Модули памяти ОЗУ 8 x 4 и ЭСППЗУ 8 x 4

ЭСППЗУ

ОЗУ 8 х 4

На рисунке 11.1.4.1 показано условное обозначение оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) 8 x 4 и электрически стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства (ЭСППЗУ) 8 x 4.

Расположение разъемных соединений:

· 0 ... 2:адресные входы для выбора запоминающих ячеек 0 ... 7

· WE:Write Enable (разрешение записи)

· OE:Output Enable (разрешение ввода данных)

· CS:Chip Select (разрешение сохранения)

Рисунок 11.1.4.1 ОЗУ 8 x 4 и ЭСППЗУ 8 x 4

	Управляющие входы	Состояние модуля	Функции
	WE	OE	CS
Модуль памяти описывать				активен	Линии передачи данных работают как входы, комбинация битов поступает в модуль запоминающего устройства
				не активен	Линии передачи данных нахо­дятся под большим омическим сопротивлением (отключены)
Модуль памяти вводить данные				активен	Линии передачи данных работают как выходы, содержимое адресованных ячеек памяти находится на линиях передачи данных
				не активен	Линии передачи данных нахо­дятся под большим омическим сопротивлением (отключены)

Модуль памяти имеет четыре линии передачи данных, которые, в зависимости от схемы управляющих входов, работают как входная и выходная шины или находятся в высокоимпедансном состоянии (Tri-State).

В таблице 11.1.4.1 показан обзор схем управляющих входов, получаемого состояния оперативного запоми­нающего устройства или ЭСППЗУ и соответст­вующего принципа работы.

· Указание:Используемое в данном случае ЭСППЗУ около часа может сохранять инфор­мацию без питаю­щего напряжения.

Таблица 11.1.4.1 Таблица функций