Расчет поля постоянного цилиндрического магнита

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

ЯРОСЛАВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ

КАФЕДРА МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

КАФЕДРА НАНОТЕХНОЛОГИЙ В ЭЛЕКТРОНИКЕ

ДНЕВНИК

Производственной практики

Студента 4 курса Ольшанова Дмитрия Валерьевича

Учебной группы МЭ-41 СО/010803.65

Вид практики: производственная

Сроки практики: 6.07.2012 – 19.07.2012

Место практики Ярославский Филиал Учреждения Российской академии наук Физико-Технологического института РАН (ЯФ ФТИАН)

Руководитель практики: с.н.с. Постников А.В.

________________________

(подпись студента)

Ярославль 2012 г.

Тема практики:

Расчет магнитного поля постоянного цилиндрического магнита

Задание на производственную практику и календарный план выполнения работ:

1. Знакомство с текущей научной деятельностью Ярославского Филиала Учреждения Российской академии наук Физико-Технологического института РАН (ЯФ ФТИАН)

2. Расчет магнитного поля постоянного цилиндрического магнита.

Задание выдал: ________________________________________________

(подпись руководителя, дата)

Задание получил: ______________________________________________

(подпись студента, дата)

Заключение научного руководителя (заполняется после завершения практики)

__________________________

(подпись, фамилия руководителя)

1. Общие сведения о ЦКП

Центр коллективного пользования научным оборудованием «Диагностика микро- и наноструктур» (ЦКП ДМНС) создан при Ярославском госуниверситете 1 ноября 2006 г., приказ № 382, решение Ученого совета ЯрГУ от 24.10.2006 г.

C 07.11.2007 г. ЦКП ДМНС - интегрированное структурное подразделение ЯрГУ и ФТИАН.

С июня 2008 г. Центр участвует в мероприятиях Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы».

2. Области и основные направления научных исследований

Комплексные исследования в области микро- и наноэлектроники. Разработка физических, технологических и метрологических основ создания критических элементов структур интегральных приборов наноэлектроники. Методы диагностики микро- и наноструктур электроники, наноматериалов, биоорганических нанообъектов. Разработка нанокомпозитных и наноструктурированных материалов для солнечной энергетики и химических источников тока.

Лаборатории

1. Лаборатория диагностики микро- и наноструктур

2. Лаборатория наноэлектроники и спинтроники

3. Лаборатория исследования формирования многослойных структур.

4. Лаборатория физики и технологии наноструктур.

4. Методики

Вторичная ионная масс-спектрометрия:

- послойный физико-химический анализ конструкционных материалов;

- послойный анализ функциональных элементов интегральных микросхем;

- послойный анализа сверхрешеток;

- контроль дозы легирующих примесей в полупроводниках и структурах на их основе;

- физико-химический анализ микрочастиц с размерами менее 0,1 мкм

- трехмерный анализа распределения элементов;

- исследования примесей и дефектов в кристаллах и минералах;

- физико-химический анализ биоорганических нанообъектов;

- количественный микроанализ для геологии и экологии.

Сканирующая электронная микроскопия:

- исследование морфологии и дефектоскопия конструкционных материалов и деталей;

- исследование наночастиц и наноматериалов;

- исследование и диагностика приборов микро- и наноэлектроники;

- исследование биологических нанообъектов;

- исследование материалов химической промышленности.

Сканирующая зондовая микроскопия и профилометрия:

- исследование топографии поверхности конструкционных материалов;

- исследование морфологии поверхности полимерных и органических материалов;

- исследование поверхности материалов и приборов микро- и наноэлектроники;

- исследование биомакромолекул и живых клеток.

- диагностика образцов в 3D-нанозондовой системе субатомарного разрешения;

- электрофизические измерения структур микро- и наноэлектроники в 3D-нанозондовой системе субатомарного разрешения;

- нанолитографии в 3D-нанозондовай системе субатомарного разрешения;

- спектроскопические исследования структур микро- и наноэлектроники в 3D-нанозондовой системе субатомарного разрешения.

Рентгеноструктурный анализ:

- определение одной или нескольких фаз в неизвестной пробе;

- количественное определение известных фаз в смеси;

- определение структуры кристаллов и параметров элементарной ячейки;

- анализ поведения вещества в различных газовых средах, если структура кристаллов изменяется при изменении температуры, давления или газовой фазы;

- анализ поверхности и тонких пленок;

- анализ текстуры, возникающей в условиях прокатки, волочения

Просвечивающая электронная микроскопия:

- контроль продуктов современных литографических технологий;

- исследование микро- и нанорельефа поверхности образца и получение стереоизображения топографии поверхности;

- анализ распределения химических элементов в объекте (на основе рентгеноспектрального анализа);

- исследование точечных и линейных дефектов материалов – вакансий и дислокаций;

- анализ распределения потенциалов в сложных микроизделиях;

- исследование распределения магнитных полей в образце;

- метрология микроизделий.

Оже-спектроскопия

- сканирующая электронная микроскопия;

- оже-электронная спектроскопия;

- сканирующая электронная микроскопия и оже-электронная спектроскопия.

Фотовольтаика

измерение и анализ световых и темновых вольтамперных характеристик солнечных элементов.

5. Оборудование

1. Времяпролетный масс-спектрометр IONTOF SIMS5 (ION-TOF GmbH, ФРГ) – 2007 г. выпуска.

2. Вторичный ионный масс-спектрометр IMS-4F (CAMECA, Франция) – 1986 г. выпуска.

3. Просвечивающий электронный микроскоп Tecnai G2 F20 U-TWIN (FEI, Нидерланды) – 2009 г. выпуска.

4. Автоэмиссионный сканирующий электронный микроскоп с комплексом диагностики наноструктур Supra 40 (Carl Zeiss, ФРГ) с приставкой INCAx-act (Qxford Instruments) - 2008 г. выпуска.

5. Растровый электронный микроскоп в комплекте с рентгеновским спектрометром Ultra 55 (Leo Supra) (Zeiss, Германия) – 2006 г. выпуска.

6. Микроскоп электронный LEO 430 SEM (Carl Zeiss, Германия - Великобритания) – 1992 г. выпуска.

7. 3D-нанозондовая система «GPI- Cryo-SEM» - сканирующий туннельный микроскоп на базе вакуумной системы СЭМ Supra 40 с системой пробоподготовки (Протон-МИЭТ) – 2009 г. выпуска.

8. Класс мультимикроскопов CM-2000 и профилометров модели 130 (ЗАО «Протон-МИЭТ», Россия) – 2008 г. выпуска.

9. Спектрометр Оже PHI-660 (Perkin-Elmer, США) – 1987 г. выпуска.

10. Спектрометр ИК Фурье IFS-113v (Bruker, Германия) – 1988 г. выпуска.

11. Измерительный комплекс Oriel I-V (Newport, США) – 2009 г. выпуска.

12. Трехмерный оптический бесконтактный анализатор структуры поверхности с системой высокоточного позиционирования образцов ZYGO New View (ZYGO, США) – 2005 г. выпуска.

13. Рентгеновский дифрактометр ARL X'tra (Thermo Fisher Scientific, Швейцария) – 2010 г. выпуска.

14. Калориметр дифференциальный сканирующий DSC 204/1/G Phoenix (MAVEG, Германия) – 2002 г. выпуска.

15. Установка ионной имплантации с системой RBS анализа K2MV (НVЕЕ, Нидерланды) – 1989 г. выпуска.

16. Электронно-литографический комплекс RAITH 150D (Raith, Германия) – 2006 г. выпуска,.

17. Установка плазмохимического осаждения MINI GOUPYL (Alcatel, Франция) – 1989 г. выпуска.

Расчет поля постоянного цилиндрического магнита.

Вектор индукции магнитного поля равен [1]