Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры

Статические характеристики биполярного транзистора, h-параметры

Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства.

Все параметры можно разделить на собственные (первичные) и вторичные.

Собственные параметры характеризуют свойства самого транзистора независимо от схемы его включения. К ним относятся: rэ – сопротивление эмиттера, rк – сопротивление коллектора, rб – сопротивление базы. Значения сопротивлений рассматриваются по отношению к переменной составляющей.

С учетом этих параметров транзистор, включенный по схеме с ОЭ, может быть представлен эквивалентной схемой.

Схема замещения:

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Генератор тока отражает усилительные свойства схемы, а уменьшение коллекторного сопротивления на 1-α – тот факт, что к эмиттерному переходу прикладывается часть напряжения Uкэ.

Статическими характеристиками транзисторов называют графики, выражающие функциональную зависимость между токами и напряжениями транзистора.

Статическими характеристиками являются статический коэффициент передачи тока эмиттера α и статический коэффициент передачи тока базы β.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

С точки зрения системы вторичных параметров транзистор рассматривают как некоторый четырехполюсник со следующей схемой замещения.

Эквивалентная схема с h-параметрами:

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

1) Входное сопротивление при коротко замкнутом выходе Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru при Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru , к.з. на выходе по переменному току, Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru .

2)Коэффициент обратной связи по напряжению Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru при х.х. на входе, Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru . Этот коэффициент показывает, какая доля выходного переменного напряжения передается на вход транзистора вследствие отрицательной обратной связи в нем.

3) Усиление тока при к.з. на выходе по переменному току Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru , при Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru , Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru .

Показывает коэффициент усиления переменного тока транзистором в режиме работы без нагрузки.

4) Выходная проводимость при х.х. на входе Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru , при Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru , Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru – часто используют выходное сопротивление.

Представляет собой внутреннюю проводимость для переменного тока между выходными зажимами транзистора.

Эффект Эрли

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

Эффект Эрли заключается в том, что изменение напряжения между коллектором и эмиттером влечет изменение напряжения между базой и эмиттером.

Эффект Миллера

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Усилитель обладает некоторым коэффициентом усиления по напряжению Кu, следовательно, небольшой сигнал напряжения на входе порождает на коллекторе сигнал, в Кu раз превышающий входной (и инвертированный по отношению к входному). Волна проходит через конденсатор, попадает на базу и уменьшает входной сигнал. Из этого следует, что для источника сигнала емкость Скб в (Кu +1) раз больше, чем при подключении Скб между базой и землей. Эффект Миллера часто играет основную роль в спаде усиления, так как типичное значение емкости обратной связи около 4 пкФ соответствует (эквивалентно) емкости в несколько сотен пикофарад, присоединенной на землю.

Униполярные (полевые) транзисторы (ПТ). Принцип действия ПТ с p-n-переходом. Стоковая (выходная) и стоко-затворная (проходная) характеристики ПТ, основные параметры. ПТ металл – диэлектрик – полупроводник (МДП) и металл – окисел – полупроводник (МОП) со встроенным и индуцированным каналами, конструкция, характеристики и параметры. Полярность подаваемых напряжений и особенности применения ПТ. Схемы включения ПТ с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС), общим затвором (ОЗ). Сравнительный анализ БПТ и ПТ. IGBT транзисторы

Полевые транзисторы (униполярные) - п/п приборы, в которых прохождение тока обусловлено дрейфом носителей заряда одного знака под действием продольного электрического поля.

С точки зрения носителя заряда их называют униполярные (одной полярности).

С точки зрения управления электрическим полем - полевыми.

Различают схемы включения:

- с общим истоком (подобно общему эмиттеру) которые позволяют получить усиление тока и напряжения и инвертирование фаз напряжения при усилении, имеют очень высокое входное и выходное сопротивления;

- с общим стоком (подобно общему коллектору и эмиттерному повторителю и может быть назван истоковым повторителем) имеет коэффициент усиления по напряжению, стремящийся к единице, выходное напряжение по значению и фазе повторяют входное, имеют очень высокое входное и низкое выходное сопротивления;

- с общим затвором (подобно общей базе)не дает усиления тока и поэтому усиление мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме с ОИ, входное сопротивление мало, в усилителях не используются, применяется в качестве линейных ключей и электронных потенциометров.

Отличие биполярных от полевых транзисторов: практически бесконечное входное сопротивление, несколько худшие усилительные свойства, лучшие температурные характеристики, возможность параллельного включения с целью увеличения тока, опасность повреждения статическим напряжением.

По способу создания канала различают ПТ с p-n-переходом (канал p- или n-типа), встроенным каналом (МДП) и индуцированным каналом (МОП).

ПТ с управляющим р-n переходом содержит три п/п области одного и того же типа проводимости, называемые истоком - каналом - стоком.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

Движение носителей заряда начинается от истока в направлении стока по каналу, ширина которого зависит от напряжения, приложенного к затвору. Соответственно имеет 3 электрода: затвор, сток и исток. р-n переход является высокоомной областью неподвижных носителей заряда –ионов.

Подавая на затвор запирающее напряжение (в нашем случае "-") мы увеличиваем ширину р-n переходов и соответственно уменьшаем ширину канала и увеличиваем его сопротивление.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

Резистор автоматического смещения служит для автоматического создания напряжения смещения. При его увеличении возможно полное запирание. Сопротивление в цепи затвора необходимо для заряда конденсатора.

При подаче на затвор отпирающего напряжения > 0,5В происходит отпирание р-n-перехода, возникает ток затвора и ПТ теряет основное своё преимущество: высокое входное сопротивление.

МОП с изолированным затвором и индуцированным каналом.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

При приложении к затвору напряжения положительной полярности определенной величины, в области подложки (наиболее близко расположенная к затвору), под диэлектриком, образуется канал из неосновных носителей зарядов электронов. Для него характерно ещё большее входное сопротивление, но меньшее усиление, так как управляющий затвор находитя на большем расстоянии от канала.

МДП со встроенным каналом.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

При подаче положительного напряжения увеличиваем ширину канала, и ток по нему тоже увеличивается. При подаче отрицательного напряжения уменьшаем ширину канала и ток по нему, вплоть до полного закрытия транзистора.

«+» возможность работы без начального смещения

«-» протекание тока при наличие U3 = О

Чтобы р-п переходы были надёжно заперты относительно подложки (П), мы подаём на П напряжение, противоположное полярности по отношению к напряжению на стоке, т.е. для п - канала это будет "-". В обычных случаях соединяем П и U

КМОП - комплиментарные МОП с п и р переходом.

«+» отрицательный температурный коэффициент мощности, т.е. при нагреве ток стока уменьшается.

ПТ п - типа с р-п переходом не рекомендуется использовать при комбинации больших (20-50В) напряжений на затворах и относительно больших (> 1 мА) тока стока, из-за резкого возрастания тока затвора.

Достоинства ПТ: высокое входное сопротивление.

Недостатки: более низкое, по сравнению с БПТ, усиление по напряжению.

Основные параметры и характеристики электронных усилителей. Общие сведения. Основные свойства, классификация и структура усилителя. Амплитудно-частотная, амплитудная и фазовая характеристики. Их основные параметры. Шумы усилителя (тепловой, дробовой, фликкер-шум). Шумы тока и напряжения. Критерии применения ПТ и БПТ исходя из требований минимизации шумов при различных сопротивлениях источника сигнала. Синфазные и противофазные помехи. Способы их уменьшения и экранирования.

Усилители - устройства, предназначенные для увеличения параметров электрического сигнала (напряжения, тока, мощности).

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Усилитель имеет входную цепь, к которой подводится усиливаемый сигнал, и выходную цепь, с которой выходной сигнал снимается и подается в нагрузку.

УПТ – усилитель постоянного тока Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

УЗЧ – усилитель звуковых частот Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

УНЧ – усилитель низких частот Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

УВЧ – усилитель высоких частот Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

ШПУ – широкополосные усилители Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

УПУ - узкополосные усилители

Δf = fв-fн - полоса пропускания или полоса усиливаемых частот.

Амплитудно-частотная характеристика отражает зависимость модуля коэффициента усиления Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru , определяемого для синусоидального входного сигнала от частоты. Однако очень редко один усилительный каскад обеспечивает требуемый коэффициент усиления. Поэтому применяют много каскадные усилители с конденсаторной связью между каскадами, общий коэффициент усиления которых определяется как произведение коэффициентов усиления всех каскадов

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru .

Каскады рассчитываются последовательно от оконечного к первому. Оконечный каскад обеспечивает получение требуемой мощности сигнала на нагрузке Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru . По коэффициенту усиления оконечного каскада определяют параметры его входного сигнала, являющиеся исходными для расчета предоконечного каскада и.т.д. Наличие в схеме усилителя конденсаторов и зависимость параметров усилителя от частоты приводит к тому, что при изменении частоты входного сигнала напряжение на выходе усилителя изменяется не только по амплитуде, но и по фазе.

Поэтому второй характеристикой усилителей является фазо-частотная характеристика (ФЧХ), определяющая зависимость угла фазового сдвига от частоты.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

Усилительный каскад задерживает сигнал на какое-то время. Каждые гармонические составляющие задерживаются на разное время.

Амплитудная характеристика усилителя (реальная):

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru По амплитудной характеристике можно выделить следующие основные параметры усилителя:

1. Коэффициент усиления по току Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru ;

2. Коэффициент усиления по напряжению

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

3. Коэффициент усиления по мощности Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru ;

4. Чувствительность усилителя— минимальное значение входного сигнала, при котором полезный сигнал на выходе уже различим на уровне помех (при отношении сигнал - шум) Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

5. Динамический диапазон - отношение амплитуды максимально допустимого выходного напряжения к минимально допустимому, при которых не возникает искажение Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru .

1) Тепловой шум (Джонсона).

Любой резистор генерирует на своих концах шум напряжений. У него горизонтальный частотный спектр (одинаковая мощность шума на всех частотах). Шум с горизонтальным спектром называется «белым шумом».

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru , где k - постоянная Больцмана; Т - абсолютная температура в кельвинах; R – сопротивление; В - полоса частот, Гц.

Например, резистор с R=10 кОм, при комнатной температуре в полосе пропускания В=10 кГц имеет среднеквадратичное напряжение шума в разомкнутой цепи порядк Uш = 1,3 мкВ. Для уменьшения теплового шума можно уменьшить температуру резистора.

2) Дробовой шум.

Электрический ток представляет собой движение дискретных зарядов, а не плавное непрерывное течение. Конечность заряда приводит к статистическим флуктуациям тока, определяемым по формуле:

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru , где

q- заряд электрона, Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru ;

I n – постоянный ток, проходящий через резистор;

B – ширина полосы частот измерения.

Значение этого шума (в % - м отношении) тем меньше, чем выше ток.

3) Шум 1/f (фликкер - шум).

Дробовой и тепловой шумы – это неуменьшаемые в данных условиях виды шума, происходящие вследствие действия физических законов. Самый дорогой резистор имеет тот же тепловой шум, что и дешевый углеродный резистор с таким же сопротивлением.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Реальные источники имеют различные источники шумов: флуктуации сопротивления, порождающие дополнительные напряжения шума, пропорциональные протекающему току. Этот шум зависит от конструкции резистора, резистивного материала и, в особенности, от концевых соединений. Шум имеет спектр 1/f (постоянная мощность на декаду частоты), иногда его называют «розовый шум».

4) Шум тока базы транзистора и шум катодного тока в электронных лампах.

Биполярные транзисторные усилители могут обеспечить очень хорошие шумовые параметры в диапазоне от 200 Ом до 1 МОм, при токе коллектора менее 1 мкА.

При больших сопротивлениях источника >100 кОм преобладает шум тока транзистора, поэтому лучшим устройством для усиления сигнала с шумом будет ПТ, хотя у него шум напряжения больше чем у БПТ, но ток затвора и его шум исчезающе малы.

При очень малых сопротивлениях < 50 Ом всегда будет преобладать шум напряжения транзистора и коэффициент шума будет неудовлетворительным. Лучше использовать трансформатор для увеличения уровня и сопротивления источника сигнала.

Для БПТ основное значение имеет шум тока входного, для ПТ – шум напряжения (у них нет входного тока), т.е. при Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru предпочтительно использовать БПТ, при Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru -ПТ, в диапазоне Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru транзистор выбирается по дополнительным характеристикам, при Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru с целью минимизации шумов желательно использовать сигнальные трансформаторы.

С целью уменьшения шумов используется параллельное соединение БПТ. Шумы при этом уменьшаются в Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru раз, где Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru количество параллельно соединенных БПТ.

С целью устранения помех по цепям питания используются помехоподавляющие фильтры, проникающих из атмосферы – различные виды экранирования.

С помощью замкнутых объемов со стенками из материала с высокой проводимостью, мы можем практически полностью экранировать приемник от электростатических помех.

Магнитную составляющую помехи исключить невозможно. Ее можно только уменьшить путем экранирования с использованием материала с высокой магнитной проводимостью (например, пермоллой).

Очень важную роль играет заземление.

Помехи бывают продольные и поперечные.

Подавление продольных помех очень эффективно осуществляется продольным трансформатором – режекторным дросселем.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

Здесь по отношению к полезному дифференциальному сигналу трансформатор не является индуктивным сопротивлением благодаря встречному включению обмоток, а продольным синфазным помехам он оказывает индуктивное сопротивление.

Схема полезна для подавления ВЧ помех, когда в качестве сердечника используется небольшое ферритное кольцо, в которое один или несколько раз продевается витая пара сигнальных проводов.

Помехи, порождаемые магнитными полями, пропорциональны площади пересекаемого переменным магнитным потоком контура и зависит от ориентации этого контура по отношению к источнику наводки.

ЭДС, наводимая полем будет создавать поперечную наводку, поэтому дифференциальный вход не помогает.

В схемах 1 – 6 цепи заземлены с двух сторон, возвратные токи источника сигнала проходят через шину земли полностью или частично, поэтому площадь контура велика.

В схемах 7 – 11 проводник возвратного тока расположен близко к сигнальному, поэтому подавление выше.

В схемах 1 – 2 магнитного экранирования нет, т.к. контур не изменился по сравнению с простым проводником. Такое заземление обеспечивает экранирование от электрического поля.

Заземление обоих концов дает малый эффект.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

Усилительные каскады на ПТ и БПТ. Статистический режим работы усилительного каскада, выбор рабочей точки, схемы задания напряжения смещения БПТ. Расчет по постоянному и переменному току каскадов с ОЭ и ОК. Сравнительный анализ каскадов ОЭ, ОК, ОБ. Каскад с ОЭ как преобразователь напряжение-ток, фазоинверсный каскад. Усилительные каскады на ПТ, схемы задания напряжения смещения, особенности их работы и включения. Динамическая нагрузка, источник тока, токовые зеркала и отражатели тока на ПТ и БПТ. Ослабление влияния температуры и эффекта Эрли. Токовое зеркало Уилсона, выходное сопротивление источника тока. Области применения

Каскад усиления переменного тока по схеме ОЭ построен на биполярном транзисторе n-p-n. Расчет каскада сводится к выбору точки покоя на статической линии нагрузки, определению величин Rк и RБ по заданным параметрам нагрузки, например, Um вых и Rн, и напряжению источника питания Eк.

Выбранная точка покоя должна обеспечить требуемую величину тока в нагрузке, напряжения на нагрузке без нелинейных искажений и удовлетворять предельным параметрам транзистора. Поэтому ток покоя:

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Iкп³Imн=Um вых/Rн

Напряжение покоя обычно выбирается Uкэп=Eк/2, чтобы обеспечить максимальное выходное напряжение без искажений.

Уравнение статической линии нагрузки

Iк= Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru Линию нагрузки можно построить в координатах Iк, Uкэ по двум точкам. Одна из них - точка покоя П, координаты которой определены. Вторая может быть получена согласно уравнению - если принять Iк=0, то Uкэ=Eк. Построение статической линии нагрузки показано на рисунке справа (линия ав).

Чтобы обеспечить заданный режим покоя, надо рассчитать величины Rк и RБ:

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru ;

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

При работе каскада в режиме холостого хода и Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru рабочая точка перемещается по статической линии нагрузки в обе стороны от точки покоя. Амплитуда переменной составляющей напряжения коллектор-эмиттер или равного ей выходного напряжения не может быть больше Eк/2.

При работе каскада на нагрузку в коллекторную цепь параллельно Rк включается Rн. Поэтому режим работы каскада меняется. Рабочая точка перемещается по динамической линии нагрузки, уравнение которой

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru ;

Динамическая линия нагрузки должна проходить через точку покоя П (частный случай - Diкэ=0). Вторую точку можно получить, задавшись приращением Diк и подсчитав изменение напряжения DUкэ относительно координат точки покоя. Динамическая линия нагрузки показана на рисунке (c-d). Очевидно, что угол между осью Uкэ и динамической линией нагрузки тем больше, чем меньше Rн (при Rн=0 он составит 90°). В связи с этим предельная амплитуда выходного напряжения Uвых пр с уменьшением Rн становится меньше Eк/2. Это может вызвать появление нелинейных искажений. Если заданное значение Um вых, больше, чем Uвых пр, чтобы избежать нелинейных искажений, надо сместить точку покоя. Увеличивают Iкп и анализ повторяют.

Динамические параметры каскада:

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru ;

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru ;

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru .

Расчёт каскада с общим эмиттером по постоянному и переменному току.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

Расчёт может осуществляться либо слева направо, либо справа налево. Слева направо.

Дано: Rg = 1кОм

U = 20В

h21 = 100

kU = 20

fн = 200

δн = 6дБ

Найти: R1, R2, Rк, Rэ1, Rэ2, Rн,C1,2, C3.

По постоянному току:

1. Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

Шина питания по постоянному току эквипотенциальна земле (через Сф)

2. Rвх = Rэ1h21 = 10Rд = 100k => Rэ1 = 1кОм

3. Rэ/Rк = 0,1 – 0,3 => Rк = 5.1кОм

4. RH=l0Rвых = 51кОм

(Rвых = Rкб||Rк)

5. Uк = Uп/2=>Iк = Uп/2·1/Rк = 2мА

6. Uэ = IэRэ1 = 2В

7. Uб =Uэ+ 0,6 = 2,6В

8. R1/R2 = 17,4/2,6 = 6,7

9. Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru => R2 = 77/6.7 = 11кОм = 12кОм

R1 = 75кОм = 82кОм
10. rэ0 = φТ/Iк = 25/2 = 12,5Ом

По переменному току:

11. kU = Rк/(Rэ+rэ0) => Rэ+rэ0 = 255Ом => Rэ = 242,5Ом

Rэ1·Rэ2/(Rэ1+ Rэ2) = 242,5Ом

Rэ1 = 1кОм => Rэ2 = 330Ом

12. δэ = 0,5 δ = 3дБ

При понижении частоты, ёмкостное сопротивление Сэ возрастает, увеличивается эквивалентное сопротивление в эмиттерной цепи и уменьшается коэффициент усиления.

Z/R = √2 => R = Xc = Rэ2+rэ0 = 342,5Ом

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru

13.δ1 = δ2 = 1,5дБ

14.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru =>XC = 6,44кОм

C1 = 120нФ

15. δ1 = δ2 = 1,5дБ

Rн/Rд = 5 => XC2/XC1 = 5 => C1/C2 = 5 =>C2 =33нФ

Обратные связи (ОС) в усилителях. Положительная (ПОС) и отрицательная (ООС) обратные связи. Коэффициент ОС и глубина ОС. Влияние ОС на параметры и характеристики усилителей. Последовательная и параллельная ООС по напряжению и току, следящая ПОС. Примеры принципиальных схем с ОС

В общем случае обратную связь (ОС) можно определить как связь выходной цепи усилителя или каскада усиления с его входной цепью. Она образуется тогда, когда усиленный сигнал с выхода отдельного каскада усилителя или усилителя в целом передается на его вход через цепи, дополнительно вводимые для этого (внешняя ОС) или уже имеющиеся в нем для выполнения других функций (внутренняя ОС). К последним, например, относятся общая цепь источника питания усилителя, межэлектродные емкости в электронных приборах.

Схемы замещения транзистора и их дифференциальные параметры - student2.ru В большинстве случаев внутренняя ОС и непреднамеренно возникшие цепи внешней ОС (например, из-за близкого расположения при монтаже деталей, соединительных проводов входных и выходных цепей усилителя) вызывают так называемую паразитную ОС. В реальных устройствах паразитная связь, как правило, приводит к изменению их свойств в худшую сторону и возникновению других нежелательных явлений (в частности, генерацию паразитных колебаний, частоты которых значительно выше или ниже частот усиливаемых колебаний), часто трудно поддающихся контролю и устранению.

На рисунке приведена структурная схема усилителя с коэффициентом усиления К, охваченного внешней цепью ОС с коэффициентом передачи β. Цепь вместе с усилителем, к которому она подключена, образует замкнутый контур, называемый петлей ОС. Стрелками показаны направления прохождения сигнала.

Часть усиленного внешнего сигнала с выхода усилителя (прямая цепь передачи сигналов) поступает по цепи ОС на его вход и складывается там с внешним сигналом. При таком сложении амплитуд сигналов (внешнего и ОС) на входе усилителя возможны два принципиально отличных по конечному действию случая: либо сумма амплитуд сигналов больше амплитуды внешнего сигнала (фазы колебаний с одинаковой частотой на выходе цепи ОС и входной сигнала совпадают, сдвиг фаз равен 0°), либо меньше его (их фазы противоположны, сдвиг фаз равен 180°). В первом случае говорят о ПОС (положительной обратной связи), во втором – о ООС (отрицательной ОС). В большинстве случаев ПОС паразитная.

Обратная связь (ОС), охватывающая один каскад, называется местной, несколько - общей.

Если во входной цепи усилителя вычитается ток в цепи ОС из тока входного сигнала, то такую ООС называют параллельной. Если во входной цепи вычитается напряжение входного сигнала из сигнала ОС, то такую ООС называют последовательной. По способу получения (снятия) сигнала ООС с выхода усилителя различают ООС по напряжению (когда сигнал ООС пропорционален UВЫХ усилителя) и по току (сигнал ООС пропорционален току через нагрузку).

Наши рекомендации