Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе

Задачей данного варианта курсовой работы является овладение методикой расчета усилительного каскада по схеме с общим эмиттером на биполярном транзисторе по постоянному и переменному току с учетом температурной стабилизации усилительного каскада. Принцип работы и схемы построения усилительных каскадов изложены в литературе [5], [6], а методика и порядок расчета приведены в [7]. Параметры заданного типа транзистора и бланк индивидуального задания (номер варианта) приведены соответственно в приложениях 2 и 3.

Требования к оформлению:

1. Пояснительная записка должна быть выполнена на листах формата А4, компьютерный набор: шрифт Times New Roman, 12, интервал – 1,5.

2. Бланк индивидуального задания необходимо поместить на первой странице пояснительной записки.

3. Схемы и графики должны быть выполнены в соответствии с ГОСТ и ЕСКД.

Литература.

1. Р. Кофлин, Ф. Дрискол. Операционные усилители и линейные интегральные схемы. Издательство «Мир», М., 1979.

2. Библиотека электронных компонентов. №5. Термисторы фирмы Siemens и Matsushita. Додека, 1999.

3. Б. И. Горошков, А. Б. Горошков. Электронная техника. М. «Академия», 2008 г.

4. И.И. Сидоров. Малогабаритные трансформаторы и дроссели.

5. Л.А. Пигарев. Конспект лекций по дисциплине «Электроника» при подготовке

бакалавра по направлению 110800.62 – «Агроинженерия», (заочная форма обучения).

6. Ю.С. Забродин. Промышленная электроника. «Высшая школа», М., 1982.

7. Электроника. Методические указания по изучению дисциплины и задание для контрольной работы (студентам заочникам). М., 1985.

Приложение 2.1.

Параметры биполярных транзисторов и их входные и выходные характеристики

ГТ308Б

Транзистор сплавно-диффузионного типа, проводимость р-n-р.

Обратный ток коллектора при температуре Т₀ °К I_ко = 5 мкА.

Постоянная времени цепи обратной связи на предельной высокой частоте τ_к = 400 пс =

400 10^–12 с.

Емкость коллекторного перехода С_к = 8 пФ = 8 10^–12 Ф.

Предельный режим.

U_КЭ – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В…………………15

I_К – постоянный ток коллектора, мА……………………………………50

P_К – постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе, мВт………..150

f_hэ – предельная частота, мГц…………………………………………….20

Приложение 2.2.

КТ340Б

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный, проводимость n - р- n.

Обратный ток коллектора при температуре Т₀ °К I_ко = 1 мкА.

Постоянная времени цепи обратной связи на предельной высокой частоте τ_к =60 пс =

60 10^–12 с.

Емкость коллекторного перехода С_к = 7 пФ = 7 10^–12 Ф.

Предельный режим.

U_КЭ – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В…………………20

I_К – постоянный ток коллектора, мА……………………………………50

P_К – постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе, мВт………..150

f_hэ – предельная частота, мГц…………………………………………….100

Приложение 2.3.

КТ315Г

Транзистор кремниевый планарно-эпитаксиальный, проводимость n -р- n.

Обратный ток коллектора при температуре Т₀ °К I_ко = 0,5 мкА.

Постоянная времени цепи обратной связи на предельной высокой частоте τ_к = 500 пс =

500 10^–12 с.

Емкость коллекторного перехода С_к = 7 пФ = 7 10^–12 Ф.

Предельный режим.

U_КЭ – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В…………………35

I_К – постоянный ток коллектора, мА……………………………………100

P_К – постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе, мВт………..150

f_hэ – предельная частота, мГц…………………………………………….100

Приложение 2.4.

КТ361Б

Транзистор кремниевый планарно-эпитаксиальный, проводимость р- n-р.

Обратный ток коллектора при температуре Т₀ °К I_ко = 1 мкА.

Постоянная времени цепи обратной связи на предельной высокой частоте τ_к = 500 пс =

500 10^–12 с.

Емкость коллекторного перехода С_к = 9 пФ = 9 10^–12 Ф.

Предельный режим.

U_КЭ – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В…………………25

I_К – постоянный ток коллектора, мА……………………………………50

P_К – постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе, мВт………..150

f_hэ – предельная частота, мГц…………………………………………….100

Приложение 2.5
Приложение 3.

Поместить на первой странице пояснительной записки.

Задание по курсовой работе (тема 2) по дисциплине «Электроника»

студенту ____ курса Санкт-Петербургского государственного аграрного университета

_________________________________________________________ №__________________

(фамилия, имя, отчество) (шифр)

Провести расчет однокаскадного усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером (см. рис. 1 методических указаний).

Исходные данные для расчета:

тип транзистора ________________;

амплитуда напряжения на входе каскада U_вхк = _______ В;

сопротивление источника сигнала R_Г = _______кОм;

сопротивление нагрузки R_Н = _______кОм;

нижнее значение усиливаемой полосы частот f_Н = _______ Гц;

допустимые частотные искажения М_Н = М_В = _______;

минимальная рабочая температура Т° К_мин ______°К;

максимальная рабочая температура Т° К_мак ______°К;

напряжение источника питания Е_К = ______В;

относительное отклонение тока коллектора ∆I_K / I_K = _______.

«_______» _______________2013г.	_______________________________
	(подпись выдавшего задание)