Угловое и радиальное распределение плотности электронного облака
В предыдущем параграфе решено уравнение для движения электрона в кулоновском поле. Результаты решения дают возможность сделать заключение о пространственной структуре и других характеристиках атома водорода.
Запишем выражение для вероятности обнаружения электрона в элементе объема
(dV=r2 sin θdrdθdφ)
вблизи точки с координатами
(12.1)
(Квантовые числа для сокращения записи опущены.) Распределению вероятностей (12.1) сопоставляется представление об электроне в виде облака, имеющего плотность,
пропорциональную квадрату модуля волновой функции. При этом величина -е |ψ|2
рассматривается как плотность заряда электрона, непрерывно распределенного в пространстве. (Иногда используется следующая корпускулярная интерпретация строения атома: считается, что электрон быстро обегает пространство, занятое атомом, причем
время его пребывания в объеме dV пропорционально |ψ|2 )
Конфигурация электронного облака задает пространственную структуру атома
Ввиду сложности волновой функции целесообразно рассмотреть сначала радиальное распределение плотности облака, а затем — угловое.
Рассчитаем с помощью выражения (11 21) вероятность обнаружения электрона в шаровом слое между сферами радиусом r и r+dr. Для этого проинтегрируем распределение (12.1) по углам θ и φ в полном интервале изменения этих переменных. Получим
Плотность вероятности для значений координаты r описывается функцией
. (12.2)
Далее можно воспользоваться найденными ранее выражениями (11.11) для Rnl и найти зависимость плотности электронного облака от расстояния до центра атома для различных состояний.
Диаграммы для wnl, w20, w21 представлены на рисунке 12 1.
Очевидно, что вблизи ядра и на больших расстояниях от него вероятность обнаружить частицу весьма мала. Плотность облака значительна на конечных расстояниях от начала координат. Здесь функция wnl(r) обращается в нуль n – l -1 раз, и облако разбивается на слои
Вычисление средних расстояний приводит к формуле
Рис 12 1.
Рис. 12.2
rnl быстро растет при увеличении главного квантового числа, а при заданном n убывает с ростом орбитального квантового числа l.
Резкой границы у атома нет. Однако плотность электронного облака очень быстро (экспоненциально) спадает при r>r. При r->оо вероятность обнаружить электрон практически равна нулю.
В состояниях с l = n-1
и максимум функции w (r) в этом случае достигается в точке r = аn2. Эти расстояния совпадают с боровскими радиусами круговых орбит.
Перейдем к угловому распределению электронного облака. Согласно формулам (12 1) и (11.10) вероятность обнаружения частицы в пределах элементарного телесного угла dΩ, равного sin θdθdφ и взятого в направлении, заданном углами θ и φ, определяется формулой
d W (θ, φ)= Y* lm (θ, φ) Ylm (θ, φ) sin θ dθ dφ.
Соответственно плотность вероятности
wlm = Y* lm (θ, φ) Ylm (θ, φ). (12.3)
Поскольку зависимость функции Ylm от угла φ имеет вид еimφ то плотность вероятности углового распределения не зависит от φ, что указывает на осевую симметрию электронного облака.
Распределение по полярному углу θ часто представляют графически в виде полярных диаграмм. Они строятся следующим способом.
На координатной прямой г полярной системы координат от точки 0 откладывается значение wlm (θ). Через полученные точки проводится линия. Чем дальше точки кривой отстоят от начала координат, тем больше вероятность обнаружить частицу в заданном направлении.
Рассмотрим в качестве примера три состояния (см. формулы (10.11)):
Соответствующие полярные диаграммы изображены на рисунке 12.2. В s-состояниях облако имеет сферическую симметрию. В р-состояниях при m = 0 оно вытянуто вдоль оси Oz, а при m=±1 облако сгущается в экваториальной плоскости. На полярной оси вероятность нахождения частицы равна нулю.
Мы предлагаем читателю в качестве упражнения свести воедино радиальное и угловое распределения для электронного облака в состояниях 1s, 2s и 2p(m = 0, ±1): изображение атома в разных состояниях показано на переднем форзаце.
Для больших значений пи/ строение атома водорода оказывается довольно сложным. Для ознакомления с этим вопросом следует обратиться к более детальным руководствам или справочникам (см. [21]).