Использование специфических свойств динамических ЗУПВ
Как упоминалось раньше, обращение к ДЗУПВ состоит из двух этапов: обращения к строке и обращения к столбцу. При этом внутри микросхемы осуществляется буферизация битов строки, прежде чем происходит обращение к столбцу. Размер строки обычно является корнем квадратным от емкости кристалла памяти: 1024 бита для 1Мбит, 2048 бит для 4 Мбит и т.д. С целью увеличения производительности все современные микросхемы памяти обеспечивают возможность подачи сигналов синхронизации, которые позволяют выполнять последовательные обращения к буферу без дополнительного времени обращения к строке. Имеются три способа подобной оптимизации:
- блочный режим (nibble mode) - ДЗУВП может обеспечить выдачу четырех последовательных ячеек для каждого сигнала RAS.
- страничный режим (page mode) - Буфер работает как статическое ЗУПВ; при изменении адреса столбца возможен доступ к произвольным битам в буфере до тех пор, пока не поступит новое обращение к строке или не наступит время регенерации.
- режим статического столбца (static column) - Очень похож на страничный режим за исключением того, что не обязательно переключать строб адреса столбца каждый раз для изменения адреса столбца.
Начиная с микросхем ДЗУПВ емкостью 1 Мбит, большинство ДЗУПВ допускают любой из этих режимов, причем выбор режима осуществляется на стадии установки кристалла в корпус путем выбора соответствующих соединений. Эти операции изменили определение длительности цикла памяти для ДЗУВП. На рис. 7.4 показано традиционное время цикла и максимальная скорость между обращениями в оптимизированном режиме.
Преимуществом такой оптимизации является то, что она основана на внутренних схемах ДЗУПВ и незначительно увеличивает стоимость системы, позволяя практически учетверить пропускную способность памяти. Например, nibble mode был разработан для поддержки режимов, аналогичных расслоению памяти. Кристалл за один раз читает значения четырех бит и подает их наружу в течение четырех оптимизированных циклов. Если время пересылки по шине не превосходит время оптимизированного цикла, единственное усложнение для организации памяти с четырехкратным расслоением заключается в несколько усложненной схеме управления синхросигналами. Страничный режим и режим статического столбца также могут использоваться, обеспечивая даже большую степень расслоения при несколько более сложном управлении. Одной из тенденций в разработке ДЗУПВ является наличие в них буферов с тремя состояниями. Это предполагает, что для реализации традиционного расслоения с большим числом кристаллов памяти в системе должны быть предусмотрены буферные микросхемы для каждого банка памяти.
Новые поколения ДЗУВП разработаны с учетом возможности дальнейшей оптимизации интерфейса между ДЗУПВ и процессором. В качестве примера можно привести изделия компании RAMBUS. Эта компания берет стандартную начинку ДЗУПВ и обеспечивает новый интерфейс, делающий работу отдельной микросхемы более похожей на работу системы памяти, а не на работу отдельного ее компонента. RAMBUS отбросила сигналы RAS/CAS, заменив их шиной, которая допускает выполнение других обращений в интервале между посылкой адреса и приходом данных. (Такого рода шины называются шинами с пакетным переключением (packet-switched bus) или шинами с расщепленными транзакциями (split-traнсaction bus), которые будут рассмотрены в других главах. Такая шина позволяет работать кристаллу как отдельному банку памяти. Кристалл может вернуть переменное количество данных на один запрос и даже самостоятельно выполняет регенерацию. RAMBUS предлагает байтовый интерфейс и сигнал синхронизации, так что микросхема может тесно синхронизироваться с тактовой частотой процессора. После того, как адресный конвейер наполнен, отдельный кристалл может выдавать по байту каждые 2 нсек.
Большинство систем основной памяти используют методы, подобные страничному режиму ДЗУПВ, для уменьшения различий в производительности процессоров и микросхем памяти.