Полив и подкормка в период выращивания рассады
Рассадо-разводочное отделение при использовании мелко-форсуночной системы должно иметь спланированную почву с хорошим дренажем
Своевременный полив и оптимальная температура способствуют качественному выращиванию рассады. Постоянное визуальное и лабораторное определение уровня влажности является единственным путем определения правильной стратегии полива. Молодые растения не должны находится в сухом субстрате. Вместе с тем, чрезмерное увлажнение ведет к обильному росту (жированию).
Для оптимального вегетативного роста молодых растений рекомендуется питательный раствор с высоким содержанием кальция и без аммиачных форм удобрений. Уровень ЕС и рН раствора должен быть соответственно 2,0—2,5
и 6,0 (Табл. 9.12)
Оптимальная дозировка углекислоты во время выращивания имеет положительное влияние на темпы роста, силу клеток растения и содержании сухого вещества. В результате получаются более сильные растения. Концентрация 600—700 ррm (0,06-0,07%) в теплице будет идеальной как с вентиляцией, так и без нее. В рассадоразводках, во избежание загрязнения (СО), моторную технику предпочтительно не использовать.
РОСТ ПЕРВОЙ КИСТИ
При ранней посадке в условиях недостаточной освещенности (декабрь-февраль) очень важно количество листьев до первой кисти, равно как и число листьев между первой и второй кистями. Необходимо наличие минимум 9-ти листьев до первой кисти, с целью обеспечения цветков и плодов первой кисти достаточным количеством ассимилянтов.
Рост первой кисти в рассадоразводке определяется двумя факторами, а именно, температурой и светом. Большое количество света влияет на формирование более ранней кисти, т. е. при меньшем количестве листьев. Эти же факторы влияют на количество листьев между первой и второй кистями. Условия плохой освещенности отрицательно влияют на этот процесс.
Главные условия развития кистей следующие:
Посев — всходы (3—7 дней): дневная температура — 25'С, ночная — 25°С;
Всходы — пикировка (7—10 дней): дневная и ночная температура — 23°С.
При этих условиях первая кисть закладывается через 10 дней после всходов, а вторая — на 8—9 дней позже.
ПОСАДКА НА ПОСТОЯННОЕ МЕСТО
Когда растения пересаживают из рассадной теплицы в теплицу на постоянное место, их не помещают сразу на минвату. Растения еще не готовы укореняться в минвате, и это может привести к вегетативному типу роста. Поэтому в начале этого периода в теплице рассада в кубиках помещается на полиэтиленовую пленку возле лунок. Этот период нужен для того, чтобы направить развитие растений в генеративное русло. Это необходимо для развития плодов хорошего качества на первой кисти и для создания здорового сильного растения. В зависимости от ситуации (погодные условия, времени года, сорта), кубики размещаются на постоянное место на матах, когда зацветают первая-вторая кисти. Мин. плиту необходимо насыщать до показателя ЕС — 3.0-3.5 и рН — 5.6-5.8. После посадки возможна вегетативная реакция, т. е. усиление роста за счет цветения. Эту реакцию
необходимо контролировать принятием следующих мер:
— ЕС питательного раствора увеличить на 0.5-1.0 мС/см;
— поддерживать разницу между дневной и ночной температурами;
— активизировать транспирацию нагреванием труб отопления;
— регулировать температуру при плохой освещенности — повышать ее в ночное время.
В первые дни после посадки растения необходимо поливать достаточным количеством воды (частые кратковременные поливы) днем и ночью.
Через 4—7 дней (после укоренения) количество воды нужно отрегулировать в соответствии с транспирацией и ростом. До того времени, пока не зацветут 3—5 кисти, необходимо сохранять плиту относительно сухой путем небольшого дренажа.
После посадки следят за соответствием температуры требованиям генеративного развития. В ясные морозные ночи температура не должна быть намного ниже дневной температуры, поскольку 1° растений падает ниже 1° воздуха. Кроме того, если поднимать температуру от относительно низкой (ночь) до более высокой (день), требуется много дополнительной энергии для нагрева.
ЕС питательного раствора должна быть 3.0-3.5 мСМм/см. После укоренения уровень ЕС можно снизить до 2.8-3.0, однако, при необходимости, с целью поддержания генеративного развития, ЕС можно повышать.
При избыточной влажности в корневой зоне, формируется слабое растение. Окраска растения должна изменяться от ярко-зеленой утром до темно- зеленой в послеобеденное время. Этого можно добиться при правильной ирригации, а также кратковременным, — приблизительно на 2 часа, поднятием 1° на 2—4°С в полуденное время.
Это, особенно в пасмурные дни, стимулирует растение к активности и генеративному развитию.
Температура после посадки такая же, как и в рассаднике-теплице. Чем позже производится посев и чем выше уровень освещенности, тем выше может быть средняя суточная температура. Она может колебаться от 17°С в зимнее время до 22—23°С в летнее время. До появления 1-й кисти температура день/ночь одинаковая. После появления всходов температуру постепенно снижают до 19°С днем и до 18°С ночью, а затем до 18°С днем и до 17°С ночью. Если световой уровень ниже 100 Дж/см2 в день, среднюю суточную t°С необходимо снизить до 17—17,5°С. После появления первой кисти необходимо создавать разницу температур день/ночь в 1—2°С для развития сильной кисти.
Если световой уровень > 200 Дж/см/день, среднюю t° можно повышать до 18-18,5°С.
Варьирование ЕС — от 3.0 (4 недели) до 3,5 (6 недель).
CO2 : до 8000 ррm — 0,08%. Будьте осторожны с проветриванием при внешней температуре <15°С. При длительной низкой температуре снаружи теплицы необходима очень осторожная вентиляция с одновременным подогревом.
При более высокой наружной температуре степень нагрева труб должна быть соответствующей.