсечки, но на вход подаётся большой сигнал, чтобы транзистор быстро переходил в режим насыщения. Ещё лучше в этом режиме на вход подавать сигнал прямоугольной формы. Тогда отпадает необходимость в его большой амплитуде. Становится ненужной и цепь, задающая начальное смещение (делитель из резисторов R1 и R2), так как при отсутствии входного сигнала транзистор должен быть надёжно закрыт.

Рассмотренные случаи иллюстрируются диаграммами входных и выходных сигналов на рис. 2.7.2.

Порядок выполнения экспериментов - student2.ru

Рис. 2.7.2

Наши рекомендации