Теорема Гаусса для электростатического поля в диэлек-трике. Вектор электрического смещения
Рассмотрим плоскопараллельную пластинку из изотропного диэлек-трика, помещенную в однородное электростатическое поле. Под действи-ем поля диэлектрик будет поляризоваться. Выделим в поляризованном
диэлектрике элементарный объем V в виде наклонной призмы, осно-вания которой выходят на поверхности диэлектрической пластинки
(рис. 2.7.1).
n
Pn | P | ||
+ = | |||
S | |||
pe | |||
E | l | ||
A | |||
V = S lcos |
– = –
Рис. 2.7.1
С одной стороны, дипольный момент pe выделенного элементарного объема равен произведению поляризованности Р на величину его объема:
N
pe pei P V P S l cos . (2.7.1)
i 1
С другой стороны, поверхностные заряды на основаниях призмы образуют электрический диполь. Его дипольный момент равен:
pe | (2.7.2) | ||||
q lS l. | |||||
Сравнив формулы (2.7.1) и (2.7.2), получим: | |||||
(2.7.3) | |||||
PSl cosSl | P cos | Pn, |
т. е. поверхностная плотность связанных зарядов некоторой элементар-ной площадки равна нормальной составляющей вектора поляризации.
Формула (2.7.3) показывает, что нормальная составляющая Рn представляет по величине количество электричества, смещаемое при поляризации через единичную площадку в направлении нормали n к ней. Эта интерпретация применима и в случае неоднородной поля-
ризации, когда вектор P меняется от точки к точке. В этом случае ди-электрик можно разделить на малые объемы, в пределах каждого из которых поляризация может считаться однородной.
Внутри диэлектрика на внешнее электрическое поле E0 наклады-вается дополнительное электрическое поле E связанных зарядов.
Определим значение избыточного связанного заряда, который возни-кает при поляризации диэлектрика внутри произвольной заданной замкнутой поверхности S (см. рис. 2.7.2).
dS
E
En
V qсв
S
Рис. 2.7.2
Под действием электрического поля связанные заряды молекул, находящихся вблизи поверхности S, сместятся так , что их положи-тельные и отрицательные заряды будут находиться по разные сторо-ны поверхности S. Заряд dq , смещенный при поляризации через
площадку dS в направлении нормали, согласно формуле (2.7.3) равен PndS.Через всю поверхность S в направлении нормали n будет сме-щаться заряд
qdqPndS. | (2.7.4) |
S S
В результате объем V диэлектрика, заключенный внутри замкну-той поверхности S, приобретет избыточный связанный заряд, равный по значению и противоположный по знаку наружному поверхностно-му заряду:
qсв q | PndSPdS. | (2.7.5) |
S | S |
Применим теорему Гаусса (1.5.5) к замкнутой поверхности S, добавив при этом к свободным зарядам q избыточный связанный за-ряд qсв :
q qсв | ||||||||||||||||||||
EdS | EdS | q | PdS | |||||||||||||||||
S | S | S | ||||||||||||||||||
0 | ||||||||||||||||||||
PdS | EdS | q | P 0 E dS | q. | (2.7.6) | |||||||||||||||
S | S | S |
Величину D 0E P назвали вектором электрического смеще-
ния (единица измерения в системе СИ[D] =Кл/м2).Вектором элек-трического смещения D описывается электрическое поле, создавае-
мое свободными зарядами. Поле вектора электрического смещения изображается с помощью линий электрического смещения, направле-ние и густота которых определяются точно так же, как и для линий напряженности. Если линии вектора напряженности могут начинаться и заканчиваться на любых зарядах – свободных и связанных, то линии вектора электрического смещения начинаются и заканчиваются толь-ко на свободных зарядах.
Из выражения (2.7.6) следует: | |||||
Dn dS q. | |||||
DdS | q,или | (2.7.7) | |||
S | S |
Выражение (2.7.7) является теоремой Гаусса для электростати-
ческого поля в диэлектрике:поток вектора смещения электрическогополя в диэлектрике сквозь произвольную замкнутую поверхность ра-вен алгебраической сумме заключенных внутри этой поверхности свободных электрических зарядов.
Если правую часть теоремы Гаусса для электростатического поля в диэлектрике (2.7.7) выразить через объемную плотность заряда ( q dV ) и применить к выражению Dn dS теорему Остроградско-
V | S | ||||
го – Гаусса, то получим: | |||||
divDdVdV | divD . | (2.7.8) | |||
V | V |
Уравнение (2.7.8) называется теоремой Гаусса для электроста-тического поля в диэлектрике в дифференциальной форме.