Ждущие ГЛИН на транзисторах

Схема ждущего ГЛИН, работающего в режиме внешнего управления, приведена на рис. 7.10. Длительность прямого хода генератора пилообразного напряжения определяется длительностью управляющего импульса.

Транзистор VT1 представляет собой транзисторный ключ, который в исходном режиме находится в состоянии насыщения, что обеспечивается соответствующий током базы Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru.

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru,

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru,

где Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru , откуда Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru .

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru

Рисунок 7.10 — Ждущий ГЛИН в режиме внешнего управления

При отсутствии входного сигнала Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru транзистор VT1 насыщен и Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru , которое, как правило, не превышает 1В. Следовательно, при отсутствии входного импульса напряжение на выходе схемы близко к нулю ( Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru ).

На рис. 7.11 приведены осциллограммы работы схемы.

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru

Рисунок 7.11 — Осциллограммы работы ждущего ГЛИН
в режиме внешнего управления

В момент времени t1 поступает импульс управления и запирает транзистор VT1 (Uвх=0,3-0,5В). Предельная длительность импульса управления должна быть такой, чтобы Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruне превышало уровень Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru. При этом конденсатор С заряжается через Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruот напряжения Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruи, формирую прямой ход пилы. Чем меньше требуемое значение e, тем меньше Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru.

После t2 транзистор VT1 вновь в насыщении, и обеспечивает разряд конденсатора С через насыщенный транзистор VT1. Когда уровень напряжения на коллекторе достигает Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru(момент времениt3) возможна подача очередного запирающего импульса.

Для улучшения линейности коэффициент использования должен быть x=0,25-0,4, откуда следует, что Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruдолжно быть в 3-4 раза больше Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru, что требует применения высоковольтных транзисторов. Для использования в схеме низковольтных транзисторов применяется цепочка VD и Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru. Величина источника Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruвыбирается из условия:

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru с небольшим запасом Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru .

Если Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru превышает Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru , открывается диод и Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruне превышает Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru. Это позволяет применять низковольтные транзисторы при высоковольтном питании, что позволяет получить значительно меньшее значение коэффициента нелинейности прямого хода e.

Схема ждущего ГЛИН с отрицательной обратной связью приведена на рис. 7.11. Она позволяет улучшить качество ЛИН (уменьшить коэффициент нелинейности e) за счет отрицательной обратной связи (ООС).

В исходном состоянии транзистор VT1 заперт от источника Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru. «+» источника поступает на базу VT1 через диод VD, который включен в прямом направлении. Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruвыбирается исходя из условия, чтобы Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru(для запирания транзистора VT необходимо напряжение порядка 0,25-0,3В). Следовательно,

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru.

В таком режиме диод VD открыт, транзистор VT заперт и конденсатор С заряжается по цепи от +Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru, +Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruвключенных согласно, через Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru, VD, С, Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruна—Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru. Следовательно,

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru .

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru

Рисунок 7.11 — Схема ждущего ГЛИН с ООС

После прихода запускающего отрицательного импульса, который поступает на диод VD и запирает его, Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruобеспечивает надежное насыщение транзистора VT1, при этом конденсатор С начинает разряжаться по цепи от +С через Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru, источник Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruвключенный согласно с Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru , ЭК открытого насыщенного транзистора VT1НАС, на — С.

На рис. 7.12 приведены осциллограммы работы ждущего ГЛИН с ООС. В момент времени t1 приходит запускающий входной отрицательный импульс. Он запирает диод VD и отсоединяет Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruот базы транзистора VT. Запускающий импульс отрицательной полярности должен обеспечить амплитуду Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru. При этом режим работы транзистора VT по постоянному току изменяется. Транзистор VT насыщается, после чего начинается разряд конденсатора С. Напряжение на конденсаторе С до разряда было порядка Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru . Основная цепь разряда конденсатора С от +С через Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru, +Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru, включенного согласно с Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru , ЭК насыщенного транзистора VT1, на — С. Дополнительная цепь Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruиЖдущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruимеет незначительный вклад. При разряде конденсатора С формируется линейно-изменяющееся напряжение с длительностью Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru, соответствующее длительности входного импульса.

Если ток разряда будет постоянным (Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru), то напряжение на конденсаторе С будет изменяться по линейному закону. Благодаря действию ООС за счет конденсатора С, включенного между базой и коллектором транзистора VT1, изменение Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruпроисходит практически по линейному закону.

Физически это обеспечивается токовым механизмом управления транзистором с учетом того, что участок БЭ транзистора имеет низкое сопротивление. В этом случае:

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru

По мере разряда конденсатора С ток Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruначинает уменьшаться, но при общем токе через Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru(Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru) приводит к увеличению тока базы (Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru). За этим увеличением тока базы Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruследует увеличение тока коллектора (Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru). Этот ток, протекая через Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruраспределяется между коллектором транзистора и конденсатором С, компенсируя уменьшения тока Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru. Следовательно, за счет ООС ток разряда конденсатора Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruостается примерно постоянным, обеспечивая линейное изменение Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru.

В момент времени t2 заканчивается запускающий импульс, диод VD открывается напряжением Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru, транзистор VT запирается и вновь начинается процесс заряда конденсатора С, как было рассмотрено ранее. Постоянная времени заряда конденсатора мала по сравнению с постоянной времени разряда (Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru). Поскольку

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru , то Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru .

Время восстановления схемы определяется величиной:

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru.

Осциллограммы, иллюстрирующие работу схемы, приведены на рис. 7.12

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru

Рисунок 7.12 — Осциллограммы работы ждущего ГЛИН с ООС

Основные параметры схемы:

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru ;

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru ;

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru ;

Для уменьшения коэффициента нелинейности e можно рекомендовать увеличивать Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ruи Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru.

ГЛИН на ОУПТ

Применение интеграторов на УОПТ, обеспечивает получение выходного напряжения, пропорционального интегралу от входного напряжения. Следовательно, подав на вход интегратора постоянное напряжение, Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru получим на его выходе линейно изменяющееся напряжение. На рис. 7.13. показана схема генератора пилообразного напряжения с конденсатором С, включенном в цепь ООС ОУПТ. Временные диаграммы входного и выходного напряжений генератора изображены на рис. 7.14.

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru

Рисунок 7.13 — Схема генератора пилообразного напряжения

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru

Рисунок 7.14 — Временные диаграммы входного и выходного напряжений ГЛИН на ОУПТ

Схема управляется импульсами положительной полярности, которые подают на инвертирующий вход усилителя через диод VD, отключающими схему (диодный ключ разомкнут) от общей шины на время длительности входного импульса. За период входного импульса происходит интегрирование входного напряжения Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru ,причем Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru (см. рис. 7.13).

До подачи управляющего импульса (отрезок времени 0 — t1 рис.7.14.) диод VD открыт и напряжение на инвертирующем входе Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru положительно и незначительно повышает нулевой уровень Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru . Напряжение на неинвертирующем входе Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru определяется делителем напряжения R1, R2:

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru .

Значение коэффициента деления за счет выбранного соотношения между сопротивлениями резисторов R1 и R2 задается таким образом, чтобы уровень Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru обеспечивал состояние ОУПТ в режиме ограничения, при котором Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru . Конденсатор С интегратора заряжен до напряжения источника питания Е.

Положительный импульс, воздействую на вход генератора в момент времени t1, запирает диод VD, напряжение Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru возрастает до уровня, обеспечивающего переход усилителя в активный режим, при этом напряжение на выходе скачком уменьшается на небольшую величину. Затем конденсатор С начинает разряжаться через резистор R и Rвых усилителя. При разряде происходит уменьшение тока. Включение конденсатора С в цепь ОС, было в рассмотренной ранее схеме, особенно при больших коэффициентах усиления ОУПТ позволяет стабилизировать ток разряда и повысить линейность выходного напряжения. Если расчетное соотношение между постоянной времени разряда конденсатора и длительностью рабочего хода удовлетворяет равенству:

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru ,

то за время длительности импульса конденсаторуспевает полностью перезарядиться до напряжения — Е.

После окончания в момент времени t2 управляющего импульса диод VD отпирается, напряжение Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru скачкообразно уменьшается до исходного уровня, усилитель насыщается, его выходное напряжение достигает величины +Е, а конденсатор С быстро разряжается через открытый диод VD. Схема возвращается в исходное состояние. Время восстановления схемы генератора:

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru .

Коэффициент нелинейности пилообразного напряжения:

Ждущие ГЛИН на транзисторах - student2.ru.

БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРЫ

Наши рекомендации