Порядок выполнения работы. 1. Подключить входы Y осциллографа согласно рис

1. Подключить входы Y осциллографа согласно рис. 6.6.

2. Включить осциллограф и макет в сеть.

3. С помощью блока макета, изображенного на рис. 6.6, получить на экране осциллографа картины синусоидального и выпрямленных напряжений. Зарисовать одно под другим в одинаковом масштабе. Записать значения токов.

4. С помощью блока макета, изображенного на рис. 6.6, снять ВАХ методом вольтметра-амперметра. При снятии обратной ВАХ рекомендуется напряжение изменять через 100 мВ. При снятии прямой ВАХ напряжение изменять через одно деление вольтметра. Значения напряжения Ui (в мВ) и соответствующие им токи через диод Ii (в мА) записать в таблицу. Построить ВАХ диода в масштабе: по оси X - 50 мВ в 1 см, по оси Y - 5 мА в 1 см. Определение дифференциального сопротивления из полученных экспериментальных значений Ui и Ii осуществляется в следующем порядке:

а) вычислить и занести в таблицу значения разности DUi =Ui+1-Ui и DIi=Ii+1 - Ii;

б) определить и занести в таблицу значения дифференциального сопротивления по формуле (6.7);

в) рассчитать и занести в таблицу средние значения напряжений по формуле (6.8).

После указанных вычислений построить график зависимости Rd(Uk). Масштаб по оси X - 50 мВ в 1 см, по оси Y - 2 Ома в 1 см. Из графика определяется Rv как предел, к которому стремится дифференциальное сопротивление при больших напряжениях (токах), в соответствии с формулами (6.5) и (6.6). Далее вычисляется теоретическое значение дифференциального сопротивления Порядок выполнения работы. 1. Подключить входы Y осциллографа согласно рис - student2.ru по формуле (6.5) с учетом найденной величины Rv для всех значений Ii. Результаты вычислений заносятся в таблицу. На том же графике, где изображена зависимость Rd(Uk), построить график зависимости Порядок выполнения работы. 1. Подключить входы Y осциллографа согласно рис - student2.ru .

Таблица

Ui, мВ Ii, мА ΔUi, мВ ΔIi, мА Uk, мВ Rd, Ом Порядок выполнения работы. 1. Подключить входы Y осциллографа согласно рис - student2.ru , Ом
             
             

Контрольные вопросы

1. Назовите причину образования объемного заряда при контакте двух полупроводников с различным типом проводимости?

2. Как изменяется объемный заряд в приконтактной области при наличии внешнего электрического поля?

3. Нарисуйте схемы и поясните принцип работы одно- и двухполупериодного выпрямителя.

4. Нарисуйте ВАХ идеального диода. К чему приводит отличие ВАХ реальных диодов от идеального при выпрямлении переменного напряжения?

5. Как влияет крутизна ВАХ диода в прямом направлении на форму выпрямленного электрического напряжения?

Библиографический список

1. Курс физики: Учебник для вузов: В 2 т. Т. 2./ ред. В. Н. Лозовский. – СПб.: Лань, 2007. – § 4.45, 4.46, 4.48–4.54.

2. Савельев, И.В. Курс общей физики в 3-х т. Т. 3 / И. В. Савельев. – М.: Наука, 2005. – § 57–59, 64.

3. Трофимова, Т.И. Курс физики / Т.И. Трофимова. – М.: Высш. шк., 2001. – § 240–243, 248,49.

Наши рекомендации