Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

по дисциплине

«Информационные и управляющие микропроцессорные системы ч. 2»

на тему:

«Разработка комбинационного логического автомата на

интегральных микросхемах»

Выполнил: студент группы 6-76к

Рябинин А.А.

Проверил:

Иваново 2015

Содержание

1. Разработка схемы комбинационного логического автомата …………….
2. Разработка печатной платы комбинационного логического автомата ….  
3. Расчет печатной платы на вибропрочность …………………………….....  
4. Расчет источника питания ……………………………………………….…  
Заключение ….............…………………..………………………………………  
Список использованных источников ………………..………….……..……….
     
     
     
     
     
   
     

Разработка схемы комбинационного логического автомата

Данный комбинационный логический автомат служит для сложения чисел 3 и 3 по заданной функции F = X1 + Х2.

1.1. Преобразуем десятичные числа входных переменных в двоичный четырехразрядный код: 310 = 00112 .

1.2. Каждому разряду двоичного кода входных переменных присвоим произвольное буквенное обозначение и представим в виде таблицы 1.1.

Табл. 1.1.

Таблица чисел.

Десятичное значение числа Двоичное значение числа Буквенное обозначение числа
А В С D
Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

1.3. Используя буквенные обозначения заданных входных переменных, напишем уравнение: F = 310 + 310 = 00112 + 00112 = Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru + Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru = Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

1.4. Произведем упрощение выражения используя законы алгебры логики (алгебры Буля) : не требуется F= Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

1.5. Построим схему заданного комбинационного автомата, используя электромагнитные реле:

а) по уравнению F = Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru (рис. 1.1.).

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Рис. 1.1. Контактный комбинационный автомат,

собранный по уравнению F = Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

1.6. Построим варианты бесконтактных схем комбинационного логического автомата на основе интегральных микросхем по упрощенному уравнению F = Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru :

а) на произвольных логических элементах (рис. 1.3.).

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Рис. 1.3. Комбинационный логический автомат

на произвольных логических элементах

б) только на элементах И-НЕ (рис. 1.4.).

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Рис. 1.4. Комбинационный логический автомат

на логических элементах типа И-НЕ

Разработка печатной платы комбинационного логического

Автомата

Разработаем печатную плату комбинационного логического автомата, используя только элементы И-НЕ микросхем серии 155 (555).

2.1. Используем одностороннюю печатную плату, изготовленную из фольгированного стеклотекстолита марки СФ-1-35 простой прямоугольной формы с толщиной фольги hф = 0,035 мм.

2.2. В устройстве используем две микросхемы К555ЛА3 (импортный аналог SN74LS00), имеющей в своем составе 4 элемента 2И-НЕ. Параметры микросхемы приведены в таблице 2.1.

Электрические параметры микросхемы К555ЛА3:

· Напряжение источника питания, Uи.п., 5В;

· Ток потребления, 11.5 мА

· Допускаемое отклонение напряжения питания, 5%;

· Выходное напряжение логического 0 Uвых0, не более 0,4В;

· Выходное напряжение логической 1 Uвых1, не менее 2,4В;

· Входное напряжение логического 0 Uвых0, не более 0,8В;

· Входное напряжение логической 1 Uвых1, не менее 2,0В.

Табл. 2.1.

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ

Параметр Обозн. Единицы измер. К555ЛА3
Потребляемая мощность на логический элемент Pпот мВт
Среднее время задержки распространения tзд.р нс 9.5
Энергия переключения Эпот нДж
Входной ток лог. 0 Iвх0 мА 0.4
Входной ток лог. 1 Iвх1 мА 0.02
Выходной ток лог. 0 Iвых0 мА
Выходной ток лог. 1 Iвых1 мА 0.4
Параметры нагрузки: сопротивление Rн кОм
Параметры нагрузки: емкость Cн пФ

Геометрические и установочные размеры микросхемы приведены на рис. 2.1.

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Рис.2.1. Геометрические и установочные размеры К555ЛА3

4 элемента 2И-НЕ
Состав микросхемы К555ЛА3 приведен на рис 2.2.

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Рис. 2.2. Состав К555ЛА3

2.3. Исходя из геометрических размеров элементов, устанавливаемых на ПП и их количества, определим размер печатной платы устройства (рис. 2.3.)

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Рис. 2.3. Габаритные размеры печатной платы

и разводка печатных проводников

Для печатной платы принимаем габариты: ширина - а = 0,04 м, высота - b = 0,035, толщина - h = 0,0015 м.

2.4. Расчет диаметра контактных площадок.

Минимальный диаметр контактной (КП) площадки определяем из условия со­хранения целостности КП (отсутствие разрывов) при сверлении платы. При этом учитываем явление подтравливания и разращивания проводящего слоя, погрешности положения отверстия относительно КП.

Минимальный диаметр КП для печатных плат (ПП), изготовленных химическим мето­дом: Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

Dimin - минимальный эффективный диаметр КП, мм;

hф - толщина фольги, мм.

Минимальный эффективный диаметр КП :

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

bm - расстояние от края просверленного отверстия до края КП, bm = 0,15 мм.;

dmax - максимальный диаметр просверленного отверстия, мм;

δотв - погрешность расположения отверстия, мм;

δКП - погрешность расположения КП, мм.

Максимальный диаметр просверленного отверстия: Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

dCB - диаметр сверла, мм;

∆d - погрешность диаметра отверстия, обусловленная биением сверла и точностью его заточки, ∆d = 0,02 мм.

С учетом толщины металлизации в отверстии и некоторой усадки диэлек­трической подложки фольгированного материала принимаем:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

dм.отв - диаметр металлизированного отверстия, dм.отв = 0,35 мм.

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Погрешность расположения отверстия: Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru где

δ0 - погрешность расположения отверстия относительно координатной сет­ки, обусловленная точностью сверлильного станка, δ0 = (0,02 ÷ 0,1) мм.;

δб - погрешность базирования плат на сверлильном станке, δб = (0,01 ÷ 0,03) мм.

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Погрешности расположения КП : Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

δШ - погрешность расположения КП относительно координатной сетки на фотошаблоне, δШ = 0,05 мм.;

δЭ - погрешность расположения печатных элементов при экспонировании, δЭ = 0,02 мм;

δП - погрешность расположения базового отверстия на фотошаблоне, δП = =0,03 мм;

δЗ - погрешность расположения базового отверстия на заготовке, δЗ = =0,02мм.

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Минимальный диаметр КП: Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru ,

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Максимальный диаметр КП: Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

DШ.max - максимальный диаметр окна фотошаблона, мм;

∆Э - погрешность диаметра фотокопии КП при экспонировании рисунка, ∆Э=(0,01÷ 0,03) мм.

Максимальный диаметр окна фотошаблона: Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

DШ.min - минимальный диаметр окна фотошаблона, мм;

∆DШ - погрешность изготовления фотошаблона, ∆DШ = (0,01 ÷ 0,03) мм.

Минимальный диаметр окна фотошаблона с учетом возможного умень­шения диаметра за счет подсвета при экспонировании рисунка:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru .

Для печатной платы, изготовленной электрохимическим (полуаддитивным) методом при фотохимическом способе получения рисунка:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru ,

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

2.5. Расчет ширины проводников.

Минимальную ширину проводников определяем из условия достаточного сцепления (без отслаивания) проводника с диэлектриком. Сцепление зависит от свойств материала основания и гальваностойкости оксидного слоя фольги.

Минимальная ширина проводников для ПП, изготавливаемых химиче­ским методом: Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

t'Пi.min = 0,18 мм. - минимальная эффективная ширина проводника;

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Минимальная и максимальная ширина линий на фотошаблоне:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

∆tШ = 0,04 мм. - погрешность изготовления линий на фотошаблоне;

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Максимальная толщина проводников в слое:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

2.12. Расчет минимальных расстояний между элементами проводящего ри­сунка (ПР).

Минимальный размер определяется заданным значением сопротивления изоляции при рабочем напряжении схемы или техническим требованиями на ПП. Фактический зазор между элементами ПР зависит от шага элементов, их максимальных размеров и точности расположения относительно заданных ко­ординат.

Минимальное расстояние между проводником и КП:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

L0 - расстояние между центрами рассматриваемых элементов;

δШt = 0,03 мм. - погрешность расположения относительно координатной сетки на фо­тошаблоне проводника.

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Минимальное расстояние между двумя КП:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Минимальное расстояние между двумя проводниками:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Минимальное расстояние между проводником и КП на фотошаблоне:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru ,

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Минимальное расстояние между двумя КП на фотошаблоне:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Минимальное расстояние между двумя проводниками на фотошаблоне

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

2.6. Расчет числа проводников, прокладываемых между двумя соседними КП металлизированных отверстий.

Минимальное расстояние между двумя КП металлизированных отверстий: Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

D1max, D2max - максимальные диаметры КП металлизированных отверстий, мм.;

nn - количество проводников;

Smin = (0,25 ÷ 0,3) мм. - минимальное расстояние между проводником и КП;

δШt = 0,045 мм. - погрешность расположения проводника относительно координатной сетки на фотошаблоне;

tПmax - максимальная ширина печатного проводника, мм.

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , где

J = 30 А/мм2 - плотность тока.

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru

Количество проводников между двумя соседними КП при D1 = D2:

Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru , Динамические параметры микросхем ТТЛ и ТТЛШ - student2.ru .

Наши рекомендации