Домашнє завдання: § зад.
Опорний конспект
Властивості твердого тіла
· Характеризується щільною упаковкою частинок;
· Сили взаємодії великі;
· Зберігає форму і об’єм;
Стани:
Кристалічний Аморфний
· Частинки розміщені у Порядку в розміщенні частинок
певному порядку, немає;
утворюючи кристалічну Відсутня правильна зовнішня
решітку; форма;
· Правильність зовнішньої Ізотропія;
форми; Відсутність певної температури
· Певна температура плавлення.
плавлення. Відносяться до в’язких рідин.
Кристалічна решітка –розташування частинок, що характеризується періодичною повторюваністю в трьох вимірах.
Вузли кристалічних решіток –точки, відносно яких частинки здійснюють теплові коливання.
Отже,
Тверді тіла
· Такі речовини, у яких є кристалічна будова, тобто дальній порядок у розташуванні їх частинок.
Кристалічні тіла:
Монокристали Полікристали
· Тверді тіла, частинки яких Тверді тіла, які складаються з
утворюють єдині кристалічні безлічі невпорядковано розмі –
решітки ( лід, поварена сіль, щених дрібних кристаликів
ісландський шпат). ( “морозні візерунки” на вікнах,
цукор – рафінад).
Характеризуються
· Рівними кутами між відпові- Характеризуються ізотропністю -
дними гранями, хоча зовнішня їх фізичні властивості у всіх
форма може бути різною. напрямках однакові.
· Характеризуються анізотропією – Чим менші кристалики, які утво -
залежність фізичних властивостей рюють полікристалічне тіло, тим
від напрямку в кристалі (напр., їх воно однородніше і одночасно
міцність у різних напрямках різна). ізотропніше.
Монокристали застосовуються у техніці. Майже всі напівпровідникові прилади – це монокристали зі спеціально введеними домішками, які надають їм тих чи інших властивостей.
Видатним досягненням молекулярної електроніки було створення молекулярних підсилювачів і генераторів мікрохвильового випромінювання – мазерів і потужних генераторів випромінювання оптичного діапазону – лазерів. Основними деталями багатьох типів цих приладів є монокристали.
Зараз опрацьовано спеціальні методи вирощування великих кристалів, які дають змогу дістати зразки, лінійні розміри яких становлять десятки сантиметрів.
У залежності від роду частинок, розташованих у вузлах кристалічних решіток, і характеру сил взаємодії між ними кристали поділяються на 4 типи:
1. іонні кристали – у вузлах решіток розташовуються по черзі іони протилежного знаку. Сили взаємодії між іонами є в основному електростатичними.
Зв’язок обумовлений кулонівськими силами притягання між різнойменно зарядженими іонами називається іонним.
В такому кристалі не можна виділити окремих молекул, весь кристал є ніби однією гігантською молекулою. Такі кристали мають значну міцність. До них відносять неорганічні сполуки, зокрема солі.
2. атомні кристали –у вузлах решіток – нейтральні атоми, що утримуються найближчими сусідами ковалентним зв’язком ( сили взаємодії виникають в результаті взаємного обміну валентними електронами між кожними двома сусідніми атомами ). До таких кристалів відносять алмаз, графіт, германій, сірчистий цинк ZnS, оксид берилію ВеО та ін. Вони характеризуються високою твердістю і тугоплавкістю.
3. молекулярні кристали – у вузлах решіток знаходяться нейтральні молекули речовини, сили взаємодії між якими обумовлені незначним взаємним зсувом електронів в електронних оболонках атомів. Такі кристали при дуже низькій температурі ( тверді гелій, водень, кисень, азот ), легко випаровуються ( “сухий лід”, нафталін ). Також до молекулярних кристалів відносять кристали брому Br2, йоду J2, льоду H2O, більшість кристалів органічних речовин.
4. металічні кристали – у вузлах решіток розміщені позитивні іони металу; між ними хаотично рухаються електрони, які взаємодіючи з іонами, утримують їх, інакше решітка б розсипалась під дією сил відштовхування між іонами. Такі кристали характеризуються доброю електропровідністю і теплопровідністю та мають симетрію високого порядку.
В природі ідеальних кристалічних структур майже не існує.
Дефекти кристалів
· відхилення від упорядкованого розташування частинок у вузлах кристалічних решіток.
Типи дефектів:
Точкові лінійні
1. вакансія – відсутність атома 1. дислокація – порушення
у вузлі решіток. правильного чергування
2. міжвузловий атом – атом, що атомних площин.
впровадився у міжвузловий
простір. КрайоваГвинтова
3. домішковий атом – атом домі- дислокації.
шки, або атом основної речови- Порушують дальній порядок
ни, що зміщає. розташування частинок.
Такі дефекти порушують ближній
порядок розташування частинок.
Домашнє завдання: § зад. № Підготуватись до тематичного контролю №2.