Расчет эмиттерного повторителя на транзисторах VT5-VT6
В качестве нагрузки примем 
Ом. За амплитуду выходного напряжения принимаем 
В. Тогда 
А.
В данном каскаде протекают следующие токи:
Iд – +Ek, R21, R22, -Ek;
Iб5 – +Ek, R21, R23, бэ VT5, бэ VT6, R24, -Ek;
Iк5 – +Ek, кэ VT5, бэ VT6, R24, -Ek;
Iк6 – +Ek, кэ VT6, R24, -Ek;
.
Пусть 
В.
Тогда 
В.
В.
В. Принимаем 
В.
Пусть 
А.
Тогда 
А.
А.
Вт.
По справочнику выбираем транзистор, подходящий нашим условиям. В данном случае в качестве VT6 выбираем транзистор КТ302А, у которого 
В, 
А, 
Вт, 
МГц, 
.
А.
В.
Примем 
В, 
В.
А.
В.
Вт.
По справочнику выбираем транзистор, подходящий нашим условиям. В данном случае в качестве VT5 выбираем транзистор КТ302А, у которого В, 
А, 
Вт, .
Поскольку VT5 работает в микрорежиме, примем 
А.
Пересчитываем токи:
А
А
А
А
Примем 
А. Тогда
Ом.
Округляя до стандартного значения имеем 
Ом.
Примем 
Ом. Тогда 
В.
В.
В.
Ом.
Округляя до стандартного значения имеем 
Ом.
Ом.
Округляя до стандартного значения имеем 
Ом.
мкФ. Выбираем конденсатор С10 типа К50-16 на 15 мкФ, 16 В.
Ом. Т. к. транзистор VT5 маломощный, примем 
Ом. Тогда
Ом.
Ом.
Ом.
Т. к. транзисторы VT5 и VT6 маломощные, примем 
Ом, 
Ом.
В.
Ом.
Пересчитаем ток делителя: 
мА.
Пересчет режимов работы резисторов дал следующие результаты, по которым и был выбран тип резисторов:
| Тип | Номинал, Ом | Позиционное обозначение | Ток, мА | Напряжение, В | Мощность, Вт |
| МЛТ-0,125 | R21 | .0000983 | 3.2434 | 0.00031888 | |
| МЛТ-0,125 | R22 | .00009622 | 8,7561 | 0.00084252 | |
| МЛТ-0,125 | R23 | .00000208 | .0125 | .000000026 | |
| МЛТ-0,125 | R24 | .00216163 | 7.1333 | 0,0155 |
Пересчитаем напряжение на конденсаторе:
В.
Пересчет режимов работы транзисторов дал следующие результаты:
| Позиц. обозн. | Uкэ, В | Uбэ, В | Uкб, В | Iк, мА | Iб, мА | Iэ, мА | Pк, Вт |
| VT5 | 3.043 | 0.818 | 3.2503 | .00001946 | .00000208 | .00002154 | .0000812 |
| VT6 | 4.866 | 0.818 | 3.043 | .00214119 | .00001947 | .00216067 | .0104 |
Расчет элементов, составляющих мост Вина
Мост Вина служит для создания синусоидальных колебаний с малым уровнем искажений на низких и средних частотах. Принципиальная схема цепи Вина имеет вид:
Изменение частоты производится дискретно (грубо) с помощью конденсаторов и плавно с помощью переменных резисторов.
Входное сопротивление моста Вина определится следующим образом:
На частоте квазирезонанса 
Расчитаем выходное сопротивление моста Вина:
На частоте квазирезонанса 
Нагрузкой моста Вина является эмиттерный повторитель на транзисторах VT1 и VT2 , поэтому предположим, что входное сопротивление эмиттерного повторителя будет равным 150 кОм. Для того чтобы RвхП не шунтировало мост Вина:
Ом.
Ом.
Примем R1=R2 = 15000 Ом, R3=R4 = 1500 Ом
Входное сопротивление цепи Вина:
Ом.
Ом.
Выходное сопротивление цепи Вина:
.
.
Рассчитаем ёмкости:
Для диапазона 65,0042¸ 650,042 Гц при R=15000 Ом:
нФ. Принимаем 
Для диапазона 650,42 Гц ¸ 6500,42 Гц при R=15000 Ом:
нФ принимаем 
Для диапазона 6500,42 Гц ¸ 65004,2 Гц при R=15000 Ом:
принимаем 
