Кристаллы. Элементы кристаллографии

· Молярный объем кристалла

Vm = M/r,

где М — молярная масса вещества; r — плотность кристалла. Объем V элементарной ячейки в кристаллах:

а) при кубической сингонии V = a3;

б) при гексагональной сингонии Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . Здесь а и с — па­раметры решетки.

Если для гексагональной решетки принять теоретическое значе­ние

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , то Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

· Число Zm элементарных ячеек в одном моле кристалла

Zm = Vm/v, или Zm = kNA/n,

где k — число одинаковых атомов в химической формуле соедине­ния (например, в кристалле AgBr число одинаковых атомов Ag или Вг в химической формуле соедине­ния равно единице); NA — постоян­ная Авогадро; п— число одинаковых атомов, приходящихся на элементар­ную ячейку. Число Z элементарных ячеек в единице объема кристалла

Z = Zm/Vm

или в общем случае

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

для кристалла, состоящего из одинаковых атомов (k = l),

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

· Параметр а кубической решетки

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

Расстояние d между соседними атомами в кубической решетке:

а) в гранецентрированной Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru ,

б) в объемно центрированной Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Электроны в металле (по квантовой статистике)

Распределение Ферми по энергиям для свободных электронов в металле:

при Т¹0 Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru ;

при Т¹0 Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru при (e<ef),

где dn(e)-концентрация электронов, энергия которых заключена в интервале, значений от e до e+de; m и e - масса и энергия электрона; eƒ- уровень (или энергия) Ферми.

Уровень Ферми в металле при Т=0

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Температура Ткр вырождения

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Удельная проводимость собственных полупроводников

g = en(bn + bp),

где e - заряд электрона; n - концентрация носителей заряда (электронов и дырок); bn и bp - подвижности электронов и дырок.

Напряжение UH на гранях образца при эффекте Холла

UH = RHBjℓ,

где RH - Постоянная Холла; В - индукция магнитного поля;

ℓ - ширина пластины; j - плотность тока.

Постоянная Холла для полупроводников типа алмаза, кремния; германия и др., обладающих носителями заряда одного вида (n или р),

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru ,

где n - концентрация носителей заряда.

Примеры решения задач

Пример 1. В баллоне вместимостью V=6,9 л находится азот массой m=2,3 г. При нагревании часть молекул диссоциировали на атомы. Коэффициент диссоциации a=0,2. Определить: 1) об­щее число N1 молекул и концентрацию n1 молекул азота до нагрева­ния; 2) концентрацию n2 молекул и n3 атомов азота после нагрева­ния.

Решение. По определению, концентрация частиц газа есть отношение числа частиц к вместимости сосуда, занимаемого газом:

n=N/V. (1)

1. Число N1 молекул газа до нагревания найдем из соотношения

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (2)

где v — количество вещества азота; na — постоянная Авогадро; М — молярная масса азота; Mr — относительная молекулярная масса азота; k=10-3 кг/моль. Подставив значения величин в (2), получим

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Концентрацию n1 найдем, подставив значения величин в (1):

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

2. Концентрацию после нагревания найдем из соотношения

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , (3)

где N — число молекул, не распавшихся на атомы.

После подстановки значений величин в (3) получим

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Концентрация атомов после нагревания азота

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (4)

Число 2 в формуле (4) выражает тот факт, что каждая молекула после распада дает два атома.

Подставим в (4) значения величин и произведем вычисления:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Пример 2. В колбе вместимостью V=0,5 л находится кислород при нормальных условиях. Определить среднюю энергию Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru поступательного движения всех молекул, содержащихся в колбе.

Решение. Средняя энергия Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru поступательного движе­ния всех молекул может быть выражена соотношением

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , (1)

где <eп>— средняя энергия поступательного движения одной моле­кулы; N — число всех молекул, содержащихся в колбе.

Как известно,

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , (2)

где k — постоянная Больцмана; Т — термодинамическая темпера­тура.

Число молекул, содержащихся в колбе, найдем по формуле

N=vNA, (3)

где v — количество вещества кислорода; NA — постоянная Авогадро.

Количество вещества v найдем из таких соображений: известно, что при нормальных условиях молярный объем Vm равен 22,4×10-3 м3/моль. Так как, по условию задачи, кислород в колбе находится при нормальных условиях, то количество вещества кис­лорода в колбе выражается соотношением

v=V/Vm. (4)

Подставив выражение v по (4) в (3), получим

N=VNA/Vm. (5)

С учетом (2) и (5) выражение (1) энергии поступательного движе­ния молекул примет вид

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

Проверим, дает ли правая часть расчетной формулы единицу энергии (джоуль). Для этого вместо символов величин подставим единицы, в которых эти величины выражаются:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Подставив значения величин в (6) и произведя вычисления, най­дем

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Пример 3. Средняя длина свободного пробега <l> молекулы угле­кислого газа при нормальных условиях равна 40 нм. Определить среднюю арифметическую скорость <J> молекул и число z соударе­ний, которые испытывает молекула в 1 с.

Решение. Средняя арифметическая скорость молекул опре­деляется по формуле

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru ,

где М — молярная масса вещества.

Подставив числовые значения, получим

<υ>=362 м/с.

Среднее число <z> соударений молекулы в 1 с определяется отно­шением средней скорости <υ> молекулы к средней длине ее свобод­ного пробега <l>:

<z>=<υ>/<l>.

Подставив в эту формулу значения <υ>=362 м/с, <l>=40 нм=4×10-8 м, получим

<z>= 9,05×109 с-1.

Пример 4. Два тонкостенных коаксиальных цилиндра длиной l= 10 см могут свободно вращаться вокруг их общей оси z. Радиус Rбольшого цилиндра равен 5 см. Между цилиндрами имеется зазор размером d=2 мм. Оба цилиндра находятся в воздухе при нормаль­ных условиях. Внутренний цилиндр приводят во вращение с посто­янной частотой n1=20 с-1. Внешний цилиндр заторможен. Определить, через какой промежуток времени с момента освобождения внешнего цилиндра он приобретет частоту вращения n2=1c-1. При расчетах изменением относительной скорости цилиндров пре­небречь. Масса m внешнего цилиндра равна 100 г.

Решение. При вращении внутреннего цилиндра слой воз­духа увлекается им и начинает участвовать во вращательном движе­нии. Вблизи поверхности этого цилиндра слой воздуха приобретает со временем практически такую же линейную скорость, как и ско­рость точек на поверхности цилиндра, т. е. υ=2pn1(R – d). Так как d«R, то приближенно можно считать

υ»2pn1R (1)

Вследствие внутреннего трения момент импульса передается соседним слоям газа и в конечном счете внешнему цилиндру. За интервал времени Dt внешний цилиндр Приобретает момент импуль­са L=pR, где р — импульс, полученный за Dt внешним цилинд­ром. Отсюда

p=L/R. (2)

С другой стороны,

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , (3)

где h — динамическая вязкость; Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru —градиент скорости; S —площадь поверхности цилиндра (S=2pRl).

Приравняв правые части выражений (2) и (3) и выразив из полу­ченного равенства искомый интервал Dt, получим

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Найдем входящие в эту формулу величины L, Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru и S. Момент импульса L=Jw2, где J — момент инерции цилиндра (J=mR2); m — его масса; w2 — угловая скорость внешнего цилиндра (w2=2pn2). С учетом этого запишем

L=mR2×2pn2=2pmR2n2

Градиент скорости Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .Площадь цилиндра равна S=2pRl.

Подставив в (4) выражения L, Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , S, получим

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Заменив здесь υ по (1), найдем

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (5)

Динамическая вязкость воздуха h== 17,2 мкПа×с= 1,72∙10-5 Па∙с.

Подставив в (5) значения входящих в нее величин и произведя вычисления, получим

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Пример 5. Найти среднюю кинетическую энергию одной моле­кулы аммиака NH3 при температуре t=27 °С и среднюю энергию вращательного движения этой молекулы при той же температуре.

Решение. Средняя полная энергия молекулы определяется по формуле

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru (1)

где i — число степеней свободы молекулы; k — постоянная Больцмана; Т—термодинамическая температура газа: T=t+Т0, где Т0=273 К.

Число степеней свободы i четырехатомной молекулы, какой явля­ется молекула аммиака, равно 6.

Подставим значения величин в (l):

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Средняя энергия вращательного движения молекулы определя­ется по формуле

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , (2)

где число 3 означает число степеней свободы поступательного дви­жения.

Подставим в (2) значения величин и вычислим:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Заметим, что энергию вращательного движения молекул ам­миака можно было получить иначе, разделив полную энергию (e) на две равные части. Дело в том, что у трех (и более) атомных молекул число степеней свободы, приходящихся на поступательное и враща­тельное движение, одинаково (по 3), поэтому энергии поступатель­ного и вращательного движений одинаковы. В данном случае

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

Пример 6. Пылинки массой m=10-18 г взвешены в воздухе. Определить толщину слоя воздуха, в пределах которого концентра­ция пылинок различается не более чем на 1 %. Температура Т воздуха во всём объеме одинакова и равна 300 К.

Решение. При равновесном распределении пылинок кон­центрация их зависит только от координаты z по оси, направленной вертикально. В этом случае к распределению пылинок можно при­менить формулу Больцмана

n=n0e-U/(kT). (1)

Так как в однородном поле силы тяжести U=mgz, то

n=n0e-mgz/(kT) (2)

По условию задачи, изменение Dn концентрации с высотой мало по сравнению с n (Dn/n=0,01), поэтому без существенной погреш­ности изменение концентрации Dn можно заменить дифференциа­лом dn.

Дифференцируя выражение (2) по z, получим

dп= —п0 Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru e-mgz/(kT)dz.

Так как п0e-mgz/(kT)=n, то

dn= - Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru ndz.

Отсюда находим интересующее нас изменение координаты:

dz= - Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

Знак минус показывает, что положительным изменениям координа­ты (dz>0) соответствует уменьшение относительной концентрации (dn<0). Знак минус опустим (в данном случае он несуществен) и заменим дифференциалы dz и dn конечными приращениями Dz и Dn:

Dz = Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Подставим в эту формулу значения величин Dn/n=0,01, k=1,38×10-23 Дж/К, T=300 К, m= 10-21 кг, g=9,81 м/с2 и, произведя вычисления, найдем

Dz=4,23 мм.

Как видно из полученного результата, концентрация даже таких маленьких пылинок (m== 10-18 г) очень быстро изменяется с высотой.

Пример 7. В сосуде содержится газ, количество вещества v которого равно 1,2 моль. Рассматривая этот газ как идеальный, определить число DN молекул, скорости υ которых меньше 0,001 наиболее вероятной скорости υв.

Решение. Для решения задачи удобно воспользоваться рас­пределением молекул по относительным скоростям u (u=υ/υв). Число dN(u) молекул, относительные скорости и, которых заключены в пределах от u до du, определяется формулой

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , (1)

где N — полное число молекул.

По условию задачи, максимальная скорость интересующих нас молекул υmax=0,001υв, откуда umaxmaxв=0,001. Для таких значений и выражение (1) можно существенно упростить. В самом деле, для u«1 имеем е-2»1-u2. Пренебрегая значением u2=(0,001)2=10-6 по сравнению с единицей, выражение (1) запишем в виде

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (2)

Интегрируя это выражение по и в пределах от 0 до umax, получим

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , или Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (3)

Выразив в (3) число молекул N через количество вещества и постоянную Авогадро, найдем расчетную формулу:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (4)

Подставим в (4) значения величин v, na и произведем вычисле­ния:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Пример 8. Зная функцию f(р) распределения молекул по импуль­сам, определить среднее значение квадрата импульса <p2>.

Решение. Среднее значение квадрата импульса <p2> можно определить по общему правилу вычисления среднего:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (1)

Функция распределения молекул по импульсам имеет вид

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru (2)

Эта функция распределения уже нормирована на единицу, т. е.

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

С учетом нормировки формулу (1) перепишем иначе:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru (3)

Подставим выражение f(p) по уравнению (2) в формулу (3) и выне­сем величины, не зависящие от р, за знак интеграла:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

Этот интеграл можно свести к табличному.

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , положив Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

В нашем случае это даст

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

После упрощений и сокращений найдем

<p2>=3mkT.

Пример 9. Определить количество теплоты DQ, необходимое для нагревания кристалла NaCI массой m=20г на DТ=2К, в двух случаях, если нагревание происходит от температуры: 1) T1=qВ; 2) Т2=2К. Характеристическую температуру Дебая qD для NaCI принять равной 320 К.

Решение. Количество теплоты DQ, подводимое для нагревания тела от температуры t1 до t2, Может быть вычислено по формуле

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , (1)

где С - теплоемкость тела (системы)

Теплоемкость тела связана с молярной теплоёмкостью Cm соотношением С=(m/М) Cm, где m-масса тела; М-молярная масса. Подставив это выражение С в формулу (1), получим

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (2)

В общем случае Cm есть функция температуры, поэтому за знак Интеграла ее выносить нельзя. Однако в первом случае изменением теплоемкости по сравнению с ее значением при температуре Т, можно пренебречь и считать ее на всем интервале температур DT постоянной и равной Cm1). Ввиду этого формула (2) примет вид

DQ=(m/M)Cm1)DT. (3)

Молярная теплоёмкость Cm1) в теории Дебая выражается формулой

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

В первом случае при Т1=q интеграл

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

и, следовательно,

Cm =2,87R.

Подставляя это значение Cm в формулу (3),получим

DQ=2,87(m/M)RDT. (4)

Произведя вычисление по формуле (4), найдём

DQ=16,3Дж.

Во втором случае (Т<<qD) нахождение DQ облегчается тем, что можно воспользоваться предельным законом Дебая, в согласии с которым теплоемкость пропорциональна кубу абсолютной температуры. В этом случае теплоемкость сильно изменяется в пределах заданного интервала температур и ее нельзя выносить за знак интеграла в формуле (2)

Используя выражение предельного закона Дебая

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru ,

получим

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

Выполним интегрирование:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (5)

С учетом того, что Т2+DТ=2Т2, выражение (5) примет вид

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru ,

или

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Подставив в последнюю формулу значения величин p, m, M, R, Т и qВ произведя вычисления, найдём DQ=1,22мДж.

Пример 10.Молярная изохорная теплоемкость аргона при температуре 4 К равна 0,174 Дж/(моль∙К). Определить значение молярной изохорной теплоемкости аргона при температуре 2 К.

Решение.Согласно теории Дебая, теплоемкость кристаллической решетки при низких температурах Т, когда Т<<θD, где θD – характеристическая температура Дебая, пропорциональна кубу термодинамической температуры,

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (1)

При высоких температурах, когда Т>>θD, теплоемкость кристаллической решетки описывается законом Дюлонга и Пти

С=3R=25 Дж/(моль∙К). (2)

Так как при Т1=4 К теплоемкость аргона С1=0,174 Дж/(моль∙К) много меньше, чем 3R=25 Дж/(моль∙К), выполняется закон Т3 Дебая, согласно которому

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , (3)

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru

или

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (4)

Подставляя числовые данные в (4), получим

С2=0,022 Дж/(моль∙К).

Пример 11.Дебаевская температура кристалла равна 150 К. Определить максимальную частоту колебаний кристаллической решетки. Сколько фотонов такой же частоты возбуждается в среднем в кристалле при температуре 300 К.

Решение.Дебаевская температура

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , (1)

где νmax – максимальная частота колебаний кристаллической решетки, h=6,625∙10-34 Дж∙с, k=1,38∙10-23Дж/К – постоянная Больцмана.

Из (1) найдем

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (2)

Подставляя в (2) числовые значения, получаем

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Среднее число фотонов с энергией εi:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru . (3)

Энергия фотона, соответствующая частоте колебаний νmax,

εi=h∙ν=k∙θD. (4)

Подставляя (4) в (3),

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru ,

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Пример 12. Определить число п узлов, приходящихся на одну элементарную ячейку в гранецентрированной кубической решетке.

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru Решение. Выделим элементарную ячейку в кубической ре­шетке (рис. 1) и определим, скольким соседним элементарным ячейкам принадлежит тот или иной узел выделенной ячейки. В этой ячейке имеются узлы двух типов: А (находящиеся в вершинах куба) и В (нахо­дящиеся на гранях куба в точке пересечения диагона­лей).

Узел А принадлежит одно­временно восьми элементар­ным ячейкам. Следовательно, в данную ячейку узел А вхо­дит с долей 1/8. Узел В вхо­дит одновременно только в две ячейки и, следовательно, в данную ячейку узел В входит с долей 1/2. Если учесть, что число узлов

типа А в ячейке равно восьми, Рис. 1

а число узлов типа В равно шести, т. е. числу граней, то общее число узлов, приходящихся на одну элементарную ячей­ку в гранецентрированной решетке,

n = (1/8)×8 + (1/2)×6 = 1 + 3 = 4 узла.

Так как число узлов равно числу атомов, то в соответствующей структуре на элементарную ячейку приходится четыре атома.

Пример 13. Определить параметр а решетки и расстояние d между ближайшими соседними атомами кристалла кальция (решет­ка гранецентрированная кубической сингонии). Плотность r кри­сталла кальция равна 1,55×103 кг/м3.

Решение. Параметр а кубической решетки связан с объемом элементарной ячейки соотношением V = а3. С другой стороны, объем элементарной ячейки равен отношению молярного объема к числу элементарных ячеек в одном моле кристалла: V = Vm/Zm. Приравняв правые части приведенных выражений для V найдем

a3 = Vm/Zm (1)

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru Молярный объем кальция Vm = M/r, где r — плотность кальция; М — его молярная масса. Число элементарных ячеек в одном моле

Zm =NA/n,

где п — число атомов, приходящихся на одну ячейку. Подставив в формулу (1) приведенные выражения для Vm и Zm, получим

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru a3= nM/(rNA)

Отсюда

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru (2)

Подставим значения величин п, М, r и NA в формулу (2), учи­тывая, что п = 4 . Произведя вычисления, найдем

а =556 пм.

Расстояние d между ближайши­ми соседними атомами находится из простых геометрических сооб­ражений, ясных из рис. 2:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Подставив в это выражение най­денное ранее значение а, получим d=393 пм.

Пример 14. Кусок металла объёма V=20 см³ находится при температуре Т=0. Определить число ΔN свободных электронов, импульсы которых отличаются от максимального импульса рmax не более чем на 0,1 рmax. Энергия Ферми eƒ=5эВ.

Решение. Для того чтобы установить распределение свободных электронов в металле по импульсам, воспользуемся распределением Ферми для свободных электронов при T=0:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru (1)

Так как dn(e) есть число электронов в единице объема, энергии которых заключены в интервале значений от e до e+de (e<eƒ), то оно должно быть равно числу электронов dn(p) в единице объема, заключённых в интервале значений импульса от р до p+dp, т. е.

dn(р)=dn(e). (2)

При этом должно соблюдаться следующее условие. Данной энергии e соответствует определенный импульс р(eƒ=p²(2m)) и интервалу энергий de отвечает соответствующий ему интервал импульсов

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Заметив, что e1/2=p/(2m)1/2, подставим в правую часть равенства (2) вместо dn(e) выражение (1) с заменой e на р и

de на dp в соответствии с полученными соотношениями, т. е.

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

После сокращений получим искомое распределение свободных электронов в металле по импульсам при Т=0:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Число электронов в единице объема, импульсы которых заключены в интервале от рmax –0,1 рmax до рmax, найдем интегрированием в соответствующих пределах:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , или Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru .

Учитывая, что максимальный импульс рmax и максимальная энергия e электронов и металле (при Т=0) связаны соотношением р²max=2meƒ, найдём искомое число ΔN свободных электронов в металле:

Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru , или Кристаллы. Элементы кристаллографии - student2.ru ,

Подставив значения величин p, m, eƒ, ћ и V и произведя вычисления (5эВ=8·10-19Дж), получим ΔN=2,9·1023 электронов.

Таблица вариантов

Наши рекомендации