Порядок выполнения экспериментов

· Соберите цепь согласно схеме (рис.4.3.1). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Измерение тока базы IБ и напряжения UБЭ производятся мультиметрами на пределах 200 μА и 2 В соответственно. Регулирование напряжения UКЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения, ток коллектора IК и напряжение UКЭ измеряются виртуальными приборами (пределы измерения коннектора изменяются в ходе работы по мере необходимости или по подсказкам компьютера).

· Установите первое значение тока базы 20 μА и изменяя напряжение UКЭ согласно значениям, указанным в табл. 4.3.1, снимите зависимости IК(UКЭ) и UБЭ(UКЭ). Повторите эти измерения при каждом значении IБ, указанном в таблице.

Порядок выполнения экспериментов - student2.ru

Рис.4.3.1

Примечание: характеристики транзистора изменяются в ходе работы из-за его нагрева. Поэтому для большей определенности рекомендуется установить нужные значения IБЭ и UКЭ, выключить на 30 с блок генераторов напряжений, затем включить его и быстро записать показания приборов V1 и A2.

Таблица 4.3.1

UКЭ, В IБ = 20 μА IБ = 40 μА IБ = 60 μА IБ = 80 μА
IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В
               
0,5                
               
               
               
               
               

· На рис. 4.3.3 постройте графики семейства выходных характеристик IК(UКЭ) и семейство характеристик обратной связи UБЭ(UКЭ), не забыв указать какому току базы соответствует каждая кривая.

· Установите UКЭ = 0 и изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в табл. 4.3.2, снимите зависимость UБЭ(IБ), Увеличьте напряжение UКЭ до 5 В и снова снимите зависимость UБЭ(IБ), а также и IК(IБ). Повторите этот опыт также при UКЭ = 15 В. (При проведении этих измерений также учитывайте примечание к предыдущему опыту).

· На рис. 4.3.3 постройте графики входных IБ(UБЭ) и регулировочных IК(IБ) характеристик, указав для каждой кривой соответствующие значения UКЭ.

Таблица 4.3.2

IБ, μА UКЭ = 0 В UКЭ = 5 В UКЭ = 15 В
UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА
           
           
           
           
           
           

Порядок выполнения экспериментов - student2.ru

Рис. 4.3.3

Установка рабочей точки транзистора и исследование влияния резистора в цепи коллектора на коэффициент усиления по напряжению усилительного каскада с общим эмиттером

Общие сведения

Изменение тока коллектора IК транзистора, вызванное изменением тока базыIБ, приводит к изменению падения напряжения на последовательно включенном резисторе RКи изменению напряжения UКЭ на транзисторе. В свою очередь изменение тока коллектора вызывается изменением напряжения в цепи база/эмиттер UБЭ. Отношение этих напряжений есть коэффициент усиления транзистора по напряжению:

nU = DUКЭ ¤ DUБЭ.

Поскольку изменение напряжения цепи коллектор ¤ эмиттер UКЭ зависит от резистора RК, этот резистор также влияет на усиление по напряжению.

Экспериментальная часть

Наши рекомендации