Язык моделирования PSpice. Описание топологии схемы.

Параметры компонентов указываются двумя способами: 1) непосредственно в предложении, описывающем включение компонента в схему; 2) с помощью директивы .MODEL, имеющей структуру:

.MODEL <имя модели> [АКО:<имя модели прототипа>]

+ <имя типа модели>

+ ([<имя параметра>= <значение>

+ [<спецификация случайного разброса значения параметра>]]*

+ [Т_МЕАSURED=<значение>] [[Т_АВ8>=<значение>] или

+ [Т_REL_СLОВАL=<значение>] или [Т_REL_LOCAL=<значение>]])

Здесь <имя модели> — имя модели компонента схемы, например RLOAD, KT315V, D104. После ключевого слова АКО (A Kind Of) помещается ссылка на имя модели прототипа, что позволяет указывать только значения различающихся параметров.

В директиве .MODEL в круглых скобках указывается список значений параметров модели компонента (если этот список отсутствует или не полный, то недостающие значения параметров модели назначаются по умолчанию).

Каждый параметр может принимать случайные значения относительно своего номинального значения в соответствии со <спецификацией случайного'разброса значения параметра>, принимаемой во внимание только при статистическом анализе по директивам .МС и .WCASE. Имеются два способа задания температур пассивных компонентов и полупроводниковых приборов (С, L, R, В, D, J, M, Q и Z). Во-первых, по директиве .MODEL задается температура, при которой измерены входящие в нее параметры:

Т_МЕАSUARED=<значение>

Это значение заменяет температуру Tnom, устанавливаемую по директиве .OPTIONS (по умолчанию 27 °С). Во-вторых, можно установить физическую температуру каждого устройства, заменяя глобальную температуру, устанавливаемую по директивам .TEMP, .STEP TEMP или .DC TEMP. Это возможно сделать, задавая:

1) значение абсолютной температуры устройства T_ABS;

2) относительную температуру T_REL_GLOBAL,так что абсолютная температура равна глобальной температуре плюс значение параметра T_REL_GLOBAL;

3)относительную температуру T_REL_LOCAL,так что абсолютная температура данного устройства равна абсолютной температуре устройства-прототипа (модель АКО) плюс значение параметра T_REL_LOCAL.

Резисторыописываются предложением

Rxxx <+узел><-узел> [имя модели] <значение> [ТС=<ТС1>[,<TС2>]]

Здесь ххх — произвольная алфавитно-цифровая последовательность общей длиной не более 7 символов, которая пишется слитно с символом R и образует имя компонента.

Конденсаторописывается предложением

Сххх <+узел><-узел> [имя модели] <значение> + [IС=<начальное значение напряжения>]

Индуктивностьописывается предложением

Lxxx<+yзел><-узел> [имя модели] <значение> + [IС=<начальное значение тока>]

Ключи, управляемые напряжением или током, используются при расчете переходных процессов.

Ключ, управляемый напряжением,описывается предложением

Sxxx <+узел><-узел> <+ управляющий узел><- управляющий узел> + <имя модели>

Здесь <+узел> и <-узел> — номера узлов, к которым подсоединен ключ; <+управляющий узел>, <- управляющий узел> — номера узлов, разность потенциалов которых управляет ключом.

Язык моделирования PSpice. Первые символы имён компонентов.

Описанием компонентасчитается любая строка, не начинающаяся с символа «.» (кроме первой строки и строк комментариев и продолжений). Описание компонента имеет следующую структуру:

<имя компонента><номера двух или более узлов> [<имя модели>] < числовые данные >

Имя компонента состоит из последовательности символов латинского алфавита и цифр, общая длина имени не должна превосходить 13Г символ (рекомендуется не более 8 символов). Первый символ — одна из букв латинского алфавита от А до Z, далее в любом порядке — алфавитно-цифровые символы и знаки $, _, *, /, %. Первый символ имени компонента определяет его тип, например R1, ROUT, Q12 (табл. 4.2).

Таблица 4.2. Первые символы имен компонентов

	Первый символ имени	Тип компонента
	В	Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET) с каналом n-типа
	С	Конденсатор
	D	Диод
	Е	Источник напряжения, управляемый напряжением (ИНУН)
	F	Источник тока, управляемый током (ИТУТ)
	G	Источник тока, управляемый напряжением (ИТУН)
	Н	Источник напряжения, управляемый током (ИНУТ)
	I	Независимый источник тока
	J	Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом (JFET)
	К	Связанные индуктивности и линии передачи, ферромагнитные сердечники
	L	Индуктивность
	М	МОП-транзистор (MOSFET)
	N	Аналого-цифровой преобразователь на входе цифрового устройства
	О	Цифроаналоговый преобразователь на выходе цифрового устройства
	Q	Биполярный транзистор
	R	Резистор
	S	Ключ, управляемый напряжением
	Т	Линия передачи
	V	Независимый источник напряжения
	W	Ключ, управляемый током
	Y	Цифровое устройство
	X	Макромодель (операционный усилитель, компаратор напряжения, регулятор напряжения, стабилизатор напряжения и др.)
	Z	Статически индуцированный биполярный транзистор (IGBT)

Заметим, что помимо перечисленных выше компонентов схем в состав моделируемого устройства могут входить и не электронные элементы (электрические машины, системы автоматического управления и др.), оформленные в виде макромоделей.