| Активная элементная база на основе светодиодов | Тест | |
| В1 | | Какие элементы называют светодиодами? |
| | О+ | Светодиодом называют полупроводниковый диод на базе p–n либо гетероперехода, излучающий кванты света при протекании через него прямого тока. |
| | О | Светодиодом называют полупроводниковый диод на базе p–n либо гетероперехода, излучающий кванты света при протекании через него обратного тока. |
| | О | Светодиодом называют полупроводниковый диод, генерирующий когерентное излучение при пропускании через него электрического тока |
| | О | Светодиодом называют полупроводниковый транзистор на базе n–p перехода, поглощающий кванты света при протекании через него обратного тока. |
| В2 | | Чем сопровождается излучательный переход электрона? |
| | О+ | Излучательный переход электрона сопровождается генерацией кванта с длиной волны l = 1,23/DE и конкурирующими безызлучательными переходами через промежуточные уровни |
| | О | Излучательный переход электрона сопровождается генерацией кванта с длиной волны l = 6,63/DE |
| | О | Излучательный переход электрона сопровождается температурным, концентрационным и примесным тушением люминесценции |
| | О | Излучательный переход электрона сопровождается поглощением фонона с длиной волны l = 1,76/DE |
| В3 | | Какие полупроводники относятся к таковым с прямозонной энергетической структурой? |
| | О+ | GaAs, GaAlAs, GaAsP, GaSb, GaN, InGaAsP, InAs, InSb, PbS, PbSe, PbTe |
| | О | Ge и Si |
| | О | SiC |
| | О | GaP AlAs, AlP |
| В4 | | Выберите неправильное утверждение |
| | О+ | В прямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k ≠ 0, так же, как и соответствующий минимум валентной зоны. В непрямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k ≠ 0. |
| | О | В непрямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k ≠ 0. |
| | О | В прямозонных полупроводниках энергетический минимум зоны проводимости находится при k = 0, так же, как и соответствующий минимум валентной зоны. |
| | О | В зависимости от типа кристаллической структуры и характера химических связей в полупроводниках реализуется либо та, либо иная форма зависимости энергии электронов Е от волнового вектора k. |
| В5 | | Как обозначаются светодиоды? |
| | О+ |  |
| | О |  |
| | О |  |
| | О |  |
| В6 | | Для возникновения люминесценции необходимо выполнение условий |
| | О+ | Все вместе |
| | О | Используемый материал должен обладать дискретным спектром разрешенных электронных состояний (именно поэтому не наблюдается люминесценция металлов); |
| | О | Конкретная схема энергетических уровней и вероятности переходов между ними должны обеспечивать возможность протекания трех процессов: 1) возбуждения электронов, 2) перехода их на центры излучения, 3) перехода в равновесное состояние с испусканием кванта; |
| | О | Энергия квантов возбуждающего воздействия должна превышать метастабильный уровень (центр свечения), а вероятность излучательных переходов — превышать вероятность безызлучательных |
| В7 | | В какой области светодиодов происходит генерация оптического излучения? |
| | О+ | Неравновесные носители распространяются от плоскости инжекции на расстояние, равное диффузионной длине, т.е. генерация квантов света будет происходить только в этой области (центры свечения) |
| | О | При любом переходе электрона с высшего уровня на низший |
| | О | При любом переходе электрона с низшего уровня на высший |
| | О | |
| В8 | | Принцип работы светодиода. Работа светодиода основана на |
| | О+ | спонтанной рекомбинационной люминесценции избыточных носителей заряда, инжектируемых в активную область (базу) светодиода. В этом случае дырки из р-области и электроны из n-области движутся навстречу друг другу и рекомбинируют при попадании в область перехода с выделением фотонов (свечение в р-n переходе, находящемся под напряжением, приложенным в прямом направлении). |
| | О | преобразовании оптического излучения на входе в электрический сигнал на выходе на основе фундаментального поглощения вблизи края запрещенной зоны |
| | О | испускании света возбужденными электронами |
| | О | квантовых переходах электронов «вверх» — в направлении увеличения их энергии |
| В9 | | Процесс введения в какую-либо область твердого тела неравновесных носителей называют |
| | О+ | Инжекцией |
| | О | Рекомбинацией |
| | О | Стимуляцией |
| | О | Накачкой |
| В10 | | Способы управления длиной волны излучения светодиода |
| | О+ | Изменение композиционного состава материала активной зоны, |
| | О | Комбинация контактирующих между собой материалов, изменение толщины активного слоя |
| | О | Изменение ширины запрещенной энергетическая зоны, эВ |
| | О | Изменение приложенного напряжения |
| В11 | | В качестве излучательной среды в светодиодах видимого диапазона необходимо использовать |
| | О+ | прямозонные полупроводники с шириной запрещенной зоны 1,8–2,8 эВ |
| | О | непрямозонные полупроводники |
| | О | кристаллы с шириной запрещённой зоны более 4 эВ |
| | О | полупроводники с шириной запрещённой зоны Eg = 0 |
| В12 | | Отличительная черта излучения светодиода |
| | О+ | некогерентность |
| | О | монохроматичность |
| | О | когерентность |
| | О | лучевая направленность |
| В13 | | В основе работы светодиода лежит одно из следующих физических явлений |
| | О+ | электролюминесценция |
| | О | разряд в газовой среде |
| | О | индуцированное излучение |
| | О | тепловое излучение |
| В14 | | Светодиоды являются активной элементной базой для |
| | О+ | Светоизлучающего элемента |
| | О | Светоприёмного элемента |
| | О | Усилителя мощности |
| | О | Выпрямителя напряжения |
| В15 | | Светодиоды изготовляют на основе |
| | О+ | полупроводниковых материалов |
| | О | проводниковых материалов |
| | О | изоляционных материалов |
| | О | полимеров |
| | | |
| | О+ | |
| | О | |
| | О | |
| | О | |
| | | |
