Расчет режима усиления транзистора

В режиме усиления во входную цепь включается источ­ник сигнала. Пусть амплитуда входного тока I_бm = 50 мкА. На семействе выходных характеристик строим гра­фик изменения входного тока на оси Ot, перпендикулярной нагрузочной прямой в точке О. При положительной амплиту­де сигнала ток базы увеличивается до значения

I_бо + I_бm =150+50=200 мкА, (точка б на нагрузочной прямой).

При отрицательной амплитуде ток базы уменьшается до значе­ния

I_бo—I_бm=150—50=100 мкА, (точка а на нагрузочной прямой).

Строим график изменения тока коллектора слева от оси ординат. Для этого из точек а и б проводим горизон­тальные прямые. Определяем амплитуду изменения тока кол­лектора

Строим график изменения напряжения коллектора ниже оси абсцисс. Для этого из точек а и б проводим вертикальные линии. Определяем амплитуду переменного напряжения коллектора

На семействе входных характеристик строим график из­менения входного тока слева отоси ординат. Входной ток изменяется в тех же пределах, т. е. от 100 мкА (точка а') до 200 мкА (точка б') относительно тока покоя I_бо=150 мкА (точка О'). Из точек а' и б' проводим вертикальные прямые и строим график изменения входного напряжения. Опреде­ляем амплитуду переменного напряжения на базе

По найденным амплитудным значениям тока коллектора I_кm, напряжения коллектора U_кm, напряжения U_бm базы рас­считываем коэффициенты усиления.

Коэффициент усиления по напряжению

Коэффициент усиления по току

Коэффициент усиления по мощности

К_м = К_н·К_т=77·54 = 4158.

Вопросы для подготовки к экзамену

1. Физические свойства полупроводников. Собственная проводимость полупроводников.

2. Примесная проводимость полупроводников.

3. Электронно-дырочный переход и его свойства.

4. Устройство полупроводниковых диодов, их типы и об­ласть применения.

5. Вольтамперная характеристика и параметры полупро­водниковых диодов.

6. Полупроводниковые стабилитроны, их вольтамперная характеристика, параметры, схема включения.

7. Устройство биполярных транзисторов, схемы их вклю­чения.

8. Принцип работы биполярного транзистора.

9. Статические характеристики транзистора для схемы ОБ и ОЭ.

10. Система h-параметров транзистора.

11. Определение h-параметров по характеристикам тран­зисторов.

12. Нагрузочный режим работы транзистора, построение нагрузочных характеристик.

13. Работа транзистора как усилительного элемента, на­грузочные параметры транзистора.

14. Работа транзистора с импульсными сигналами. Тран­зисторный ключ, его схема, нагрузочная характеристика, принцип работы.

15. Полевой транзистор, с управляющим р-n переходом, его устройство, принцип работы, характеристики и парамет­ры.

16. Полевой транзистор с изолированным затвором, его устройство, принцип работы.

17. Фоторезисторы, их устройство, принцип работы, харак­теристики, параметры, область применения.

18. Фотодиоды, их устройство, принцип работы, характери­стики, параметры, область применения.

19. Светодиоды, их устройство, принцип работы, область применения.

20. Фототранзисторы, их устройство, принцип работы, об­ласть применения.

21. Тиристоры, их устройство, принцип работы, вольтам- перные характеристики и параметры.

22. Терморезисторы, болометры, их устройство, принцип работы, характеристики, параметры, область применения.

23. Элементы электронной теории строения вещества. Свойства элементарных частиц.

24. Энергетическая структура атома и твердого тела.

25. Выход электронов из металла. Работа выхода и спосо­бы ее снижения.

26. Вольтамперная характеристика и статические пара­метры диода.

27. Назначение и классификация электронных усилителей.

28. Основные показатели работы усилителя.

29. Обратная связь в усилителях, ее влияние на основные параметры усилителей.

30. Структурная схема усилителя, назначение основных узлов.

31. Виды рабочих режимов транзисторов (А, В, АВ и С), их особенности.

32. Способы подачи смещения в транзисторных каскадах усилителей

33. Способы термостабилизации и термокомпенсации ра­бочей точки в транзисторных каскадах усилителей.

34. Однотактные выходные каскады усилителей.

35. Двухтактные выходные каскады усилителей.

36. Каскады предварительного усиления на транзисторах.

37. Эквивалентные схемы резисторных каскадов. Работа резисторного каскада усиления в области нижних, средних и верхних частот.

38. Эмяттерный повторитель, принцип его работы и об­ласть применения.

39. Фазоинверсный усилитель, принцип его работы и об­ласть применения.

40. Однотактный усилитель постоянного тока. Дрейф нуля