Магнитные характеристики низкочастотных магнитомягких

Материалов для изготовления магнитопроводов реле с МК

Материал	Марка	Коэрци­тивная сила, Hc, А/м	Макси­маль­ная магнит­­ная про­ни­цае­мость μmax	Магнитная индукция, B, Тл, не менее, при напряженности магнитного поля, А/м, равной
Электротехническая тонколистовая сталь (ГОСТ 3863-83)			4 500 4 000 3 000	1,38	1,50	1,62
Электротехническая сталь (ГОСТ 21427.3-75)		- -	7 000 7 000	1,18 1,20	1,29 1,29	- -
(ГОСТ 21427.1- 83)			16 000 33 000	- -	1,45 -	1,70 1,85
Низконикелевый пермаллой (горячекатаные ленты, прутки)	34НКМП 45Н 50Н 65НП	6,4 2,8	125 000 18 000 20 000 200 000	- - - -	- - - -	1,50* 1,50* 1,50* 1,30*

Окончание таблицы П.40

Материал	Марка	Коэрци­тивная сила, Hc, А/м	Макси­маль­ная магнит­­ная про­ни­цае­мость μmax	Магнитная индукция, B, Тл, не менее, при напряженности магнитного поля, А/м, равной
Высоконикелевый пермаллой (горячекатаные ленты, прутки)	78Н 79НМ 80НХС	5,6 3,2 3,2	35 000 80 000 70 000	- - -	- - -	1,00* 0,75* 0,63*
Пермендюр	49К2ФА		4 000	-	-	2,10*

Примечание. * - приведено значение индукции насыщения материала.

Характеристики биполярных транзисторов

Таблица П.41

Система условных обозначений биполярных транзисторов

Обозначения	Термины	Обозначения	Термины
IКБО	Обратный ток коллектора	UКЭО. гр	Граничное напряжение биполярного транзистора
IЭБО	Обратный ток эмиттера	UКБ. max	Максимально допустимое значение напряжения коллектор – база
UКЭ. нас	Напряжение насыщения коллектор – эмиттер	UБЭ. max	Максимально допустимое обратное напряжение база – эмиттер
UБЭ. нас	Напряжение насыщения база – эмиттер	UКЭ. max	Максимально допустимое значение напряжения коллектор – эмиттер
h11э	Входное сопротивление би­полярного транзистора при включении по схеме с ОЭ в режиме малого сигнала	h21Е	Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с ОЭ
|h21э|	Модуль коэффициента передачи тока транзистора, включенного по схеме с ОЭ, в режиме малого сигнала на высокой частоте	h22э	Выходная полная про­во­ди­мость биполяр­ного тран­­­зистора в схеме с ОЭ в режиме малого сигнала при холостом ходе
IК. max	Максимально допустимое значение по­стоянного тока коллектора	Θпер. max	Максимально допустимое значение температуры перехода
РК. max	Максим. допустимое значение постоянной рассеиваемой мощности коллектора	Rпер.-окр	Тепловое сопротивление переход – окружающая среда

Окончание таблицы П.41

Обозначения	Термины	Обозначения	Термины
Ск =СКБ	Емкость коллекторного перехода	τк= Скrб’	Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

Транзисторы КТ828А, КТ828Б

Кремниевые меза-планарные импульсные высоковольтные транзисторы n-p-n. Предназначены для работы в источниках питания, высоковольтных ключевых и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Эксплуатируются при Θ_окр от – 40 до + 85 ^оС.

Масса не более 20 г.

Таблица П.42

Электрические параметры и предельные значения