Расчет по постоянному току

С_э, С_р1, С_р2 – разрывы (для постоянного тока).

1) Е_смещ = I_бR_б + U_бэ(I_б) + I_э R_э

нелинейная функция

2) I_k = I_k R_k + U_kэ(I_k) + I_эR_э

3) I_k = bI_б

4) I_э = I_б + I_k Þ I_э @ bI_б (единицей пренебрегаем)

Е_смещ. = I_б (R_б + bR_э) + U_бэ(I_б)

Е_к = I_бb( R_k + R_э) + U_кэ(I_k)

Ctga = Rэ+Rk Ctgb =Rk || Rн

Подключение нагрузки приводит к ¯ усиления входного сигнала

При переменном тока все конденсаторы – закоротки

Расчет при R_{НАГРУЗКИ} = ¥.

При ­ t^oС Þ ­I_б Þ A®A^’ Þ ­I_бэ, ­ I_э Þ ­I_эR_э = φ_э Þ ¯U_бэ = φ_б – φ_э(­) Þ A^’®A

R_э приводит к температурной стабилизации и является отрицательной обратной связью по постоянному току. (т.к. φ_б – φ_э)

Расчет каскада по переменному току.

Конденсаторы и источники напряжения – закоротки.

Схема замещения в h-параметрах:

;

Входная цепь.

Выходная цепь.

Усилительный каскад с общим коллектором.

О.Э.

Расчет по переменному току.

Полевые транзисторы.

Транзисторы

Биполярные Полевые

с управляющим p-n переходом металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)

металл-окись-полупроводник (МОЛ)

с индуцированием со встроенным каналом

Полевые транзисторы с управляющим переходом

S – площадь поперечного сечения канала r - удельное сопротивление L - длина

I_c = U_cn / R_канала

R_канала = r / S

­|U_зn| Þ D_p-n ­ Þ S¯ Þ R_кан­ Þ I_c ¯

U_{cи (насыщения)} – напряжение на стоке, при котором происходит перекрытие канала Þ

Þ U_зи – U_{cи (насыщения)} = U₀ Þ ток через канал прекращается.

Uзи=0   Uзи<0

b[(U_з – U₀)U_c – ½ U_c²]; U_cи< U_зи–U₀ - для крутой плоскости

I_c =

¹/₂b(U_з – U₀)²; U_cи> U_зu – U₀ - для пологой плоскости

b = [мA / B²] - приведенная крутизна

Эквивалентная схема замещения

- n-канальный

- p-канальный

МДП-транзисторы (МОП)

Металл-диэлектрик-полупроводник

с индуцированным каналом со встроенным каналом

З и П представляют собой плоский конденсатор.

Uзи4>0 Uзи3>0 Uзи2>0 Uзи1=Uc

МДП-транзисторы со встроенным каналом.

Uзи>0 Uзи=0 Uзи<0

При ­ U_зu Þ ­ S_канала Þ ¯ R_канала Þ ­ I_c

U_зu<0 Þ дырки пойдут к каналу Þ ¯ S_канала Þ R ­ Þ I_c ¯

При каком-то U₀ происходит полное перекрытие канала.

Полевые транзисторы – полупроводниковые приборы, управляемые напряжением, в отличие

от биполярных, которые управляются зарядом (током).

b[(U_з – U₀)U_c – ½ U_c²] , U_cu<U_зu – U₀ крутая область

½ b(U_з – U₀)² , U_cu>U_зu – U₀ пологая область

Эквивалентная cхема

n-канальный p-канальный

со встроенным каналом.

Усилительные каскады на полевых транзисторах.

Каскад переворачивает фазу

Схема для расчета каскада по постоянному току

увеличение напряжения и изменения фазы.

I_c = I_cА +DI_c (постоянная и переменная составляющие)

U_cи= U_cиА +DU_cи

I_cА DI_e

E_c U_вх~

U_cА DU_c