Более низкий уровень шума у

1) биполярных транзисторов;

2) полевых транзисторов;

3) уровень шума одинаков.

82. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор

1) усилительные свойства которого обусловлены потоком неосновных носителей, инжектированных в область базы;

2) усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем;

3) используемый для выпрямления тока.

83. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом состоит из областей

1) сток, затвор, исток, канал;

2) эмиттер, база, коллектор;

3) сток, база, исток, затвор.

84. На затвор полевого транзистора с управляющим p-n переходом подается напряжение

1) открывающее p-n переход между затвором и каналом;

2) запирающее p-n переход между затвором и каналом;

3) двух знаков – отпирающее или запирающее.

85. Ток в цепи стока полевого транзистора с управляющим p-n переходом определяется

1) напряжением на затворе;

2) напряжением на стоке;

3) напряжением на стоке и затворе.

86. Входное сопротивление полевого транзистора с управляющим p-n переходом составляет

1) 10² Ом;

2) 10³ Ом;

3) 10⁵ Ом;

4) 10¹⁰ Ом.

87. Напряжение отсечки полевого транзистора с управляющим p-n переходом – это напряжение при котором

1) ;

2) ;

3) .

88. Уменьшить ток стока до нуля в полевом транзисторе с управляющим p-n переходом возможно

1) с помощью напряжения ;

2) с помощью напряжения ;

3) с помощью напряжений и .

89. Канал полевого транзистора с управляющим p-n переходом имеет наибольшую ширину

1) при ;

2) при ;

3) при .

90. Для полевого транзистора с управляющим p-n переходом рассматриваются семейства характеристик

1) , ;

2) , ;

3) , .

По каналу полевого транзистора протекает ток

1) ток основных носителей;

2) ток неосновных носителей;

3) ток основных и неосновных носителей.

92. Усилительные свойства полевых транзисторов с управляющим p-n переходом определяются параметрами

1) , , ;

2) S, , ;

3) , S, ;

4) , , .

93. На затвор МДП со встроенным каналом п-пипа подается напряжение

1) ;

2) ;

3) или .

Входное сопротивление МДП-транзисторов со встроенным каналом составляет величину

1) Ом;

2) Ом;

3) Ом;

4) Ом.

95. Режим работы МДП-транзисторов со встроенным каналом типа р при называется

1) режим обогащения;

2) режим обеднения;

3) активный режим.

96. Режим работы МДП-транзисторов со встроенным каналом типа п при называется

1) режим обогащения;

2) режим обеднения;

3) активный режим.

Входное сопротивление МДП-транзисторов с индуцированным каналом составляет величину

1) Ом;

2) Ом;

3) Ом;

4) Ом.

98. Напряжение, при котором возникает индуцированный канал в подложке р-типа или п-типа называется

1) напряжением отсечки;

2) пороговым напряжением;

3) напряжением смещения.