Тестовые задания к работе 23

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

Наименование и цель работы.

Перечень приборов, использованных в экспериментах, с их краткими характе­ристиками.

Таблицы результатов измерений и расчетов h-параметров биполярного транзис­тора и крутизны стоко-затворной характеристики полевых транзисторов.

Изображения электрических схем испытания биполярного и полевого транзисто­ров и семейств входных и выходных ВАХ транзисторов.

Выводы по работе.

ТЕСТОВЫЕ ЗАДАНИЯ К РАБОТЕ 23

1. Назовите режимы работы биполярного транзистора и дайте им краткую характе­ристику.

2. Укажите, какой формулой описывается коэффициент передачи по току h_21Э бипо­лярного транзистора: О О О О

3. Укажите, в какой схеме включения биполярного транзистора:

а) максимальное входное сопротивление:

О в схеме с ОЭ; О в схеме с ОБ; О в схеме с ОК;

б) максимальный коэффициент усиления по мощности:

О в схеме с ОЭ; О в схеме с ОБ; О в схеме с ОК.

4. Укажите порядок входного сопротивления полевых транзисторов, включенных по схеме с ОИ:

О десятки-сотни ом; О десятки-сотни килоом; О десятки-сотни мегаом.

5, Укажите возможную максимальную частоту преобразования сигналов в устройствах на базе полевого транзистора:

а) с управляющим р-n-переходом:

О 500 МГц; О 1-2 ГГц; О 8-10 ГГц; О 12-18 ГГц;

б) с изолированным затвором:

О 500 МГц; О 1-2 ГГц; О 8-10 ГГц; О 12-18 ГГц.

6. Укажите номер стоко-затворной характеристики n-канального полевого транзистора (рис. 23.11):

а) с индуцированным каналом: О 1; О 2; О 3;

б) с управляющим p-n-переходом: О 1; О 2; О 3;

в) со встроенным каналом: О 1; О 2; О 3.

7. Каков физический смысл h-параметров и при каких условиях их определяют?

8. Укажите, какая схема включения биполярного транзистора наиболее распространена:

О схема с ОЭ; О схема с ОК; О схема с ОБ.

9. Укажите, какие основные носители зарядов в полевом транзисторе:

а) с n-каналом: О электроны; О дырки; О электроны и дырки;

б) с р-каналом: О электроны; О дырки; О электроны и дырки.

10. Укажите, какими преимуществами обладают полевые транзисторы по сравнению с биполярными:

малой инерционностью, обусловленной только процессами перезарядки его входной и выходной емкостей. В полевых транзисторах отсутствуют процессы накапливания и рассасывания объемного заряда неосновных носителей, ока­зывающих заметное влияние на быстродействие биполярных транзисторов; пониженным выходным сопротивлением;

высоким входным сопротивлением по постоянному току и высокой техноло­гичностью;

большим падением напряжения U_СИ при коммутациях малых сигналов; большей температурной стабильностью его характеристик; пренебрежительно малым входным током, не зависящим от напряжения меж­ду затвором и истоком.

11. Определите понятия полевых транзисторов: а) пороговое напряжение; б) напряжение отсечки; в) напряжение насыщения.

12.Укажите, в чем различие между транзисторами с управляющим p-n-переходом и МДП-транзисторами:

в характере изменения сечения проводящего канала: в транзисторе с p-n-пе­реходом площадь поперечного сечения канала меняется за счет изменения площади обедненного слоя обратно включенного p-n-перехода, а в МДП-транзисторе сечение проводящего канала меняется за счет изменения припо верхностного обогащенного носителями зарядов слоя или созданием и расши­рением возникающего инверсионного слоя в полупроводнике; полевые транзисторы с р-n-переходом работают только на обеднение канала носителями зарядов, а МДП-транзисторы работают всегда только на обогаще­ние проводящего канала;

в максимальной границе частоты f_m преобразования сигналов: для устройств на транзисторах с р-n-переходом частота f_m = 12—18 ГГц, а для устройств на МДП-транзисторах —f_m = 1—2 ГГц;

в виде стоко-затворных характеристик: при нулевом напряжении на затворе у транзисторов с p-n-переходом ток стока максимальный, а у МДП-транзисторов - ничтожно малый.

13.Укажите, чем отличаются МДП-транзисторы от МОП-транзисторов:

материалом изоляции между затвором и каналом: у первых — диэлектрик, у вторых - диоксид кремния;

материалом подложки: у первых — диэлектрик, у вторых — двуокись кремния; конструкцией канала: в МДП-транзисторах встроенный канал, а в МОП-транзисторах — изолированный;

степенью обогащения канала: в МДП-транзисторах канал обеднен носителя­ми заряда, а в МОП-транзисторах обогащен ими.