Публикации рубрики - Электроника. Страница: 774

Данный метод является основным методом противодействия дизассемблированию программы, трудно представить себе защиту от дизассемблирования, не использующую этот метод. Метод основан на том, что код программы, за исключением

Консольные программы имеют всего одну точку входа. С момента запуска программы и до момента ее завершения управление никогда не передается другим программам (за исключением системных вызовов и параллельных потоков). Программа

Наибольшее распространение получили программы типа "запрос пароля" или "запрос ввода регистрационного номера". Они реализуются по-разному, но сводятся к одному и тому же алгоритму: 1. Программа запрашивает пароль у

Это функции которые можно увидеть в числе импортируемых. Немалая часть может вызываться из библиотечных функций и CRT-кода. Многие функции могут иметь суффикс -A для ASCII-версии и -W для Unicode-версии. • Работа с реестром (advapi32.dll):

Односторонняя функция, это функция, которая способна превратить из одного значения другое, при этом невозможно (или трудно) проделать обратную операцию. Некоторые люди имеют трудности с пониманием, как это возможно. Рассмотрим

Методов представления чисел со знаком «плюс» или «минус» несколько, но в компьютерах обычно применяется метод «дополнительный код» или «two’s complement». Разница в подходе к знаковым/без знаковым числам, собственно, нужна потому что,

Отчёт по СНИРТЕМА: «Reverse Engineering» Выполнили: Студенты 442 гр. Ремизов М.С., Ананьев Д.С. Проверил: Доц. Каф ЭВМ Засорин С.В. Рязань 2016Оглавление. Введение. · Понятие. ........................................................................................4 · Виды "обратной

Расчет неразветвленных цепей переменного тока при различных соотношениях величин реактивных сопротивлений. Расчет неразветвленной цепи переменного тока с произвольным числом активных и реактивных элементов. Расчет

Электротехника Программа, методические указания и контрольные задания для студентов заочной формы обучения по специальности 220301 Автоматизация технологических процессов и производств 2013Волжский 2007 г. Методические указания

Широкое применение в материаловедении при капсулировании внутрь нанотрубок сверхпроводящих кристаллов; пористый материал в фильтрах; несущая подложка для осуществления гетерогенного катализа; электроды для

Другой интересной возможностью практического применения является использование фуллереновых добавок при росте алмазных плёнок CVD-методом (Chemical Vapor Deposition). Введение фуллеренов в газовую фазу эффективно с двух точек зрения:

СодержаниеВведение ………………………………………………..…………….. 3 Фуллерен...…………………………………………………………….. 5 1. Получение фуллеренов…………………………….……….. 6 2. Фуллерен как материал для полупроводниковой техники

Руководитель, желающий пройти мастер-класс подает в Оргкомитет ЗАЯВКУ на посещение МАСТЕР-КЛАССА. Приложение №4. Оплата мастер-класса производится дополнительно на регистрации. Квитанция об оплате является пропуском на

Организаторы конкурса: Некоммерческое Партнерство Детский Центр Развития «СИНТАЙ» и ЧРОО Ассоциация поддержки и развития современного детского творчества г. Челябинска «Жар-птица». При информационной поддержке:

О проведении IV Открытого Всероссийского конкурса эстрадно-джазовой песни«ВОКАЛИСТИКА»,Декабря 2016 г., г.ЧелябинскОрганизаторы конкурса: Некоммерческое Партнерство Детский Центр Развития «СИНТАЙ» и ЧРОО Ассоциация поддержки и

Материал Относительная диэлектр. постоянная Ширина запрещенной зоны (эВ) Разрыв зон ∆Ес (эВ) SiO2 3,9 8,9 3,2 Si3N4 5,1 A12O3 8,7 2,8 Y2O3 5,6 2,3 La2O3 4,3 2,3 Ta2O5 4,5 1-1,5 TiO2 3,5 1,2 HfO2 5,7 1,5 ZrO2 7,8 1,4 Рис.7.13

В результате непрерывного масштабирования толщина подзатворного окисла составляет в современных приборах около 1нм. Минимально возможная толщина окисла должна быть более одного слоя атомов и составляет ~ 0,8нм. Это размер всего

Эффективная туннельная проницаемость подзатворного окисла сильно зависит от величины электрического поля в окисле. Максимальное электрическое поле в окисле сосредоточено в области между затвором и стоком, поскольку в этой

Лекция 7 Токи утечки в наноэлектронных структурахПлан лекцииТоки утечки как ограничитель развития технологии7.2. Прямое туннелирование через подзатворный окисел (компонент тока I3) 7.3. Механизм Фаулера-Нордгейма (компонент тока