Публикации рубрики - Электроника. Страница: 804

Период 1 – включение электродвигателя и его разгон до установившейся скорости при постоянном моменте сопротивления: а) Время разгона электродвигателя: (сек) (сек). б) Угол, на который будет переложен руль при разгоне: (рад) (рад).

КУРСОВОЙ ПРОЕКТПо дисциплине: «Судовые электроприводы » Тема: « Расчет рулевой электропривод с электродвигателем постоянного тока на напряжение 220 В для буксирного теплохода – толкача мощностью 600 л. с" Выполнил______________________

В отличие от предыдущего в рассматриваемом БТИЗ используется дополнительный слой полупроводника p-типа, играющего функцию коллектора (рисунок 6.18, а). Прибор имеют вертикальную структуру, где верхний электрод является эмиттером.

Рассмотренное выше позволяет сделать следующие выводы. Для улучшения частотных свойств (повышение предельной частоты) рекомендуется следующее: 1. Уменьшать время пролета инжектированных носителей в базовой области, для этого:

Частотные свойства транзисторов определяют диапазон частот синусоидального сигнала, в пределах которого прибор может выполнять характерную для него функцию преобразования сигнала. Принято частотные свойства приборов

В качестве малосигнальных моделей могут быть использованы эквивалентные схемы с дифференциальными h-, у- и z-параметрами, которые имеют формальный характер и в которых отсутствуют непосредственная связь с физической структурой

В качестве статических характеристик БТ используются функциональные зависимости между токами и напряжениями, прикладываемыми к их электродам: входная характеристика I1 = f(U1) при U2 = const; характеристикаобратной связи U1=f(U2) при I1 =

Основные свойства транзистора определяются процессами в базовой области, которая обеспечивает взаимодействие эмиттерного и коллекторного переходов. Поэтому ширина базовой области должна быть малой (обычно меньше 1 мкм). Если

Анализ показывает, что по частотным свойствам полевой транзистор не имеет особых преимуществ перед биполяр­ным. Практически были осуществлены полевые транзисторы с максимальной частотой генерации до 30 ГГц. Но с точки зрения

Поскольку ПТ, как и электронная лампа, является прибором, управляемым напряжением, то рационально использовать систему уравнений с y-параметрами. Токи в этой системе считают функциями напряжений: I1 = f(U1, U2); I2 = f(U1, U2). (4.4) Тогда

В качестве статических характеристик ПТ представляются функциональные зависимости между токами и напряжениями, прикладываемыми к их электродам: входная характеристика IЗ = f(UЗИ) при UСИ = const; характеристикаобратной связи I3=f(UСИ)

Они применяются для преобразования высокочастотных и им­пульсных сигналов. В данных диодах необходимо обеспечить мини­мальные значения реактивных параметров, что достигается благо­даря специальным

В результате взаимодействия полупроводника и окру­жающей среды на поверхности кристалла образуются раз­личные соединения, отличающиеся по своим свойствам от основного материала. Кроме того, обработка кристалла приводит к

На рис. 1.16 и 1.17 приведены характеристики p-n переходов из германия и кремния при различных температурах. Из-за снижения контактной разности потенциалов (рис. 1.15 ) при прямом включении происходит увеличение тока для обоих типов p-n

При выводе уравнения (1.37) не учитывались такие явле­ния, как падение напряже­ния на сопротивлении нейтральных областей полупровод­ника при прямом включении. При обрат­ных напряжениях термогенерация носителей в p-n переходе,

Вольтамперная характеристика представляет собой график зависимости тока во внешней цепи p-n перехода от значения и полярности напряжения, прикладываемого к нему. Эта зависимость может быть получена экспери­ментально или

При использовании p-n перехода в полупроводниковых приборах к нему подключается внешнее напряжение. Ве­личина и полярность этого внешнего напряжения опреде­ляют электрический ток, проходящий через p-n переход. Если

Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на физических явлениях, происходящих в области контакта твердых тел. При этом преимущест­венно используются контакты: полупроводник-полупровод­ник;

Если в кристалле 4-валентного элемента часть атомов замещена атомами 3-валентного элемента (галлия Ga, ин­дия In), то для образования четырех ковалентных связей у примесного атома не хватает одного электрона (рис.1.5, а). Этот электрон